System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 二次电池制造技术_技高网

二次电池制造技术

技术编号:41202381 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-07 22:28
一种二次电池包括:电极组件,包括基板接线片,所述基板接线片包括第一基板区域和从所述第一基板区域弯曲以延伸的第二基板区域;以及集流板,布置在对应于所述电极组件的所述基板接线片的区域中,并且包括第一集流表面和与所述第一集流表面相反的第二集流表面,其中所述基板接线片的所述第一基板区域的一部分与所述集流板的所述第一集流表面接触,所述基板接线片的所述第二基板区域与所述集流板的所述第二集流表面接触,并且焊接区域位于所述基板接线片的所述第二基板区域和所述集流板的所述第二集流表面之间。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例的各方面涉及一种二次电池


技术介绍

1、与不能充电的一次电池不同,二次电池为能充电和放电的电池。低容量电池被用于便携式小型电子设备(诸如智能电话或数字照相机)中,并且其中数十至数百个电池组被连接的模组形式的大容量电池被广泛用作例如用于驱动混合动力车辆、电动车辆、无人机中的电机的电源或储能设备。

2、可再充电的二次电池包括其中隔膜介于正电极板和负电极板之间的电极组件、电连接到电极组件的集流板、电连接到集流板的端子、容纳电极组件和集流板的壳体、以及盖板,盖板密封壳体并且端子穿透盖板以联接到盖板。

3、电极组件和集流板通常可以通过激光焊接彼此电/机械连接。作为示例,在位于外部的集流板和电极组件的位于内部的基板接线片彼此接触的状态下,外部集流板和内部基板接线片彼此激光焊接。作为示例,集流板的内部区域通过从外部提供的激光束熔化,并且熔化区域(熔池)联接到基板接线片,从而集流板和基板接线片彼此电/机械连接(焊接)。

4、然而,在该制造工艺期间,需要通过激光束将熔池供应到集流板的内表面,基板接线片周围的隔膜可能由于熔池而损坏。当隔膜损坏时,正电极板和负电极板可能彼此电短路。

5、此外,由于该问题,在增加激光束的输出中存在限制,并且在提高焊接质量中存在限制。

6、另外,由于需要通过激光束熔化集流板的内表面,因此集流板的厚度应该小,相应地,难以提供大电流可以流过的厚集流板。

7、在该
技术介绍
部分中公开的以上信息被提供用于增强对本专利技术的
技术介绍
的理解,因此,其可能包含不构成现有技术的信息。


技术实现思路

1、根据本公开的实施例的方面,提供一种二次电池,其中集流板的平面形状具有形状或曲折形状,通过具有基板接线片-集流板-基板接线片的激光焊接结构,可以防止或基本上防止隔膜的损坏,可以加宽激光束的输出裕量,并且通过采用厚的集流板,可以实现高输出充电/放电和快速充电。

2、根据一个或多个实施例,一种二次电池包括:电极组件,包括基板接线片,所述基板接线片包括第一基板区域和从所述第一基板区域弯曲以延伸的第二基板区域;以及集流板,布置在对应于所述电极组件的所述基板接线片的区域中,并且包括第一集流表面和与所述第一集流表面相反的第二集流表面,其中所述基板接线片的所述第一基板区域的一部分与所述集流板的所述第一集流表面接触,所述基板接线片的第二基板区域与所述集流板的所述第二集流表面接触,并且焊接区域位于所述基板接线片的所述第二基板区域和所述集流板的所述第二集流表面之间。

3、在一个或多个实施例中,所述焊接区域可以由激光束提供。

4、在一个或多个实施例中,所述基板接线片的所述第一基板区域可以比所述基板接片的所述第二基板区域靠近所述电极组件。

5、在一个或多个实施例中,所述集流板的所述第一集流表面可以比所述集流板的所述第二集流表面靠近所述电极组件。

6、在一个或多个实施例中,所述基板接线片可以包括第一基板区段和第二基板区段,所述第一基板区段具有所述第一基板区域和所述第二基板区域,所述第二基板区段与所述第一基板区段间隔开并且具有所述第一基板区域和所述第二基板区域,所述第一基板区段和所述第二基板区段在相反的方向上弯曲。

7、在一个或多个实施例中,所述集流板可以被安置在所述基板接线片的所述第一基板区域上并且可以包括第一集流部和第二集流部,所述第一集流部安置在所述第一基板区段的所述第一基板区域上并且所述第一基板区段的所述第二基板区域焊接到所述第一集流部,所述第二集流部安置在所述第二基板区段的所述第一基板区域上并且所述第二基板区段的所述第二基板区域焊接到所述第二集流部。

8、在一个或多个实施例中,所述第一集流部和所述第二集流部可以在所述集流板的宽度方向上相对于彼此偏移。

9、在一个或多个实施例中,所述集流板可以具有包括曲折形状的平面形状。

10、在一个或多个实施例中,所述集流板可以进一步包括连接所述第一集流部和所述第二集流部的集流连接部。

11、在一个或多个实施例中,所述集流连接部可以在所述第一基板区段的所述第二基板区域和所述第二基板区段的所述第二基板区域之间暴露。

12、在一个或多个实施例中,所述集流板的所述第一集流部和所述集流板的所述第二集流部可以比所述集流连接部靠近所述电极组件。

13、在一个或多个实施例中,所述集流板可以进一步包括第一凹部和第二凹部,所述基板接线片的所述第一基板区段通过所述第一凹部穿过所述第一集流部的一侧,所述基板接片的所述第二基板区段通过所述第二凹部穿过所述第二集流部的一侧。

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【技术保护点】

1.一种二次电池,包括:

2.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述焊接区域由激光束提供。

3.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述基板接线片的所述第一基板区域比所述基板接片的所述第二基板区域靠近所述电极组件。

4.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述集流板的所述第一集流表面比所述集流板的所述第二集流表面靠近所述电极组件。

5.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述基板接线片包括第一基板区段和第二基板区段,所述第一基板区段包括所述第一基板区域和所述第二基板区域,所述第二基板区段与所述第一基板区段间隔开并且包括所述第一基板区域和所述第二基板区域,所述第一基板区段和所述第二基板区段在相反的方向上弯曲。

6.根据权利要求5所述的二次电池,其中所述集流板安置在所述基板接线片的所述第一基板区域上并且包括第一集流部和第二集流部,所述第一集流部安置在所述第一基板区段的所述第一基板区域上并且所述第一基板区段的所述第二基板区域焊接到所述第一集流部,所述第二集流部安置在所述第二基板区段的所述第一基板区域上并且所述第二基板区段的所述第二基板区域焊接到所述第二集流部。

7.根据权利要求6所述的二次电池,其中所述第一集流部和所述第二集流部在所述集流板的宽度方向上相对于彼此偏移。

8.根据权利要求6所述的二次电池,其中所述集流板具有包括曲折形状的平面形状。

9.根据权利要求6所述的二次电池,其中所述集流板进一步包括连接所述第一集流部和所述第二集流部的集流连接部。

10.根据权利要求9所述的二次电池,其中所述集流连接部在所述第一基板区段的所述第二基板区域和所述第二基板区段的所述第二基板区域之间暴露。

11.根据权利要求9所述的二次电池,其中所述集流板的所述第一集流部和所述集流板的所述第二集流部比所述集流连接部靠近所述电极组件。

12.根据权利要求9所述的二次电池,其中所述集流板进一步包括第一凹部和第二凹部,所述基板接线片的所述第一基板区段通过所述第一凹部穿过所述第一集流部的一侧,所述基板接片的所述第二基板区段通过所述第二凹部穿过所述第二集流部的一侧。

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【技术特征摘要】

1.一种二次电池,包括:

2.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述焊接区域由激光束提供。

3.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述基板接线片的所述第一基板区域比所述基板接片的所述第二基板区域靠近所述电极组件。

4.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述集流板的所述第一集流表面比所述集流板的所述第二集流表面靠近所述电极组件。

5.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述基板接线片包括第一基板区段和第二基板区段,所述第一基板区段包括所述第一基板区域和所述第二基板区域,所述第二基板区段与所述第一基板区段间隔开并且包括所述第一基板区域和所述第二基板区域,所述第一基板区段和所述第二基板区段在相反的方向上弯曲。

6.根据权利要求5所述的二次电池,其中所述集流板安置在所述基板接线片的所述第一基板区域上并且包括第一集流部和第二集流部,所述第一集流部安置在所述第一基板区段的所述第一基板区域上并且所述第一基板区段的所述第二基板区域焊接到所述第一集流部,所述第二集流部安置在所述第二基板区段的...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴镐林
申请(专利权)人:三星SDI株式会社
类型:发明
国别省市:

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