【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
1、为了节省成本,现有的非晶硅半导体工艺正在往3mask(光罩)的方向发展。钝化层和像素电极层采用同一道mask制备,具体做法是通过对钝化层上方的光阻层进行植绒处理,利用绒毛结构高低起伏的表面特征,可使覆盖在其表面的像素电极层断裂,之后采用剥离液同时剥离光阻层和像素电极以形成显示电极和相邻两个显示电极之间的狭缝。但,由于光阻层的角度平缓,拖尾较长,光阻层被剥离时其两端容易形成毛刺,导致像素电极边缘会出现底部空壳或绒毛异物残留,容易引起显示不良。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,可以解决现有的阵列基板的像素电极线边缘会出现底部空壳或绒毛异物残留,容易引起显示不良的技术问题。
2、本专利技术实施例提供一种阵列基板,包括:
3、衬底;
4、驱动电路层,设置于所述衬底的一侧;
5、钝化层,设置于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧;以及<
...【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层包括主体部和位于所述主体部远离所述衬底一侧的微氧化部,所述主体部的一侧表面向靠近所述衬底的一侧凹陷以形成所述底切结构。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述微氧化部的材料包括氧化硅,所述主体部的材料包括氮化硅。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,每一所述狭缝在所述衬底上的正投影覆盖对应的所述底切结构在所述衬底上的正投影。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,在所述衬底的厚度方向上,从所述钝化层
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层包括主体部和位于所述主体部远离所述衬底一侧的微氧化部,所述主体部的一侧表面向靠近所述衬底的一侧凹陷以形成所述底切结构。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述微氧化部的材料包括氧化硅,所述主体部的材料包括氮化硅。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,每一所述狭缝在所述衬底上的正投影覆盖对应的所述底切结构在所述衬底上的正投影。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,在所述衬底的厚度方向上,从所述钝化层远离所述衬底的一侧到所述钝化层靠近所述衬底的一侧,所述底切结构的宽度尺寸由小...
【专利技术属性】
技术研发人员:张子豪,王赫,苏东明,骆官水,彭家明,严来兴,
申请(专利权)人:TCL华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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