【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光模块，尤其涉及一种基于外校准监测光功率的校准方法。
技术介绍
1、现有技术中，基于光模块的校准方式有两种：内校准、外校准；其中，内校准的校准范围分为大光、小光两种情况：大光只能到8.16dbm，小光只能到-40dbm，因此，内校准的校准范围存在局限，内校准的方式，没有办法满足大光模块，也无法满足接收灵敏度高的模块。基于此，行业内出现了外校准方式，但是根据外校准系数的不同，最终得出的阈值范围值也不同，这样增加了调试计算的算法与时间。
2、因此，有必要提供一种新的基于外校准监测光功率的校准方法解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术需要解决的技术问题是，如何提供一种通过提出基于外校准的内校准方法，所述方法与现有技术相比，能够实现更省时、运算成本更低的技术效果。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的基于外校准监测光功率的校准方法包括：
3、对模块内部根据输入光大小，电压转换的数值取整，获得原始ad值；获取预设的扩展范围，根据预设的扩展范围获得外校准系数；
4、根据外校准系数以及目标ad值相除的结果，获得计算值，对所述计算值进行取整计算，获得实际ad值；
5、将所述实际ad值除以所述原始ad值，获得内校准系数；
6、根据所述实际ad值、所述内校准系数、所述外校准系数，获得实际光值，将所述实际光值作为所述校准方法的结果。
7、作为本专利技术的进一步方案，基于外校准的内校准方法来校准
8、所述内校准是采用内部校准，且模数转换值被校准为标定值，模数转换值经过物理量变换和相应缩放，最后输出的数字标定值符合协议中规定的数值范围；
9、所述外校准是采用外部校准时，其存储的是未经处理的模数转换值，再基于监测软件通过读取存储单元a2h中38h～5fh地址内的校准常数，最后通过外部校准公式把模数转换值换算成实际值；
10、所述外部校准公式包括计算发射光功率top公式和计算接收光功率rop公式；
11、所述发射光功率top的计算公式具体如下：
12、发射光功率top＝发射斜率×发射ad(16bit无符号整数)+发射偏移；
13、所述接收光功率rop的计算公式具体如下：
14、接收光功率rop＝接收斜率×接收ad^4(16bit无符号整数)+接收斜率×接收ad^3(16bit无符号整数)+接收斜率×接收ad^2(16bit无符号整数)+接收斜率×接收ad(16bit无符号整数)+接收偏移。
15、作为本专利技术的进一步方案，所述发射光功率top的计算结果是以0.1w为单位，其产生的总范围为0-6.5mw。
16、作为本专利技术的进一步方案，所述接收光功率rop的计算结果是以0.1w为单位，其产生的总范围为0-6.5mw。
17、作为本专利技术的进一步方案，所述模数转换值是采样值，是基于模拟信号转化为数字信号显示出来的数值。
18、作为本专利技术的进一步方案，所述未经处理的模数转换值是通过mcu采样电压值得到的未处理的模数转换值。
19、作为本专利技术的进一步方案，所述mcu采用电压值得到的未处理的模数转换值是存放于驱动芯片采样寄存器中或mcu采样根据mcu map放到指定寄存器。
20、作为本专利技术的进一步方案，所述外校准赋予的固定值的外校准系数固定为0.1。
21、现有的光功率校准方法中，根据外校准系数的不同，最终得出的阈值范围值也不同，这样增加了调试计算的算法与时间；本申请方案与现有技术相比的优势在于，通过参数的统一，降低算法复杂度，不用每个模块都计算一次，从而实现更省时、运算成本更低的光功率校准方法。
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1.一种基于外校准监测光功率的校准方法，其特征在于，所述校准方法具体包括：
2.根据权利要求1所述的基于外校准监测光功率的校准方法，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的基于外校准监测光功率的校准方法，其特征在于，所述外部校准公式包括计算发射光功率TOP公式和计算接收光功率ROP公式；所述发射光功率TOP的计算公式具体如下：
4.根据权利要求3所述的基于外校准监测光功率的校准方法，其特征在于，所述基于监测软件通过读取存储单元的校准常数，最后通过外部校准公式获得实际值，包括：
5.根据权利要求4所述的基于外校准监测光功率的校准方法，其特征在于：所述发射光功率TOP的计算结果是以0.1w为单位，其产生的总范围为0-6.5mW。
6.根据权利要求5所述的基于外校准监测光功率的校准方法，其特征在于：所述接收光功率ROP的计算结果是以0.1w为单位，其产生的总范围为0-6.5mW。
7.根据权利要求6所述的基于外校准监测光功率的校准方法，其特征在于：所述模数转换值是采样值，是基于模拟信号转化为数字信号显示出来的数值
8.根据权利要求7所述的基于外校准监测光功率的校准方法，其特征在于：所述未经处理的模数转换值是通过MCU采样电压值得到的未处理的模数转换值。
9.根据权利要求8所述的基于外校准监测光功率的校准方法，其特征在于：所述MCU采用电压值得到的未处理的模数转换值是存放于驱动芯片采样寄存器中或MCU采样根据MCUMAP放到指定寄存器。
10.根据权利要求9所述的基于外校准监测光功率的校准方法，其特征在于：所述外校准赋予的固定值的外校准系数固定为0.1。
...【技术特征摘要】
1.一种基于外校准监测光功率的校准方法，其特征在于，所述校准方法具体包括：
2.根据权利要求1所述的基于外校准监测光功率的校准方法，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的基于外校准监测光功率的校准方法，其特征在于，所述外部校准公式包括计算发射光功率top公式和计算接收光功率rop公式；所述发射光功率top的计算公式具体如下：
4.根据权利要求3所述的基于外校准监测光功率的校准方法，其特征在于，所述基于监测软件通过读取存储单元的校准常数，最后通过外部校准公式获得实际值，包括：
5.根据权利要求4所述的基于外校准监测光功率的校准方法，其特征在于：所述发射光功率top的计算结果是以0.1w为单位，其产生的总范围为0-6.5mw。
6.根据权利要求5所述的基于外校准监测光功率...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏钊，王侃，艾胜良，杨波，王彦伟，
申请(专利权)人：深圳市欧深特信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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