System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法及装置、设备、介质制造方法及图纸_技高网

碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法及装置、设备、介质制造方法及图纸

技术编号:41251755 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-09 23:59
本发明专利技术提供了一种碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法及装置、设备、介质,属于缺陷检测技术领域。该方法包括:定位待检测碳化硅晶片,并驱动拉曼光谱仪对待检测碳化硅晶片进行扫描,获取待检测碳化硅晶片所对应的拉曼光谱数据,并从中提取关键光谱特征数据;将关键光谱特征数据输入到预训练的损伤分类模型中,得到待检测碳化硅晶片对应的目标亚表面损伤类型;获取待检测碳化硅晶片对应的晶片加工参数,将关键光谱特征数据、亚表面损伤类型以及晶片加工参数输入到预训练的损伤程度估计模型中,得到待检测碳化硅晶片在目标亚表面损伤类型下的亚表面损伤程度。本发明专利技术可有效提升碳化硅晶片的亚表面损伤检测的检测效率,提高检测结果的准确性和鲁棒性。

【技术实现步骤摘要】

所属的技术人员能够理解,本专利技术的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此,本专利技术的各个方面可以具体实现为以下形式,即:完全的硬件实施例、完全的软件实施例(包括固件、微代码等),或硬件和软件方面结合的实施例,这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。下面参照图5来描述根据本专利技术的这种实施例的电子设备500。图5所示的电子设备500仅仅是一个示例,不应对本公开实施例的功能和使用范围带来任何限制。如图5所示,电子设备500以通用计算设备的形式表现。电子设备500的组件可以包括但不限于:上述至少一个处理单元510、上述至少一个存储单元520、连接不同系统组件(包括存储单元520和处理单元510)的总线530、显示单元540。其中,所述存储单元存储有程序代码,所述程序代码可以被所述处理单元510执行,使得所述处理单元510执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本专利技术各种示例性实施例的步骤。例如,所述处理单元510可以执行如图2中所示的步骤s210,定位待检测碳化硅晶片,并驱动拉曼光谱仪对所述待检测碳化硅晶片进行扫描,获取所述待检测碳化硅晶片所对应的拉曼光谱数据;步骤s220,从所述拉曼光谱数据中提取关键光谱特征数据;步骤s230,将所述关键光谱特征数据输入到预训练的损伤分类模型中,得到所述待检测碳化硅晶片对应的目标亚表面损伤类型;步骤s240,获取所述待检测碳化硅晶片对应的晶片加工参数,将所述关键光谱特征数据、所述亚表面损伤类型以及所述晶片加工参数输入到预训练的损伤程度估计模型中,得到所述待检测碳化硅晶片在所述目标亚表面损伤类型下的亚表面损伤程度。存储单元520可以包括易失性存储单元形式的可读介质,例如随机存取存储单元(ram)521和/或高速缓存存储单元522,还可以进一步包括只读存储单元(rom)523。存储单元520还可以包括具有一组(至少一个)程序模块525的程序/实用工具524,这样的程序模块525包括但不限于:操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据,这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。总线530可以为表示几类总线结构中的一种或多种,包括存储单元总线或者存储单元控制器、外围总线、图形加速端口、处理单元或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。电子设备500也可以与一个或多个外部设备570(例如键盘、指向设备、蓝牙设备等)通信,还可与一个或者多个使得用户能与该电子设备500交互的设备通信,和/或与使得该电子设备500能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(i/o)接口550进行。并且,电子设备500还可以通过网络适配器560与一个或者多个网络(例如局域网(lan),广域网(wan)和/或公共网络,例如因特网)通信。如图5所示,网络适配器560通过总线530与电子设备500的其它模块通信。应当明白,尽管图中未示出,可以结合电子设备500使用其它硬件和/或软件模块,包括但不限于:微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、raid系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。通过以上的实施例的描述,本领域的技术人员易于理解,这里描述的示例实施例可以通过软件实现,也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此,根据本公开实施例的技术方案可以以软件产品的形式体现出来,该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是cd-rom,u盘,移动硬盘等)中或网络上,包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、终端装置、或者网络设备等)执行根据本公开实施例的方法。在本专利技术的示例性实施例中,还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有能够实现本说明书上述方法的程序产品。在一些可能的实施例中,本专利技术的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式,其包括程序代码,当所述程序产品在终端设备上运行时,所述程序代码用于使所述终端设备执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本专利技术各种示例性实施例的步骤。参考图6所示,描述了根据本专利技术的实施例的用于实现上述碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法的程序产品600,其可以采用便携式紧凑盘只读存储器(cd-rom)并包括程序代码,并可以在终端设备,例如个人电脑上运行。然而,本专利技术的程序产品不限于此,在本文件中,可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质,该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。所述程序产品可以采用一个或多个可读介质的任意组合。可读介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。可读存储介质例如可以为但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件,或者任意以上的组合。可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括:具有一个或多个导线的电连接、便携式盘、硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(eprom或闪存)、光纤、便携式紧凑盘只读存储器(cd-rom)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号,其中承载了可读程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式,包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。可读信号介质还可以是可读存储介质以外的任何可读介质,该可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输,包括但不限于无线、有线、光缆、rf等等,或者上述的任意合适的组合。可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本专利技术操作的程序代码,所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如java、c++等,还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“c”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。在涉及远程计算设备的情形中,远程计算设备可以通过任意种类的网络,包括局域网(lan)或广域网(wan),连接到用户计算设备,或者,可以连接到外部计算设备(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。此外,上述附图仅是根据本专利技术示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说明,而不是限制目的。易于理解,上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外,也易于理解,这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。通过以上的实施例的描述,本领域的技术人员易于理解,这里描述的示例实施例可以通过软件实现,也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此,根据本公开实施例的技术方案可以以软件产品的形式体现出来,该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是cd-rom,u盘,移动硬盘等)中或网络上,包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、触控终端、或者网络设备等)执行根据本公开实施例的方法。本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的专利技术后,将容易想到本专利技术的其它实施例。本专利技术旨在涵盖本专利技术的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法,其特征在于,所述从所述拉曼光谱数据中提取关键光谱特征数据,包括:

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法,其特征在于,所述关键光谱特征数据包括光谱峰值、光谱强度、波长偏移和谱线形状中的任意一种或者多种组合。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法,其特征在于,所述方法还包括:

5.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法,其特征在于,所述方法还包括:

6.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法,其特征在于,所述方法还包括:

7.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法,其特征在于,所述方法还包括:

8.一种碳化硅晶片的亚表面损伤检测装置,其特征在于,包括:

9.一种电子设备,其特征在于,包括:

10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7任一项所述的碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法。

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【技术特征摘要】

1.一种碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法,其特征在于,所述从所述拉曼光谱数据中提取关键光谱特征数据,包括:

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法,其特征在于,所述关键光谱特征数据包括光谱峰值、光谱强度、波长偏移和谱线形状中的任意一种或者多种组合。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法,其特征在于,所述方法还包括:

5.根据权利要求1所述的碳化硅晶片的亚表面损...

【专利技术属性】
技术研发人员:康强孔宪光常建涛王奇斌刘尧
申请(专利权)人:西安电子科技大学
类型:发明
国别省市:

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