直流-直流变换器和用于直流-直流变换器的控制器制造技术

本发明专利技术公开了直流－直流变换器和用于直流－直流变换器的控制器。本发明专利技术公开了一种用于防止直通电流导致理想二极管误操作的ＤＣ－ＤＣ变换器。用于接收输入电压的第一晶体管与理想二极管相连，该理想二极管包括第二晶体管和比较器，该比较器用于检测流经第二晶体管的电流并且产生检测信号。控制电路产生用于导通和关断所述第一晶体管的开关信号，以保持输出电压为恒值。脉冲发生电路产生脉冲信号用于在所述第一晶体管导通之前关断所述第二晶体管，并且在从所述第一晶体管导通之时起的一预定时间段内保持所述第二晶体管关断。错误操作防止电路产生控制信号，该控制信号用于从所述第二晶体管关断之时到所述第一晶体管导通之时保持所述第二晶体管关断。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及DC-DC变换器，尤其是涉及用于DC-DC变换器的控制器。
技术介绍
在现有技术中，诸如个人电脑之类的电子设备使用DC-DC变换器作 为电源。电子设备需要降低功耗。因此，DC-DC变换器需要降低功耗。在现有技术的一种开关型DC-DC变换器中，第一输出MOS晶体管被 导通以使能量从其输入端被供给到其输出端。第一 MOS晶体管被关断以 使聚积在电感器内的能量被释放。当释放能量时，整流二极管的正向电压 下降。结果，导致损失了聚积在电感器内的一部分能量。为了避免这种情况，DC-DC变换器包含取代该整流二极管的理想二 极管。理想二极管包括第二 MOS晶体管和比较器，所述比较器具有与第 二 MOS晶体管的源极和漏极相连的输入端和与第二 MOS晶体管的栅极相 连的输出端。比较器基于第二 MOS晶体管的源极和漏极之间的压降来检 测流经电感器的电流，并且基于检测结果来导通和关断第二 MOS晶体 管。当电流经由电感器从负载流向地时，第二 MOS晶体管响应于比较器 的输出信号而关断。这样就避免了在低负载的情况下DC-DC变换器效率 的降低。美国专利No.4,349,776、日本技术公开No本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直流－直流变换器（１００），包括：　第一晶体管（Ｔ１），该第一晶体管被提供以第一电压；　第二晶体管（Ｔ２），该第二晶体管与所述第一晶体管相连；　比较器，该比较器与所述第二晶体管相连，用于检测流经所述第二晶体管的电流；　 　第一控制电路（２），该第一控制电路与所述第一晶体管相连，并且产生用于导通和关断所述第一晶体管的第一控制信号（Ｓｃａ）以保持所述直流－直流变换器的输出电压；以及　第二控制电路，该第二控制电路根据所述比较器的输出关断所述第二晶体管， 并且产生第二控制信号（Ｓｅ），该第二控制信号（Ｓｅ）用于保持所述第二晶体管关断，直到所述第一...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川守仁，
申请(专利权)人：富士通微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]