支撑件和清洁设备制造技术

本发明专利技术提出一种支撑件和清洁设备。支撑件包括一环状基座以及配置在环状基座上的三个或更多个垂直延伸元件。每个垂直延伸元件包括在径向上延伸远离环状基座的中心的一搁架。垂直延伸元件均匀地绕环状基座配置。从搁架的顶面到垂直延伸元件的最高表面的距离与从环状基座的顶面到垂直延伸元件的最高表面的距离的比值介于0.05至0.5。搁架沿着径向延伸的长度与从环状基座的顶面到垂直延伸元件的最高表面的距离的比值介于0.05至0.8。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种清洁设备。更具体地来说，本技术尤其涉及一种避免污染物粒子脱落的清洁设备。

技术介绍

1、在半导体装置制造操作中，使半导体装置制造工具保持清洁以及限制工具内部的污染是相当重要的。工具内部的污染可能会落在要生产的半导体装置上。这种落下的粒子可阻挡或妨碍随后的光刻(photolithographic)、蚀刻(etching)以及沉积(deposition)操作，导致图案缺陷。举例而言，在沉积操作(例如氮化硅层的原子层沉积(atomic layerdeposition,ald))中使用的石英管型炉(quartz tube furnace)可能会在石英的表面上形成氮化硅的涂层和其他的反应副产物。氮化硅的粒子和其他的反应副产物在熔炉操作期间或工件转移期间可能会从石英炉侧壁脱落且污染要生产的装置工件。由污染物粒子形成的缺陷直接影响了晶片允收测试(wafer acceptance testing,wat)的结果且减少了装置的良率和效能。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提出一种支撑件和清洁设备，以解决上述至少一个问题。

2、本公开的一实施例为一支撑件，包括一环状基座以及配置在环状基座上的三个或更多个垂直延伸元件。每个垂直延伸元件包括在径向上延伸远离环状基座的中心的一搁架。垂直延伸元件均匀地绕环状基座配置。从搁架的顶面到垂直延伸元件的最高表面的距离与从环状基座的顶面到垂直延伸元件的最高表面的距离的比值介于0.05至0.5。搁架沿着径向延伸的长度与从环状基座的顶面到垂直延伸元件的最高表面的距离的比值介于0.05至0.8。

3、根据本公开其中的一个实施方式，该搁架沿着该径向延伸的长度与从该搁架的该顶面到该垂直延伸元件的该最高表面的距离的比值介于0.4至6。

4、根据本公开其中的一个实施方式，该环状基座的外径与该环状基座的内径的比值介于1.2至2.3。

5、根据本公开其中的一个实施方式，从该环状基座的该顶面到该垂直延伸元件的该最高表面的距离与该环状基座的外径的比值介于0.4至1.5。

6、根据本公开其中的一个实施方式，该垂直延伸元件在该环状基座的宽度与该垂直延伸元件在该垂直延伸元件的该搁架之上的一上部分的宽度的比值介于1至7.5。

7、本公开的另一实施例为一清洁设备，包括一包壳和配置在包壳内的一支撑结构。支撑结构包括一环状基座和配置在环状基座上的三个或更多个垂直延伸元件。每个垂直延伸元件包括在径向上延伸远离环状基座的中心的一搁架。垂直延伸元件均匀地绕环状基座配置。从搁架的顶面到垂直延伸元件的最高表面的距离与从环状基座的顶面到垂直延伸元件的最高表面的距离的比值介于0.05至0.5，且搁架沿着径向延伸的长度与从环状基座的顶面到垂直延伸元件的最高表面的距离的比值介于0.05至0.8。一清洁流体入口管线是配置来接附清洁设备中要被清洁的元件并提供清洁流体至清洁设备中要被清洁的元件。

8、根据本公开其中的一个实施方式，还包括位于该包壳的一基座的一清洁流体出口管线。

9、根据本公开其中的一个实施方式，还包括在该包壳的一基座中的一清洁流体排水口。

10、根据本公开其中的一个实施方式，该环状基座的外径与该环状基座的内径的比值介于1.2至2.3。

11、根据本公开其中的一个实施方式，从该环状基座的该顶面到该垂直延伸元件的该最高表面的距离与该环状基座的外径的比值介于0.6至1.2。

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【技术保护点】

1.一种支撑件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的支撑件，其特征在于，该搁架沿着该径向延伸的长度与从该搁架的该顶面到该垂直延伸元件的该最高表面的距离的比值介于0.4至6。

3.如权利要求1所述的支撑件，其特征在于，该环状基座的外径与该环状基座的内径的比值介于1.2至2.3。

4.如权利要求1所述的支撑件，其特征在于，从该环状基座的该顶面到该垂直延伸元件的该最高表面的距离与该环状基座的外径的比值介于0.4至1.5。

5.如权利要求1所述的支撑件，其特征在于，该垂直延伸元件在该环状基座的宽度与该垂直延伸元件在该垂直延伸元件的该搁架之上的一上部分的宽度的比值介于1至7.5。

6.一种清洁设备，其特征在于，包括：

7.如权利要求6所述的清洁设备，其特征在于，还包括位于该包壳的一基座的一清洁流体出口管线。

8.如权利要求6所述的清洁设备，其特征在于，还包括在该包壳的一基座中的一清洁流体排水口。

9.如权利要求6所述的清洁设备，其特征在于，该环状基座的外径与该环状基座的内径的比值介于1.2至2.3。

10.如权利要求6所述的清洁设备，其特征在于，从该环状基座的该顶面到该垂直延伸元件的该最高表面的距离与该环状基座的外径的比值介于0.6至1.2。

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【技术特征摘要】

1.一种支撑件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的支撑件，其特征在于，该搁架沿着该径向延伸的长度与从该搁架的该顶面到该垂直延伸元件的该最高表面的距离的比值介于0.4至6。

3.如权利要求1所述的支撑件，其特征在于，该环状基座的外径与该环状基座的内径的比值介于1.2至2.3。

4.如权利要求1所述的支撑件，其特征在于，从该环状基座的该顶面到该垂直延伸元件的该最高表面的距离与该环状基座的外径的比值介于0.4至1.5。

5.如权利要求1所述的支撑件，其特征在于，该垂直延伸元件在该环状基座的宽度与该垂直延伸元件在该垂直延伸元件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：何宜臻，廖志评，廖克勋，林季勋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：