用于增加基于应力的老化补偿精度的晶体管老化监测电路以及相关的方法技术

一种基于应力的老化监测电路，包括参考环形振荡器电路和应力环形振荡器电路，它们各自包括与待监测的电路中的晶体管类似的晶体管。应力环形振荡器电路中的晶体管接收负栅极源极电压偏置，同时保护参考环形振荡器免受应力影响。为了测量由基于应力的老化引起的性能退化，比较参考环形振荡器电路与应力环形振荡器电路的开关频率。参考环形振荡器和应力环形振荡器包括应力增强反相器电路，其被配置为放大基于应力的老化效应，以增加基于应力的老化导致的性能退化的灵敏度。增加的灵敏度提高了用于补偿性能退化的电源电压保护带调整的精度(例如，更高的分辨率)，以减少或避免对基于应力的老化的影响的过度补偿。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开的技术总体上涉及晶体管性能随时间的退化，并且更具体地，涉及监测和补偿金属氧化物半导体(mos)场效应晶体管(fet)(mosfet)中的老化影响。

技术介绍

1、金属氧化物半导体(mos)场效应晶体管(fet)(mosfet)是一种晶体管，通常用于集成电路(ic)中，具有多种不同的功能，包括处理器和控制逻辑以及存储器电路。随着时间的推移，诸如偏置温度不稳定(bti)和热载流子注入(hci)等现象会导致mosfet的性能退化(基于应力的老化)。bti和hci的影响是应力电压和温度的函数，并且还取决于器件应力的持续时间和时间比例。随着mosfet随着技术尺寸的缩小而变得越来越小，这些影响可能会造成严重的器件可靠性问题。mosfet基于应力老化的结果之一是阈值电压增加，特别是p型mosfet(pfets)，它们比n型mosfet(nfet)更容易受到这些老化效应的影响。增加阈值电压会增加mosfet的开关延迟，从而导致电路性能(即频率)随着时间的推移而退化。幸运的是，当检测到老化导致性能下降时，可以通过在电源电压上添加保护带来补偿ic的寿命结束时基于应力的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体管老化监测电路，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管老化监测电路，所述第一晶体管包括栅极，所述栅极被配置为耦合到所述接地电压轨以：

3.根据权利要求1所述的晶体管老化监测电路，还包括：

4.根据权利要求3所述的晶体管老化监测电路，还包括：

5.根据权利要求4所述的晶体管老化监测电路，还包括控制电路，所述控制电路被配置为在所述第一模式中生成：

6.根据权利要求5所述的晶体管老化监测电路，还包括，

7.根据权利要求6所述的晶体管老化监测电路，所述控制电路被配置为在所述第一模式中生成处于所述第一下拉状态的所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种晶体管老化监测电路，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管老化监测电路，所述第一晶体管包括栅极，所述栅极被配置为耦合到所述接地电压轨以：

3.根据权利要求1所述的晶体管老化监测电路，还包括：

4.根据权利要求3所述的晶体管老化监测电路，还包括：

5.根据权利要求4所述的晶体管老化监测电路，还包括控制电路，所述控制电路被配置为在所述第一模式中生成：

6.根据权利要求5所述的晶体管老化监测电路，还包括，

7.根据权利要求6所述的晶体管老化监测电路，所述控制电路被配置为在所述第一模式中生成处于所述第一下拉状态的所述第一下拉信号。

8.根据权利要求5所述的晶体管老化监测电路，其中所述控制电路还被配置为在第二模式中：

9....

【专利技术属性】
技术研发人员：A·高仕，J·帕克特，I·图勒特布，
申请(专利权)人：微软技术许可有限责任公司，
类型：发明
国别省市：