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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
1、为了节省成本,现有的非晶硅半导体工艺正在往3mask(光罩)的方向发展。钝化层和像素电极层采用同一道mask制备,具体做法是通过对钝化层上方的光阻层进行植绒处理,利用绒毛结构高低起伏的表面特征,可使覆盖在其表面的像素电极层断裂,之后采用剥离液同时剥离光阻层和像素电极以形成显示电极和相邻两个显示电极之间的狭缝。但,由于光阻层的角度平缓,拖尾较长,光阻层被剥离时其两端容易形成毛刺,导致像素电极边缘会出现底部空壳或绒毛异物残留,容易引起显示不良。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,可以解决现有的阵列基板的像素电极线边缘会出现底部空壳或绒毛异物残留,容易引起显示不良的技术问题。
2、本专利技术实施例提供一种阵列基板,包括:
3、衬底;
4、驱动电路层,设置于所述衬底的一侧;
5、钝化层,设置于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧;以及
6、像素电极,设置于所述钝化层远离所述衬底的一侧且通过贯穿所述钝化层的过孔与所述驱动电路层电连接,所述像素电极包括多个间隔设置的显示电极以及位于相邻两个所述显示电极之间的狭缝,所述狭缝靠近所述显示电极处的所述钝化层由远离所述衬底一侧的表面向靠近所述衬底的一侧凹陷以形成底切结构。
7、根据本专利技术实施例提供的阵列基板,所述钝化层包括主体部和位于所述主体部远离所述衬底一侧的微
8、根据本专利技术实施例提供的阵列基板,所述微氧化部的材料包括氧化硅,所述主体部的材料包括氮化硅。
9、根据本专利技术实施例提供的阵列基板,每一所述狭缝在所述衬底上的正投影覆盖对应的所述底切结构在所述衬底上的正投影。
10、根据本专利技术实施例提供的阵列基板,在所述衬底的厚度方向上,从所述钝化层远离所述衬底的一侧到所述钝化层靠近所述衬底的一侧,所述底切结构的宽度尺寸由小变大。
11、根据本专利技术实施例提供的阵列基板,所述像素电极还包括与所述显示电极分离设置的连接电极,所述连接电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述驱动电路层电连接。
12、本专利技术实施例提供一种显示面板,包括上述阵列基板;
13、对置基板,与所述阵列基板相对设置;以及
14、液晶层,设置于所述阵列基板和所述对置基板之间,包括多个液晶分子。
15、本专利技术实施例提供一种阵列基板的制备方法,包括以下步骤:
16、提供一衬底;
17、在所述衬底一侧形成驱动电路层;
18、在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧形成钝化层;以及
19、在所述钝化层远离所述衬底的一侧形成像素电极,所述像素电极包括多个间隔设置的所述显示电极,相邻两个所述显示电极之间设置有狭缝;
20、其中,所述在所述钝化层远离所述衬底的一侧形成像素电极的步骤包括:
21、在所述钝化层远离所述衬底的一侧整面形成光阻层;
22、提供一光罩,对所述光阻层进行图案化处理,以使所述光阻层对应待形成的所述显示电极的厚度大于所述光阻层对应待形成的所述狭缝的厚度,且所述光阻层对应待形成的过孔的部分被去除以暴露出所述钝化层;
23、通入氧气对所述光阻层进行第一次灰化处理,以使所述光阻层对应待形成的所述显示电极的部分被减薄以形成光阻部、所述光阻层对应待形成的所述狭缝的部分被去除以暴露出所述钝化层、以及将未被所述光阻层覆盖的所述钝化层蚀刻掉以形成所述过孔,其中,所述光阻部上形成绒状物,位于相邻两个所述光阻部之间的所述钝化层远离所述衬底的一侧表面被微氧化;
24、通入氧气和六氟化硫的混合气体对所述光阻层进行第二次灰化处理,以使所述光阻部的边缘被刻蚀掉以暴露出所述钝化层,暴露出的所述钝化层被刻蚀形成多个底切结构;
25、在所述光阻层、所述钝化层及所述驱动电路层上形成像素电极,所述像素电极在所述底切结构处断开以形成所述显示电极和所述狭缝;以及
26、剥离所述光阻层。
27、根据本专利技术实施例提供的阵列基板的制备方法,在所述第一次灰化处理时,被所述过孔暴露出的所述驱动电路层的漏极远离所述衬底的一侧表面被微氧化形成金属牺牲层;以及
28、在所述第二次灰化处理时,所述金属牺牲层被去氧化。
29、根据本专利技术实施例提供的阵列基板的制备方法,所述第二灰化气体中的氧气和六氟化硫的比例范围为5:1-10:1。
30、有益效果:在本专利技术实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示面板中,通过在钝化层远离衬底的一侧表面设置有多个底切结构,像素电极在底切结构断开以形成多个间隔设置的显示电极以及位于相邻两个显示电极之间的狭缝,使得像素电极具有清晰的狭缝边界,当对形成有绒状物的光阻层以及位于光阻层上的像素电极进行剥离以形成显示电极和狭缝时,剥离液容易通过该底切结构与光阻层接触,增加了所述光阻部边缘处的剥离液的浸入途径,有利于提升光阻层的剥离效果及效率,避免光阻层被剥离时其两端形成毛刺而导致像素电极边缘会出现底部空壳或绒毛异物残留的情况产生,提升了显示效果。
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1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层包括主体部和位于所述主体部远离所述衬底一侧的微氧化部,所述主体部的一侧表面向靠近所述衬底的一侧凹陷以形成所述底切结构。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述微氧化部的材料包括氧化硅,所述主体部的材料包括氮化硅。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,每一所述狭缝在所述衬底上的正投影覆盖对应的所述底切结构在所述衬底上的正投影。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,在所述衬底的厚度方向上,从所述钝化层远离所述衬底的一侧到所述钝化层靠近所述衬底的一侧,所述底切结构的宽度尺寸由小变大。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极还包括与所述显示电极分离设置的连接电极,所述连接电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述驱动电路层电连接。
7.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-6任意一项所述的阵列基板;
8.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
10.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述第二灰化气体中的氧气和六氟化硫的比例范围为5:1-10:1。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层包括主体部和位于所述主体部远离所述衬底一侧的微氧化部,所述主体部的一侧表面向靠近所述衬底的一侧凹陷以形成所述底切结构。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述微氧化部的材料包括氧化硅,所述主体部的材料包括氮化硅。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,每一所述狭缝在所述衬底上的正投影覆盖对应的所述底切结构在所述衬底上的正投影。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,在所述衬底的厚度方向上,从所述钝化层远离所述衬底的一侧到所述钝化层靠近所述衬底的一侧,所述底切结构的宽度尺寸由小...
【专利技术属性】
技术研发人员:张子豪,王赫,苏东明,骆官水,彭家明,严来兴,
申请(专利权)人:TCL华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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