【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光器，具体涉及一种散热装置及半导体激光器。
技术介绍
1、半导体激光器在先进工业制造、军事、航空航天、医疗美容、照明显示等各个行业都有广泛的应用；随着工业生产的发展，对半导体激光器的功率及可靠性要求越来越高；为了提高输出功率。
2、半导体激光器在工作时会产生大量的热量影响设备运行，因此目前的半导体激光器对于散热性能有较高的要求。其中半导体激光器的激光芯片设置于热沉上，热沉设置于水冷板上，水冷板内设置微散热通道，通过水冷板和热沉对其上的激光芯片进行散热。然而，现有的微通道结构的散热效果不理想，影响半导体激光器的整体散热效率。
技术实现思路
1、（一）本专利技术所要解决的技术问题是：目前半导体激光器采用微通道散热，存在散热效果差，影响整体散热效率的问题。
2、（二）技术方案
3、为了解决上述技术问题，本专利技术一方面实施例提供了一种散热装置，用于半导体激光器的散热装置，所述散热装置包括热沉和水冷板，所述热沉设于所述水冷板上，所述半导体激光器包括激光芯片，所述激光芯片设于所述热沉上；
4、所述水冷板内设有第一散热通道和第二散热通道，所述第一散热通道对应设于所述激光芯片下侧，所述第一散热通道的左侧和/或右侧设有所述第二散热通道，且所述第二散热通道与所述第一散热通道间隔设置并相互独立。
5、根据本专利技术的一个实施例，所述第一散热通道内流通有第一散热介质，所述第二散热通道内流通有第二散热介质，所述第一散热介质的
6、根据本专利技术的一个实施例，所述激光芯片包括本体，所述本体的一侧表面具有脊波导结构，所述脊波导在竖直方向的投影落于所述第一散热通道内。
7、根据本专利技术的一个实施例，所述第一散热通道内对应所述脊波导位置的底部至所述第一散热通道顶部的高度为b1，所述第一散热通道对应所述脊波导两侧位置的底部至所述第一散热通道顶部的高度为b2，b1＞b2。
8、根据本专利技术的一个实施例，所述第一散热通道截面积为c1，所述第二散热通道的截面积为c2，所述水冷板的截面积为c3，则c3-（c1+c2）≥0.2*c3。
9、根据本专利技术的一个实施例，所述第一散热通道的截面形状呈拱形、等腰梯形或等腰三角形。
10、根据本专利技术的一个实施例，所述第一散热通道和所述第二散热通道的截面形状均呈等腰梯形；所述第一散热通道截面顶边宽度大于底边宽度，所述第二散热通道的顶边宽度小于底边宽度。
11、根据本专利技术的一个实施例，所述第一散热通道和所述第二散热通道的顶部均与所述热沉相接；
12、所述第一散热通道的高度为l1，所述第二散热通道的高度为l2，l1≥0.8*l2。
13、根据本专利技术的一个实施例，所述水冷板的高度为l3，5%≤l1:l3≤80%。
14、根据本专利技术的一个实施例，所述本体一侧表面包括第一区域和位于所述第一区域两侧的第二区域；
15、所述第一区域设置有向外凸出的脊条结构形成所述脊波导，所述脊波导与所述热沉之间设有第一焊接层，所述第二区域与所述热沉之间设有第二焊接层，所述第一焊接层的厚度小于所述第二焊接层的厚度。
16、本专利技术另一方面实施例提供了一种半导体激光器，包括上述任一实施例所述的散热装置。
17、本专利技术的有益效果：本专利技术提供的散热装置包括热沉和水冷板，所述半导体激光器包括激光芯片，所述热沉设于水冷板上，所述激光芯片安装于所述热沉上；
18、所述水冷板内设有第一散热通道和第二散热通道，所述第一散热通道对应所述激光芯片位置，因此激光芯片产生的热量能够直接与第一散热通道进行热交换，第一散热通道的热量可以通过水冷板向下传递，实现对于激光芯片的散热，提高对于激光芯片的散热效率；同时第一散热通道的热量可以通过水冷板传递至第二散热通道，第二散热通道内的热量，可以通过水冷板传递出去，能够进一步提升半导体激光器的散热效率。
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1.一种用于半导体激光器的散热装置，其特征在于，所述散热装置包括热沉和水冷板，所述热沉设于所述水冷板上，所述半导体激光器包括激光芯片，所述激光芯片设于所述热沉上；
2.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述第一散热通道内流通有第一散热介质，所述第二散热通道内流通有第二散热介质，所述第一散热介质的散热系数为K1，所述第二散热介质的散热系数为K2，K1＞K2。
3.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述激光芯片包括本体，所述本体一侧表面具有脊波导结构，所述脊波导在竖直方向的投影落于所述第一散热通道内。
4.根据权利要求3所述的散热装置，其特征在于，所述第一散热通道内对应所述脊波导位置的高度为B1，所述第一散热通道对应所述脊波导两侧位置的高度为B2，B1＞B2。
5.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述第一散热通道截面积为C1，所述第二散热通道的截面积为C2，所述水冷板的截面积为C3，则C3-（C1+C2）≥0.2*C3。
6.根据权利要求3所述的散热装置，其特征在于，所述第一散热通道的截面形状呈拱形
7.根据权利要求6所述的散热装置，其特征在于，所述第一散热通道和所述第二散热通道的截面形状均呈等腰梯形；所述第一散热通道截面顶边宽度大于底边宽度，所述第二散热通道的顶边宽度小于底边宽度。
8.根据权利要求7所述的散热装置，其特征在于，所述第一散热通道和所述第二散热通道的顶部均与所述热沉相接；
9.根据权利要求8所述的散热装置，其特征在于，所述水冷板的高度为L3，5%≤L1:L3≤80%。
10.根据权利要求3或6所述的散热装置，其特征在于，所述本体一侧表面包括第一区域和位于所述第一区域两侧的第二区域；
11.一种半导体激光器，其特征在于，包括如权利要求1至10任一项所述的散热装置。
...【技术特征摘要】
1.一种用于半导体激光器的散热装置，其特征在于，所述散热装置包括热沉和水冷板，所述热沉设于所述水冷板上，所述半导体激光器包括激光芯片，所述激光芯片设于所述热沉上；
2.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述第一散热通道内流通有第一散热介质，所述第二散热通道内流通有第二散热介质，所述第一散热介质的散热系数为k1，所述第二散热介质的散热系数为k2，k1＞k2。
3.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述激光芯片包括本体，所述本体一侧表面具有脊波导结构，所述脊波导在竖直方向的投影落于所述第一散热通道内。
4.根据权利要求3所述的散热装置，其特征在于，所述第一散热通道内对应所述脊波导位置的高度为b1，所述第一散热通道对应所述脊波导两侧位置的高度为b2，b1＞b2。
5.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述第一散热通道截面积为c1，所述第二散热通道的截面积为c...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵卫东，刘育衔，杨国文，
申请(专利权)人：度亘核芯光电技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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