【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种包括至少两个子像素的电子器件，其中子像素包括公共空穴传输层c-htl和不同的电子阻挡层ebl1和ebl2，其中在c-htl/ebl1界面处和c-htl/ebl2界面处的界面电荷密度icd满足特定标准。
技术介绍
1、在诸如手机和电视屏幕的小型便携式设备中使用的有机发光二极管(oled)的开发目前是深入研究的主题。一般来说，oled的自发光特性是显示器应用的一个非常理想的特征。
2、存在不同类型的oled配置。例如，可通过垂直层叠红色、绿色和蓝色发光单元来制造全色oled像素。也可通过在单个像素内以并排配置放置多个单一oled层叠体来制造全色oled像素。更具体地说，在平板显示器中，每个像素通常由呈并排几何结构的横向隔开的红色、绿色和蓝色子像素组成，如在例如us 2004/0108818 a1、us2006/0244696a1中公开的。
3、然而，在oled显示器的情况下，并排布局可导致子像素之间的串扰现象。更具体地说，两个相邻子像素之间可发生不期望的电荷传输，导致在像素微弱发光时灰度劣化，例如，即使仅接通蓝色子像素，也会出现不期望的红色发光。在一些情况下，由于来自相邻接通子像素的横向电荷传输，横向导电性可导致断开子像素的轻微发光。
4、具有低横向电导率的公共空穴传输层可减少子像素之间的横向电流穿越。然而，很常见的是，每个子像素还包括沉积在空穴传输层上的单独的电子阻挡层。不同的电子阻挡层可导致子像素之间的横向电流穿越。更具体地说，当使用精细金属掩膜技术进行子像素的图案化时，金属
5、因此，在oled的制造方面，特别是在基于并排像素布局的rgb器件的制造方面仍然需要进一步的改进。在这一点上特别重要的是oled的寿命、效率、工作电压、横向电荷传输性质，当然还有色域。
技术实现思路
1、因此，本专利技术是基于提供具有包括以并排配置放置的子像素的像素的电子器件的技术目的。本专利技术还基于提供适合于这些电子器件的化合物的技术目的。此外，本专利技术基于提供用于制造这些电子器件的方法的技术目的。
2、在对具有以并排几何结构放置的像素或/和子像素的新型电子器件的研究中，现已发现，如下文定义的电致发光器件非常适合用于显示应用。特别地，它们实现了一个或多个，优选所有上述技术目的。
3、因此，本专利技术涉及一种电子器件，所述电子器件包括至少一个像素，所述至少一个像素包括：
4、第一子像素，所述第一子像素按以下顺序包括：阳极、至少一个空穴传输层和电子阻挡层ebl1，
5、第二子像素，所述第二子像素按以下顺序包括：阳极、至少一个空穴传输层和电子阻挡层ebl2，
6、其中所述第一子像素和所述第二子像素中的所述至少一个空穴传输层是公共空穴传输层c-htl，并且所述电子阻挡层ebl1和所述电子阻挡层ebl2邻接所述层c-htl，并且
7、其中界面电荷密度icd1和icd2满足以下条件(1)和(2)：
8、0<icd1<1.0mc.m-2(1)
9、0<icd2<1.0mc.m-2(2)
10、其中
11、icd1是所述层ebl1的表面电荷密度与所述层c-htl的表面电荷密度之差；
12、icd2是所述电子阻挡层ebl2的表面电荷密度与所述层c-htl的表面电荷密度之差；
13、icd1＝scdebl1–scdc-htl
14、icd2＝scdebl2–scdc-htl
15、其中层的所述表面电荷密度scd通过介电光谱法测量来确定。
16、包含n种材料的层的表面电荷密度scd对应于存在于相应层中的每种材料i的表面电荷密度scdi与它们在层中的比例αi的乘积之和：
17、
18、其中
19、αi是基于相应层的总重量，材料i在相应层中的重量比例；并且其中
20、scdi是通过介电光谱法测量来确定的材料i的表面电荷密度。
21、给定材料i的表面电荷密度scdi是通过介电光谱法测量获得的，更特别地通过以浓度系列的介电光谱法测量获得，并外推至纯层。所应用的实验方法是基于nowy等人，impedance spectroscopy as a probe for the degradation of organic light-emitting diodes.j.appl.phys.107,1–9(2010)中描述的方法。在下面的实施例部分将更详细地解释层的表面电荷密度的确定。
22、优选地，ebl1和ebl2是不同的电子阻挡层。
23、优选地，如上所定义的界面电荷密度icd1和界面电荷密度icd2满足以下条件(1a)和/或(2a)
24、0<icd1<0.8mc.m-2(1a)
25、0<icd2<0.8mc.m-2(2a)。
26、更优选地，如上所定义的界面电荷密度icd1和界面电荷密度icd2满足以下条件(1b)和/或(2b)：
27、0<icd1<0.6mc.m-2(1b)
28、0<icd2<0.6mc.m-2(2b)。
29、甚至更优选地，如上所定义的界面电荷密度icd1和界面电荷密度icd2满足以下条件(1c)和/或(2c)：
30、0<icd1<0.4mc.m-2(1c)
31、0<icd2<0.4mc.m-2(2c)。
32、特别更加优选地，如上所定义的界面电荷密度icd1和界面电荷密度icd2满足以下条件(1d)和/或(2d)：
33、0<icd1<0.2mc.m-2(1d)
34、0<icd2<0.2mc.m-2(2d)。
35、优选地，满足以下条件(3)：
36、icd2≥icd1(3)。
37、根据一个优选的实施方式，icd1和icd2满足以下条件(4)：
38、0≤icd2-icd1<1.0(4)。
39、更优选地，满足条件(4a)：
40、0.1<icd2-icd1<0.9(4a)。
41、甚至更优选地，满足条件(4b)：
42、0.3<icd2-icd1<0.8(4b)。
43、特别更加优选地，满足条件(4c)：
44、0.5<icd2-icd1<0.8(4c)。
45、根据一个优选的实施方式，包括电子阻挡层ebl1的第一子像素还包括发光层eml1，并且包括电子阻挡层ebl2的第二子像素还包括发光层eml2，其中eml1和eml2优选地不同。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电子器件，所述电子器件包括至少一个像素，所述至少一个像素包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，满足以下条件(3)：
3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于，满足以下条件(4)：
4.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，包括阳极电子阻挡层EBL1的所述第一子像素还包括发光层EML1，并且包括电子阻挡层EBL2的所述第二子像素还包括发光层EML2。
5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，所述第一发光层EML1具有430至500nm的发光最大波长λ1。
6.根据权利要求4或5中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述第二发光层EML2具有500至660nm的发光最大波长λ2。
7.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述公共空穴传输层c-HTL包含选自式(A)的化合物的空穴传输材料
8.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述公共空穴传输层c-HTL包含选自式(A-I)至(A-IX)化合物的空
9.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述电子阻挡层EBL1和EBL2相同或不同地包含选自根据权利要求7中定义的式(A)的化合物的空穴传输材料。
10.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件包括含有阳极、至少一个空穴传输层和电子阻挡层EBL3的第三子像素，其中所述第三子象素中的所述至少一个空穴传输层是根据权利要求1所定义的公共空穴传输层c-HTL，并且其中EBL3邻接c-HTL。
11.根据权利要求10所述的电子器件，其特征在于，界面电荷密度ICD3满足以下条件(5)：
12.根据权利要求11所述的电子器件，其特征在于，满足以下条件(6)：
13.根据权利要求11或12所述的电子器件，其特征在于，满足以下条件(7)：
14.根据权利要求11至13中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，包括电子阻挡层EBL3的所述第三子像素还包括发光层EML3。
15.根据权利要求11至14中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述发光层EML3具有高于所述发光层EML2的发光最大波长λ2的发光最大波长λ3，如下：
16.根据权利要求11至15中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述第三发光层EML3具有580至660nm的发光最大波长λ3。
17.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，电致发光器件中存在的子像素以并排的几何结构放置。
18.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，每个子像素按以下顺序包括；
19.一种用于制备根据权利要求1至18中的任一项所述的电子器件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种电子器件，所述电子器件包括至少一个像素，所述至少一个像素包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，满足以下条件(3)：
3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于，满足以下条件(4)：
4.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，包括阳极电子阻挡层ebl1的所述第一子像素还包括发光层eml1，并且包括电子阻挡层ebl2的所述第二子像素还包括发光层eml2。
5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，所述第一发光层eml1具有430至500nm的发光最大波长λ1。
6.根据权利要求4或5中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述第二发光层eml2具有500至660nm的发光最大波长λ2。
7.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述公共空穴传输层c-htl包含选自式(a)的化合物的空穴传输材料
8.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述公共空穴传输层c-htl包含选自式(a-i)至(a-ix)化合物的空穴传输材料：
9.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述电子阻挡层ebl1和ebl2相同或不同地包含选自根据权利要求7中定义的式(a)的化合物的空穴传输材料。
10.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件包...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩家龙，王海涛，托比亚斯·格罗斯曼，马丁·克拉斯卡，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。