【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及激光器和具有特定活性层寻址能力的垂直腔面发射激光器(vcsel)。
技术介绍
1、诸如垂直腔面发射激光器(vcsel)的垂直发射器件可以包括激光器、光发射器和/或类似物，其中光束在垂直于衬底表面的方向上发射(例如，从半导体晶片的表面垂直发射)。多个垂直发射器件可以布置在公共衬底上的一个或多个发射器阵列(例如，vcsel阵列)中。
技术实现思路
1、在一些实施方式中，垂直腔面发射激光器(vcsel)包括外延结构，其包括第一活性层、第二活性层和在二者之间的隧道结；和一组接触部，电连接到外延结构，其中，该组接触部包括三个或更多个接触部，其中，该组接触部在vcsel上彼此电分离，并且其中，该组接触部中的至少一个接触部在第一活性层和第二活性层之间的一深度处电连接到外延结构。
2、在一些实施方式中，vcsel阵列包括：外延结构，其包括第一活性层，第二活性层、在第一活性层和第二活性层之间的隧道结、以及在第二活性层上方的一个或多个约束层；至少第一vcsel和第二vcsel，被限定在外延结构中；和一组接触部，电连接到外延结构，以提供:仅流向第一vcsel的第一活性层和第二活性层中之一的电流，和流向第二vcsel的第一活性层和第二活性层二者的电流。
3、在一些实施方式中，光源包括：发射器阵列，其包括至少一个发射器，该至少一个发射器包括:外延结构，其包括第一活性层、第二活性层和在二者之间的隧道结；和一组接触部，其在外延结构中在不同深度处电连接到外延结构，其中该
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1.一种垂直腔面发射激光器，即VCSEL，包括:
2.根据权利要求1所述的VCSEL，其中，该组接触部中的每个接触部在一深度电连接到VCSEL，该深度不同于该组接触部中的每个其他接触部电连接到VCSEL时所处的另一深度。
3.根据权利要求1所述的VCSEL，其中被包括在该组接触部中的接触部的数量比活性层的数量多一个。
4.根据权利要求3所述的VCSEL，其中：
5.根据权利要求4所述的VCSEL，其中，第一对接触部可寻址以为VCSEL提供第一功率水平，第二对接触部可寻址以为VCSEL提供大于第一功率水平的第二功率水平，第三对接触部可寻址以为VCSEL提供大于第二功率水平的第三功率水平。
6.根据权利要求1所述的VCSEL，其中:
7.根据权利要求6所述的VCSEL，其中，该组接触部中的第三接触部在外延结构的顶表面与外延结构电连接。
8.根据权利要求7所述的VCSEL，其中，该组接触部中的第四接触部位于VCSEL的背侧，与VCSEL的衬底电接触。
9.根据权利要求1所述的VCSEL，其中
10.根据权利要求9所述的VCSEL，其中，所述间隙位于电绝缘层的横向部分。
11.根据权利要求10所述的VCSEL，其中，电绝缘层的横向部分位于与VCSEL相关的沟槽内。
12.一种垂直腔面发射激光器阵列，即VCSEL阵列，包括:
13.根据权利要求12所述的VCSEL阵列，其中，该组接触部中的每个接触部在一深度电连接到外延结构，该深度不同于该组接触部中的每个其他接触部电连接到外延结构时所处的深度。
14.根据权利要求12所述的VCSEL阵列，其中，被包括在该组接触部中的接触部的数量比活性层的数量多一个。
15.根据权利要求12所述的VCSEL阵列，其中:
16.根据权利要求15所述的VCSEL阵列，其中，第一对接触部可寻址以为第一VCSEL提供第一功率水平，且第二对接触部可寻址以为第二VCSEL提供第二功率水平。
17.根据权利要求12所述的VCSEL阵列，其中:
18.根据权利要求17所述的VCSEL阵列，其中，该组接触部中的第三接触部在外延结构的顶表面与外延结构电连接。
19.根据权利要求12所述的VCSEL阵列，其中，该组接触部中的至少三个接触部通过电绝缘层中的间隙与外延结构电连接。
20.根据权利要求19所述的VCSEL阵列，其中，所述间隙位于电绝缘层的横向部分，并且位于与VCSEL阵列相关的沟槽内。
...【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器，即vcsel，包括:
2.根据权利要求1所述的vcsel，其中，该组接触部中的每个接触部在一深度电连接到vcsel，该深度不同于该组接触部中的每个其他接触部电连接到vcsel时所处的另一深度。
3.根据权利要求1所述的vcsel，其中被包括在该组接触部中的接触部的数量比活性层的数量多一个。
4.根据权利要求3所述的vcsel，其中：
5.根据权利要求4所述的vcsel，其中，第一对接触部可寻址以为vcsel提供第一功率水平，第二对接触部可寻址以为vcsel提供大于第一功率水平的第二功率水平，第三对接触部可寻址以为vcsel提供大于第二功率水平的第三功率水平。
6.根据权利要求1所述的vcsel，其中:
7.根据权利要求6所述的vcsel，其中，该组接触部中的第三接触部在外延结构的顶表面与外延结构电连接。
8.根据权利要求7所述的vcsel，其中，该组接触部中的第四接触部位于vcsel的背侧，与vcsel的衬底电接触。
9.根据权利要求1所述的vcsel，其中，该组接触部中的至少三个接触部通过电绝缘层中的间隙与外延结构电连接。
10.根据权利要求9所述的vcsel，其中，所述间隙位于电绝缘层的横向部分。
【专利技术属性】
技术研发人员：B·克斯勒，
申请(专利权)人：朗美通经营有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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