【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工工艺领域，尤其涉及一种清洗组合物。
技术介绍
1、在半导体加工工艺中，铜由于其低电阻和容易加工而成为先进半导体的互联器首选材料。用铜的器件加工成形需要化学沉积和化学机械抛光(cmp)。因为在cmp器件产生的抛光的铜表面被确定为互联器性能的最重要因素之一，所以cmp后清洗必须有效去除由抛光过程产生的任何残余物。因此，cmp浆液和cmp后清洗剂在很多情况下包括一种或多种缓蚀剂，选择所述缓蚀剂以在铜互联器表面上形成临时保护层。然而，如果在清洁处理之后有机膜保留在铜互联器表面上，则此类膜的存在可妨碍后续步骤，例如化学气相沉积(cvd)，并妨碍铜互联器的最终性能。本专利技术提供了一种cmp后的清洗组合物，可有效去除cmp后晶片表面残留物。且不会腐蚀铜互联器和low-k材料。操作窗口大，在半导体cmp后清洗中具有广泛的应用前景。
技术实现思路
1、为了克服清洗组合物无法同时有效去除晶片表面残留物，以及铜互联器及低k材料具有较好防腐蚀的技术效果的技术问题，本专利技术提供一种清洗组合物，包括碱性化合物，醇胺，缓蚀剂，螯合剂和溶剂。
2、优选的，所述碱性化合物选自氢氧化钾，氢氧化钠，四甲基氢氧化铵，四乙基氢氧化铵，四丙基氢氧化铵，氢氧化胆碱，氢氧化铵，苄基三乙基氢氧化铵(bteah)，(2-羟乙基)三甲基氢氧化铵，(2-羟乙基)三乙基氢氧化铵，(2-羟乙基)三丙基氢氧化铵，(1-羟丙基)三甲基氢氧化铵，乙基三甲基氢氧化铵，二乙基二甲基氢氧化铵(dedmah)，二甲
3、优选的，所述碱性化合物的含量为0.05wt％-35wt％。
4、优选的，所述碱性化合物的含量为0.5wt％-30wt％。
5、优选的，所述醇胺选自乙醇胺，二乙醇胺，三乙醇胺，二甘醇胺，异丙醇胺，羟乙基乙二胺，n-甲基乙醇胺，n,n-二甲基乙醇胺，n-甲基二乙醇胺，n,n,n’-三甲基-n’-(2-羟乙基)乙二胺中的一种或多种。
6、优选的，所述醇胺的含量为0.05wt％-35wt％。
7、优选的，所述醇胺的含量为0.5wt％-30wt％。
8、优选的，所述缓蚀剂选自二羟丙茶碱，5-氨基咪唑-4-甲酰胺，巴比妥酸，3-甲基(三氮杂烯基)咪唑-4甲酰胺，腺嘌呤，腺苷，黄嘌呤，次黄嘌呤，鸟嘌呤，鸟苷，5-苯基四氮唑，抗坏血酸，5-苄硫基四氮唑，5-巯基-1-苯基-1h-四唑，5-苄基-1h-四唑，3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑，5-氨基-4-甲酰胺咪唑，5-氨基-1,2,4-三氮唑，3-氨基-1,2,4-三氮唑，3-巯基-1,2,4-三氮唑，甲巯四氮唑中的一种或多种。
9、优选的，所述缓蚀剂的含量为0.005wt％-15wt％。
10、优选的，所述缓蚀剂的含量为0.05wt％-10wt％。
11、优选的，所述螯合剂选自酒石酸铵，酒石酸，醋酸铵，醋酸，亚氨基二乙酸，edta，1,2-环己二胺四乙酸，草酸，乙醇酸，苹果酸，丙二酸，甘油酸，甜菜碱，没食子酸，邻苯二甲酸中的一种或多种。
12、优选的，所述螯合剂的含量为0.005wt％-15wt％。
13、优选的，所述螯合剂的含量为0.05wt％-10wt％。
14、优选的，所述溶剂为水。
15、优选的，所述碱性化合物的ph值为9至13.5。
16、本专利技术的积极进步效果在于：可有效去除cmp后晶片表面残留物。且不会腐蚀铜互联器和low-k材料。操作窗口大，在半导体cmp后清洗中具有广泛的应用前景。
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1.一种用于具有铜互联器的半导体器件的碱性CMP后清洗组合物，其特征在于，
2.如权利要求1所述的清洗组合物，其特征在于，
3.如权利要求1所述的清洗组合物，其特征在于，
4.如权利要求3所述的清洗组合物，其特征在于，
5.如权利要求1所述的清洗组合物，其特征在于，
6.如权利要求1所述的清洗组合物，其特征在于，
7.如权利要求6所述的清洗组合物，其特征在于，
8.如权利要求1所述的清洗组合物，其特征在于，
9.如权利要求1所述的清洗组合物，其特征在于，
10.如权利要求9所述的清洗组合物，其特征在于，
11.如权利要求1所述的清洗组合物，其特征在于，
12.如权利要求1所述的清洗组合物，其特征在于，
13.如权利要求12所述的清洗组合物，其特征在于，
14.如权利要求1所述的清洗组合物，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种用于具有铜互联器的半导体器件的碱性cmp后清洗组合物，其特征在于，
2.如权利要求1所述的清洗组合物，其特征在于，
3.如权利要求1所述的清洗组合物，其特征在于，
4.如权利要求3所述的清洗组合物，其特征在于，
5.如权利要求1所述的清洗组合物，其特征在于，
6.如权利要求1所述的清洗组合物，其特征在于，
7.如权利要求6所述的清洗组合物，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张维棚，刘兵，赵鹏，彭洪修，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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