System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种气体电离室制造技术_技高网

一种气体电离室制造技术

技术编号:41237349 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-09 23:51
本申请实施例提供的一种气体电离室,包括壳体、阳极板、阴极板和窗组件。壳体呈圆柱状,且内部设置有容纳腔,壳体沿轴向的两端分别设置有入射口和出射口,入射口至出射口的方向为中子束入射方向。阳极板设置于容纳腔,且与粒子束入射方向垂直。阴极板设置于容纳腔,且与粒子束入射方向垂直。入射口和出射口的至少其中之一密封设置有窗组件,窗组件包括窗迈拉膜,窗迈拉膜与壳体密封配合,粒子束经窗迈拉膜进出容纳腔。本申请实施例提供的气体电离室,有效减少了粒子束进出容纳腔需要透过的结构材料,在粒子束线上进行测量时,减少了粒子束上物质的量,可有效降低中子及γ与束上物质作用产生的强干扰信号,从而提高气体电离室的能量分辨率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及放射性测量,尤其涉及一种气体电离室


技术介绍

1、一般白光中子源能量范围较宽,比如csns/back-n能量范围为0.2ev~200mev,因此,用一种探测器无法完成全能区的准确测量,需通过多种中子探测系统测量分能区测量。相关技术中,广泛用于1mev以下能区中子能谱测量的探测器主要有基于10b(n,α)和6li(n,t)两种反应的闪烁探测器,半导体探测器和电离室型探测器。6li玻璃闪烁探测器配快光电倍增管的时间特性适用于中子飞行时间法,但锂玻璃对γ射线探测效率很高,而对于高通量的白光中子源设置,比如csns-back n,质子打靶瞬间有很强的瞬间伴随gamma-flash,会引起光输出瞬间饱和。相关技术中,对于高通量白光中子源辐射场,如何实现对伴随gamma-flash影响的抑制,防止在高通量白光中子源辐射场下,由于质子打靶瞬间产生的很强的伴随gamma-flash在测量装置内引起饱和信号,即产生的强干扰信号,使得不能有效收集中子信号,出现能量测量范围截断的结果是一个难题。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请实施例期望提供一种气体电离室,能够降低干扰信号的产生,从而提高气体电离室的能量分辨率。

2、为达到上述目的,本申请的实施例提供了一种气体电离室,包括:

3、壳体,所述壳体呈圆柱状,且内部设置有容纳腔,所述壳体沿轴向的两端分别设置有入射口和出射口,所述入射口至所述出射口的方向为中子束入射方向;

4、阳极板,设置于所述容纳腔,且与粒子束入射方向垂直;

5、阴极板,设置于所述容纳腔,且与粒子束入射方向垂直;

6、窗组件,所述入射口和所述出射口的至少其中之一密封设置有所述窗组件,所述窗组件包括窗迈拉膜,所述窗迈拉膜与所述壳体密封配合,粒子束经所述窗迈拉膜进出所述容纳腔。

7、一些实施例中,所述窗迈拉膜的厚度为10μm-80μm。

8、一些实施例中,所述窗迈拉膜的厚度为20μm-60μm。

9、一些实施例中,所述窗组件还包括安装环,所述安装环与所述壳体连接,并将所述窗迈拉膜夹持在二者之间。

10、一些实施例中,所述窗迈拉膜的两侧设置有光滑的窗铝镀层,所述窗铝镀层的厚度为35nm-45nm。

11、一些实施例中,所述阳极板包括阳极迈拉膜,所述阳极迈拉膜的两侧设置有光滑的阳极铝镀层。

12、一些实施例中,所述阳极迈拉膜的厚度为6μm-23μm。

13、一些实施例中,所述阳极板包括两个阳极连接环,两个所述阳极连接环将所述阳极迈拉膜夹持在二者之间,且所述阳极连接环为pcb环。

14、一些实施例中,所述阴极板包括阴极迈拉膜,所述阴极迈拉膜的两侧设置有光滑的阴极铝镀层,且所述阴极铝镀层的外侧设置有靶。

15、一些实施例中,所述阴极迈拉膜的厚度为6μm-23μm。

16、一些实施例中,所述阴极板还包括两个阴极连接环,两个所述阴极连接环将所述阴极迈拉膜夹持在二者之间,且所述阴极连接环为pcb环。

17、一些实施例中,所述气体电离室还包括两个栅极板,所述阳极板的数量为两个,且分别设置于所述阴极板沿所述壳体的轴向的两端,两个所述栅极板分别设置于两个所述阳极板与所述阴极板之间。

18、一些实施例中,所述阳极板、所述阴极板、所述栅极板和所述窗迈拉膜均呈圆形。

19、一些实施例中,所述栅极板包括pcb板固定环以及与所述pcb板固定环连接的栅丝。

20、一些实施例中,所述气体电离室还包括连接件和多个套设于所述连接件的间隔件,所述阳极板、所述阴极板以及所述栅极板套设于所述连接件,所述阳极板、所述阴极板以及所述栅极板之间通过多个所述间隔件间隔设置。

21、本申请实施例提供的气体电离室,包括壳体、阳极板、阴极板和窗组件。壳体呈圆柱状,且内部设置有容纳腔,壳体沿轴向的两端分别设置有入射口和出射口,入射口至出射口的方向为中子束入射方向,也就是说,粒子束经入射口进入容纳腔,并从出射口流出容纳腔,粒子束入射方向与阳极板和阴极板均垂直。通过将窗组件设置为包括窗迈拉膜,窗迈拉膜与壳体密封配合,粒子束经窗迈拉膜进出容纳腔,如此,有效减少了粒子束进出容纳腔需要透过的结构材料,在粒子束线上进行测量时,减少了粒子束上物质的量,可有效降低中子及γ与束上物质作用产生的强干扰信号,从而提高气体电离室的能量分辨率。此外,窗迈拉膜具有比常用金属(比如铝、不锈钢等)更好的延展性,有利于实现光滑平整的镜面效果,能够进一步地降低干扰信号的产生。

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【技术保护点】

1.一种气体电离室,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的气体电离室,其特征在于,所述窗迈拉膜的厚度为10μm-80μm。

3.根据权利要求2所述的气体电离室,其特征在于,所述窗迈拉膜的厚度为20μm-60μm。

4.根据权利要求1所述的气体电离室,其特征在于,所述窗组件还包括安装环,所述安装环与所述壳体连接,并将所述窗迈拉膜夹持在二者之间。

5.根据权利要求1所述的气体电离室,其特征在于,所述窗迈拉膜的两侧设置有光滑的窗铝镀层,所述窗铝镀层的厚度为35nm-45nm。

6.根据权利要求1所述的气体电离室,其特征在于,所述阳极板包括阳极迈拉膜,所述阳极迈拉膜的两侧设置有光滑的阳极铝镀层。

7.根据权利要求6所述的气体电离室,其特征在于,所述阳极迈拉膜的厚度为6μm-23μm。

8.根据权利要求6所述的气体电离室,其特征在于,所述阳极板包括两个阳极连接环,两个所述阳极连接环将所述阳极迈拉膜夹持在二者之间,且所述阳极连接环为PCB环。

9.根据权利要求1所述的气体电离室,其特征在于,所述阴极板包括阴极迈拉膜,所述阴极迈拉膜的两侧设置有光滑的阴极铝镀层,且所述阴极铝镀层的外侧设置有靶。

10.根据权利要求9所述的气体电离室,其特征在于,所述阴极迈拉膜的厚度为6μm-23μm;和/或,所述阴极板还包括两个阴极连接环,两个所述阴极连接环将所述阴极迈拉膜夹持在二者之间,且所述阴极连接环为PCB环。

11.根据权利要求1所述的气体电离室,其特征在于,所述气体电离室还包括两个栅极板,所述阳极板的数量为两个,且分别设置于所述阴极板沿所述壳体的轴向的两端,两个所述栅极板分别设置于两个所述阳极板与所述阴极板之间。

12.根据权利要求11所述的气体电离室,其特征在于,所述阳极板、所述阴极板、所述栅极板和所述窗迈拉膜均呈圆形。

13.根据权利要求11所述的气体电离室,其特征在于,所述栅极板包括PCB板固定环以及与所述PCB板固定环连接的栅丝。

14.根据权利要求1所述的气体电离室,其特征在于,所述气体电离室还包括连接件和多个套设于所述连接件的间隔件,所述阳极板、所述阴极板以及所述栅极板套设于所述连接件,所述阳极板、所述阴极板以及所述栅极板之间通过多个所述间隔件间隔设置。

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【技术特征摘要】

1.一种气体电离室,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的气体电离室,其特征在于,所述窗迈拉膜的厚度为10μm-80μm。

3.根据权利要求2所述的气体电离室,其特征在于,所述窗迈拉膜的厚度为20μm-60μm。

4.根据权利要求1所述的气体电离室,其特征在于,所述窗组件还包括安装环,所述安装环与所述壳体连接,并将所述窗迈拉膜夹持在二者之间。

5.根据权利要求1所述的气体电离室,其特征在于,所述窗迈拉膜的两侧设置有光滑的窗铝镀层,所述窗铝镀层的厚度为35nm-45nm。

6.根据权利要求1所述的气体电离室,其特征在于,所述阳极板包括阳极迈拉膜,所述阳极迈拉膜的两侧设置有光滑的阳极铝镀层。

7.根据权利要求6所述的气体电离室,其特征在于,所述阳极迈拉膜的厚度为6μm-23μm。

8.根据权利要求6所述的气体电离室,其特征在于,所述阳极板包括两个阳极连接环,两个所述阳极连接环将所述阳极迈拉膜夹持在二者之间,且所述阳极连接环为pcb环。

9.根据权利要求1所述的气体电离室,其特征在于,所述阴极板包括阴极迈拉膜,...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘毅娜何逾洋刘蕴韬王志强李春娟徐新宇王红玉
申请(专利权)人:中国原子能科学研究院
类型:发明
国别省市:

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