【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多微带天线，尤其涉及紧间距高隔离微带天线。
技术介绍
1、随着多天线系统的发展，天线之间的电磁耦合已成为多天线结构小型化设计的一个制约因素。随着小型化的发展，天线单元间距逐渐缩小到目前的紧间距结构(边与边的间距约为1/20波长)。
2、现有的去耦结构尺寸都会明显超过天线的物理尺寸，不利于未来多天线结构的小型化。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供紧间距高隔离微带贴片天线，旨在解决现有的去耦结构尺寸超过天线的物理尺寸不利于未来多天线结构的小型化的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了紧间距高隔离微带天线，包括介质基板、两个贴片天线、两个1/4阻抗变换器传输线、两个馈电传输线、金属接地板、去耦缝隙和去耦金属条带
3、两个所述贴片天线分别与所述介质基板固定连接，并分别位于所述介质基板的一侧，两个所述1/4阻抗变换器传输线分别两个所述贴片天线固定连接，并分别与所述介质基板固定连接，两个所述馈电传输线分别与两个所述1/4阻抗变换器传输线固定连接，并分别与所述介质基板固定连接，所述金属接地板与所述介质基板固定连接，并位于所述介质基板远离所述贴片天线的一侧，所述金属接地板具有去耦缝隙，所述去耦金属条带与所述介质基板固定连接，并位于所述介质基板的一侧。
4、其中，所述去耦缝隙为直缝，位于所述两个所述贴片天线之间，且所述去耦缝隙上边沿与贴片天线上边沿平齐。
5、其中，两个所述贴片天线之间的间距为2.58mm。p>
6、其中，所述介质基板的介电常数为4.4，损耗角正切值为0.0033，厚度为1.6mm。
7、其中，所述去耦金属条带向所述介质基板弯折紧缩于贴片天线之间，去耦金属条带纵向长度不超过贴片天线的宽边。
8、本专利技术的紧间距高隔离微带天线，包括介质基板、两个贴片天线、两个1/4阻抗变换器传输线、两个馈电传输线、金属接地板、去耦缝隙和去耦金属条带；两个所述贴片天线分别与所述介质基板固定连接，并分别位于所述介质基板的一侧，两个所述1/4阻抗变换器传输线分别两个所述贴片天线固定连接，并分别与所述介质基板固定连接，两个所述馈电传输线分别与两个所述1/4阻抗变换器传输线固定连接，并分别与所述介质基板固定连接，所述金属接地板与所述介质基板固定连接，并位于所述介质基板远离所述贴片天线的一侧，所述金属接地板具有去耦缝隙，所述去耦金属条带与所述介质基板固定连接，并位于所述介质基板的一侧。所述去耦由完整接地板上蚀刻出缝隙和弯折金属条带形成，条带的存在使得耦合能量聚集到条带下方，而条带下方的去耦缝隙其长度使得地面电流产生谐振，减少流向非辐射贴片的耦合电流。与现有h面去耦技术相比，本专利技术的去耦结构尺寸小且去耦结构不超出远离馈电端的长度范围，实现了贴片天线h面隔离度的提高，有利于多天线结构的小型化设计，从而解决现有的去耦结构尺寸超过天线的物理尺寸不利于未来多天线结构的小型化的问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.紧间距高隔离微带天线，其特征在于，
2.如权利要求1所述的紧间距高隔离微带天线，其特征在于，
3.如权利要求2所述的紧间距高隔离微带天线，其特征在于，
4.如权利要求3所述的紧间距高隔离微带天线，其特征在于，
5.如权利要求4所述的紧间距高隔离微带天线，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.紧间距高隔离微带天线，其特征在于，
2.如权利要求1所述的紧间距高隔离微带天线，其特征在于，
3.如权利要求2所述的紧间距高隔离微带...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。