【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及固态硬盘，特别是涉及一种混合读写时的读数据方法、装置以及介质。
技术介绍
1、nand闪存(nand flash)是闪存存储器的一种非易失性存储设备，nand flash受物理属性限制，当块写入数据后会有电压电平快速左移的现象，即存在固有电压偏移的问题，固有电压偏移ivs是指在对nand flash编程(写数据)后电压快速左移的现象。目前，读nandflash的电压需要稳定的固有电压才能确保读命令的正确性。
2、在对闪存进行混合读写时，对nand flash写入数据后可能会立即读取数据，存在的固有电压偏移现象会导致较高的读失败概率。
3、由此可见，如何避免在对闪存进行混合读写时出现的读失败的情况，是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种混合读写时的读数据方法、装置以及介质，以解决目前在对闪存进行混合读写时存在的读失败的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种混合读写时的读数据方法，包括：
3、在混合读写场景下对块进行读操作时，获取块的偏移影响参数；其中，所述偏移影响参数包括读写时间差和/或块的擦写次数；所述读写时间差为当前时间与块写入数据的时间之间的时间差值；
4、根据偏移电压对应关系表确定出与所获取的所述偏移影响参数相匹配的最佳偏移电压；其中，所述偏移影响参数与所述最佳偏移电压的对应关系预先保存在所述偏移电压对应关系表中；
5、使用确定出的所述最佳
6、一方面，所述偏移影响参数包括读写时间差和块的擦写次数；
7、在所述偏移电压对应关系表中，所述读写时间差以及所述块的擦写次数均包括多个区间，所述最佳偏移电压与所述读写时间差的区间以及所述块的擦写次数的区间均存在对应关系；
8、对应的，所述根据偏移电压对应关系表确定出与所获取的所述偏移影响参数相匹配的最佳偏移电压包括：
9、确定所获取的所述读写时间差所在的区间以及所述块的擦写次数所在的区间；
10、根据所述读写时间差所在的区间以及所述块的擦写次数所在的区间从所述偏移电压对应关系表中匹配出对应的所述最佳偏移电压。
11、另一方面，在所述根据偏移电压对应关系表确定出与所获取的所述偏移影响参数相匹配的最佳偏移电压之前，还包括：
12、比较所述读写时间差以及预先确定的最大时间阈值；
13、若所述读写时间差大于所述最大时间阈值，则对块执行正常的读操作流程；
14、若所述读写时间差不大于所述最大时间阈值，则进入所述根据偏移电压对应关系表确定出与所获取的所述偏移影响参数相匹配的最佳偏移电压的步骤。
15、另一方面，确定所述最佳偏移电压与所述读写时间差的区间以及所述块的擦写次数的区间的对应关系包括：
16、获取不同区间内的各所述读写时间差以及不同区间内的各所述块的擦写次数对应的实际最佳偏移电压；
17、根据获取的所述读写时间差以及所述块的擦写次数在各区间内的所有所述实际最佳偏移电压确定对应区间与所述最佳偏移电压的对应关系。
18、另一方面，在对块进行读操作之后，还包括：
19、判断对块的读操作是否执行成功；
20、若对块的读操作执行失败，则根据重试读偏移电压表对块进行偏移读流程。
21、另一方面，在所述若对块的读操作执行失败，则根据重试读偏移电压表对块进行偏移读流程之后，还包括：
22、判断根据重试读偏移电压表对块进行偏移读是否成功；
23、若根据重试读偏移电压表对块进行偏移读失败，则对块执行纠错流程；其中，所述纠错流程包括使用低密度奇偶校验码进行纠错读和/或进行重建。
24、另一方面，所述在混合读写场景下对块进行读操作时，获取块的偏移影响参数包括：
25、监控对块的读写操作；
26、当对块运行输入输出流程时，判断当前的混合读写标志位是否已经被置位；
27、若当前的所述混合读写标志位已经被置位，则获取块的所述偏移影响参数，并进入所述根据偏移电压对应关系表确定出与所获取的所述偏移影响参数相匹配的最佳偏移电压的步骤；
28、若当前的所述混合读写标志位未被置位，则检测所述输入输出流程的类型；
29、若所述输入输出流程为主机下发的混合读写，则将所述混合读写标志位进行置位；
30、再次判断所述混合读写标志位是否已经被置位；
31、若所述混合读写标志位已经被置位，则获取块的所述偏移影响参数，并进入所述根据偏移电压对应关系表确定出与所获取的所述偏移影响参数相匹配的最佳偏移电压的步骤；
32、若所述混合读写标志位未被置位，则对块执行正常的读操作流程。
33、为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种混合读写时的读数据装置，包括：
34、获取模块，用于在混合读写场景下对块进行读操作时，获取块的偏移影响参数；其中，所述偏移影响参数包括读写时间差和/或块的擦写次数；所述读写时间差为当前时间与块写入数据的时间之间的时间差值；
35、确定模块，用于根据偏移电压对应关系表确定出与所获取的所述偏移影响参数相匹配的最佳偏移电压；其中，所述偏移影响参数与所述最佳偏移电压的对应关系预先保存在所述偏移电压对应关系表中；
36、偏移读模块，用于使用确定出的所述最佳偏移电压对块进行偏移读操作。
37、另一方面，所述确定模块具体用于确定所获取的所述读写时间差所在的区间以及所述块的擦写次数所在的区间；
38、根据所述读写时间差所在的区间以及所述块的擦写次数所在的区间从所述偏移电压对应关系表中匹配出对应的所述最佳偏移电压。
39、另一方面，所述混合读写时的读数据装置还包括：比较模块，用于在所述根据偏移电压对应关系表确定出与所获取的所述偏移影响参数相匹配的最佳偏移电压之前，比较所述读写时间差以及预先确定的最大时间阈值；
40、若所述读写时间差大于所述最大时间阈值，则触发执行模块；所述执行模块用于对块执行正常的读操作流程；
41、若所述读写时间差不大于所述最大时间阈值，则触发确定模块。
42、另一方面，所述混合读写时的读数据装置还包括：第一判断模块，用于在对块进行读操作之后，判断对块的读操作是否执行成功；若对块的读操作执行失败，则根据重试读偏移电压表对块进行偏移读流程。
43、另一方面，所述混合读写时的读数据装置还包括：第二判断模块，用于在所述若对块的读操作执行失败，则根据重试读偏移电压表对块进行偏移读流程之后，判断根据重试读偏移电压表对块进行偏移读是否成功；若根据重试读偏移电压表对块进行偏移读失败，则对块执行纠错流程；其中，所述纠错流程包括使用低密度奇偶校验码进行纠错读和/或进行重建。
44、另一方面，所述获取模块，具体用于：本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种混合读写时的读数据方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的混合读写时的读数据方法，其特征在于，所述偏移影响参数包括读写时间差和块的擦写次数；
3.根据权利要求2所述的混合读写时的读数据方法，其特征在于，在所述根据偏移电压对应关系表确定出与所获取的所述偏移影响参数相匹配的最佳偏移电压之前，还包括：
4.根据权利要求2所述的混合读写时的读数据方法，其特征在于，确定所述最佳偏移电压与所述读写时间差的区间以及所述块的擦写次数的区间的对应关系包括：
5.根据权利要求2所述的混合读写时的读数据方法，其特征在于，在对块进行读操作之后，还包括：
6.根据权利要求5所述的混合读写时的读数据方法，其特征在于，在所述若对块的读操作执行失败，则根据重试读偏移电压表对块进行偏移读流程之后，还包括：
7.根据权利要求1所述的混合读写时的读数据方法，其特征在于，所述在混合读写场景下对块进行读操作时，获取块的偏移影响参数包括：
8.一种混合读写时的读数据装置，其特征在于，包括：
9.一种混合读写时的
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的混合读写时的读数据方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种混合读写时的读数据方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的混合读写时的读数据方法，其特征在于，所述偏移影响参数包括读写时间差和块的擦写次数；
3.根据权利要求2所述的混合读写时的读数据方法，其特征在于，在所述根据偏移电压对应关系表确定出与所获取的所述偏移影响参数相匹配的最佳偏移电压之前，还包括：
4.根据权利要求2所述的混合读写时的读数据方法，其特征在于，确定所述最佳偏移电压与所述读写时间差的区间以及所述块的擦写次数的区间的对应关系包括：
5.根据权利要求2所述的混合读写时的读数据方法，其特征在于，在对块进行读操作之后，还包括：
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱翔，邵文豪，苏军，
申请(专利权)人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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