【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式涉及在沉积工艺中使用的沉积源以及包括该沉积源的沉积设备。
技术介绍
1、作为用于在衬底上形成薄膜的方法，存在诸如真空沉积(蒸发)方案、离子镀方案或溅射方案的物理气相沉积(pvd)方案以及通过气体反应的化学气相沉积(cvd)方案。
2、被配置为执行真空沉积方案的沉积设备通常可以具有沉积源，沉积源包括：被配置为存储蒸发材料的坩埚、被配置为加热坩埚的加热器以及通过其排放蒸发材料的喷嘴。
3、作为这样的沉积源，存在具有在一方向上伸长的形状的线性沉积源。在大面积衬底上形成沉积膜中，线性沉积源可以是有用的。
技术实现思路
1、本公开的方面在于提供具有改进的沉积质量的沉积源。
2、本公开的另一方面在于提供包括沉积源的沉积设备。
3、然而，本公开的方面并不限于上述方面，并且可以在不背离本公开的精神和范围的情况下进行各种扩展。
4、根据实施方式，沉积源可以包括：第一坩埚；布置在第一坩埚内部的第二坩埚；布置在第一坩埚内部的块，块被布置在第二坩埚的至少一部分上；以及覆盖第一坩埚的顶表面的盖，盖被布置在块上。
5、根据实施方式，第二坩埚可以包括突出部分，第一坩埚可以包括安置部分，并且突出部分可以被安置在安置部分上。
6、根据实施方式，第二坩埚可以包括非金属材料。
7、根据实施方式，沉积源还可以包括布置在第一坩埚与第二坩埚之间的托盘(tray)。
8、根据实施方式，托盘可以被布置在第一
9、根据实施方式，托盘可以包括非金属材料。
10、根据实施方式，托盘和第二坩埚可以包括相同的材料。
11、根据实施方式，托盘可以耦接到第一坩埚。
12、根据实施方式，托盘可以使用螺栓耦接到第一坩埚。
13、根据实施方式，第一坩埚可以包括金属材料。
14、根据实施方式，块可以包括：第一块，以及与第一块间隔开的第二块。
15、根据实施方式，第一块和第二块可以彼此面对。
16、根据实施方式，沉积源还可以包括布置在盖与第一坩埚之间的密封垫圈。
17、根据实施方式，密封垫圈可以被布置在盖与块之间。
18、根据实施方式，第二坩埚可以将沉积材料存储在第二坩埚内部。
19、根据实施方式，沉积源还可以包括喷射沉积材料的喷嘴以及连接到第一坩埚和喷嘴的连接结构。连接结构可以将沉积材料传送到喷嘴。
20、根据实施方式，沉积源可以包括喷射沉积材料的喷嘴以及连接到喷嘴的坩埚。坩埚可以包括非金属材料。坩埚可以将沉积材料存储在坩埚的内部。
21、根据实施方式，坩埚的内部可以与沉积材料直接接触。
22、根据实施方式，沉积源还可以包括将喷嘴连接到坩埚的连接结构。
23、根据实施方式，沉积源还可以包括覆盖坩埚的顶表面的盖。
24、根据实施方式，沉积源还可以包括布置在盖与坩埚之间的密封垫圈。
25、根据实施方式，沉积设备可以包括：布置在处理室内部的衬底保持器，衬底保持器固定衬底；以及面对衬底保持器的沉积源。沉积源可以包括：第一坩埚；布置在第一坩埚内部的第二坩埚；布置在第一坩埚内部的块，块被布置在第二坩埚的至少一部分上；以及覆盖第一坩埚的顶表面的盖，盖被布置在块上。
26、根据实施方式，第二坩埚可以包括突出部分，第一坩埚可以包括安置部分，并且突出部分可以被安置在安置部分上。
27、根据实施方式，沉积源还可以包括布置在第一坩埚与第二坩埚之间的托盘。
28、根据实施方式，第二坩埚和托盘中的每个可以包括非金属材料。
29、根据实施方式，块可以包括第一块以及与第一块间隔开的第二块。
30、根据实施方式，第一块和第二块可以彼此面对。
31、根据本公开的实施方式的沉积源，沉积源可以包括突出部分、安置部分、托盘和块，使得能够防止第一坩埚内部的第二坩埚被沉积材料浮置。因此，能够防止第二坩埚的位置的变化，使得能够防止沉积材料的蒸发表面区域被改变，并且由于防止了第二坩埚的位置的变化，因此能够使对沉积材料的流动的干扰最小化。因此，能够提高沉积源的沉积质量。
32、能够防止沉积材料在第二坩埚的下部部分中结块和硬化，使得第二坩埚能够容易地从第一坩埚分离。因此，能够促进沉积源的维护和修复。
33、根据本公开的其它实施方式的沉积源，沉积源可以仅包括一个坩埚，使得能够防止由因为沉积材料导致的沉积源内部的附加坩埚的浮置引起的缺陷。因此，能够防止存储在坩埚内部的沉积材料的蒸发表面区域被改变，并且能够使由坩埚引起的对沉积材料的流动的干扰最小化。因此，能够提高沉积源的沉积质量。
34、沉积源可以仅包括一个坩埚，并且可以包括非金属材料，使得能够促进沉积材料的剥离。因此，能够促进沉积源的维护和修复。
35、然而，本公开的效果并不限于上述效果，并且可以在不背离本公开的精神和范围的情况下进行各种扩展。
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1.一种沉积源，包括：
2.根据权利要求1所述的沉积源，其中，
3.根据权利要求1所述的沉积源，还包括：
4.根据权利要求1所述的沉积源，还包括：
5.根据权利要求1所述的沉积源，其中，所述第二坩埚配置为将沉积材料存储在所述第二坩埚内部。
6.根据权利要求5所述的沉积源，还包括：
7.一种沉积源，包括：
8.根据权利要求7所述的沉积源，还包括：
9.根据权利要求7所述的沉积源，还包括：
10.根据权利要求9所述的沉积源，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种沉积源，包括：
2.根据权利要求1所述的沉积源，其中，
3.根据权利要求1所述的沉积源，还包括：
4.根据权利要求1所述的沉积源，还包括：
5.根据权利要求1所述的沉积源，其中，所述第二坩埚配置为将沉积材料存储在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔钟贤，徐敏逵，薛在完，尹引泽，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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