【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于石墨烯测试，具体涉及一种精确测量氧化石墨烯层间距的方法。
技术介绍
1、氧化石墨烯作为石墨烯最为重要的衍生物之一，因其表面丰富的含氧官能团，在水中易分散无毒无污染易大批量制备等特点，被认为是极具应用前景的石墨烯前驱体和石墨烯基材料最常见的基本构筑单元，同时氧化石墨烯膜具有特殊的超薄片层结构，因而具有高流量、节能等优异的滤膜特征，是过滤离子、分子的理想滤膜，在海水淡化、气体分离、鲤电池和超级电容以及生物传感等领域具有广泛的应用前景，而氧化石墨烯的层间通道是由氧化石墨烯片层之间基团的相互作用叠加而形成的，层间距作为一个非常重要的性能参数，如氧化石墨烯在溶液中使用时，由于溶液的溶胀效应，氧化石墨烯膜的层间距难以缩小并固定，这极大影响了氧化石墨烯膜在水处理、离子/分子分离以及电池电容设计等的应用，因此，准确的测量层间距是实现氧化石墨烯作为膜材料使用的基础。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的上述问题，本专利技术的目的是解决氧化石墨烯层间距准确测量的迫切需求，提供一种准确测量氧化石墨烯层间距的方法，在晶体结构特点和上述
技术介绍
的基础上，提高测量结果准确性，真实反映氧化石墨烯层间距大小。
2、本专利技术的技术方案如下：
3、一种精确测量氧化石墨烯层间距的方法，包括步骤如下：
4、1)将一定比例的单晶硅粉(光谱纯)作为x射线衍射用的内标准物质，与氧化石墨烯粉末混合，将混匀后的试样装入带有凹槽的玻璃板内，并用玻璃板压平；
5、2)对混
6、3)通过内标法获得衍射角2θcj，通过布拉格公式，即可获得氧化石墨烯层间距。
7、在本专利技术，选用单晶硅粉粒径为5～45μm。
8、在本专利技术，选用氧化石墨烯和硅粉的质量比为1：(0.2～0.6)，测试前，将两种充分混合均匀。
9、在本专利技术，选用x射线衍射采用cuka辐射，工作电压为30～45kv，工作电流为15～30ma，扫描范围为5～30°，扫描速度为0.2°/min。
10、在本专利技术，通过下式获得氧化石墨烯的衍射角2θcj：
11、δsic-c＝2θsis-2θcs
12、其中，δsic-c-同一组硅的衍射线的衍射角的实测值与碳的衍射线的衍射角的实测值之差，
13、2θsis-硅衍射线的衍射角的实测值，
14、2θcs-氧化石墨烯衍射线的衍射角的实测值：
15、2θcj＝2θsib-δsic-c
16、其中，2θcj-氧化石墨烯衍射线的衍射角的校正值，
17、2θsib-硅衍射线的衍射角的校准值，取28.44°。
18、在本专利技术，通过公式计算获得氧化石墨烯的层间距离，其中λ＝0.1540593nm。
19、本专利技术取得了下述技术效果：
20、该精确测量氧化石墨烯层间距的方法采用上述步骤，可以避免因仪器系统误差、人员操作误差导致的衍射峰位的偏移，进而导致氧化石墨烯层间距测量存在很大的误差，本专利技术提供了一种精确的测量和计算理论，可获得准确的衍射角，保证了氧化石墨烯层间距测量值的准确度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种精确测量氧化石墨烯层间距的方法，其特征在于，包括步骤如下：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单晶硅粉粒径为5～45μm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，氧化石墨烯和硅粉的质量比为1：(0.2～0.6)，测试前，将两种充分混合均匀。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述X射线衍射采用CuKa辐射，工作电压为30～45kV，工作电流为15～30mA，扫描范围为5～30°，扫描速度为0.2°/min。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的衍射角2θCj通过下式获得：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的氧化石墨烯的层间距离其中λ＝0.1540593nm。
【技术特征摘要】
1.一种精确测量氧化石墨烯层间距的方法，其特征在于，包括步骤如下：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单晶硅粉粒径为5～45μm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，氧化石墨烯和硅粉的质量比为1：(0.2～0.6)，测试前，将两种充分混合均匀。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：邬小萍，刘淑凤，王书明，王梦圆，
申请(专利权)人：国标北京检验认证有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。