【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术属于有机锡化学领域。特定来说，其涉及制备某些含氟锡化合物的工艺，所述化合物可用于含锡膜的气相沉积。
技术介绍
1、已显示某些有机锡化合物可用于在微电子装置的制造中沉积高度纯氧化锡(ii)。特别受关注的为具有烷氨基及烷基的组合的有机锡化合物，其可用作将含锡膜沉积到微电子装置衬底上的液体前体。
2、另外，已显示某些有机金属化合物可用作在如用于制造微电子装置的极端紫外(euv)微影蚀刻技术的应用中沉积高纯度金属氧化物膜的前体。在此工艺中，使用某些有机金属前体结合相对反应物，以形成聚合的有机金属膜。然后在表面上形成图案，使用euv光的图案化光束将涉及膜暴露的可euv图案化膜暴露，接着将所产生的微电子装置表面暴露于环境空气中后暴露烘烤。此使用图案化的euv光的处理留下表面的一些暴露部分及一些未暴露部分，因此由于两个区域的不同物理及化学差异，使能进一步操作及图案化。参见，例如，美国专利公开案2021/0013034。
3、因此，存在对开发可用于此干法(光)阻工艺的前体组合物及相对反应物对的需求以及对用于高度纯氧化锡膜的沉积的改进方法的需求。
技术实现思路
1、总的来说，本专利技术提供某些氟化烷基锡化合物，可认为其可用于将含锡膜气相沉积到微电子装置衬底表面上。在一个方面，本专利技术提供一种式(i)化合物：
2、
3、其中y为下式的基团
4、
5、其中r独立地选自h、c1-c8烷基、c2-c8烯基、c2-c8炔基、芳
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1.一种式(I)化合物，
2.根据权利要求1所述的化合物，其中Y为下式的基团
3.根据权利要求1所述的化合物，其中Y为下式的基团
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的化合物，其中n为2。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的化合物，其中R选自C1-C3烷基。
6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的化合物，其中R选自甲基、乙基及异丙基。
7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的化合物，其中R1选自氢、甲基或乙基。
8.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的化合物，其中R选自甲基、乙基及异丙基，且其中R1选自氢、甲基或乙基。
9.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的化合物，其中R为甲基且R1为甲基。
10.一种选自式(II)化合物及(III)化合物的化合物，
11.根据权利要求10所述的化合物，其中R为甲基。
12.根据权利要求10或11中任一权利要求所述的化合物，其中R1是氢或C1-C8烷基。
13.一种在反应区中将含锡
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述前体组合物包含至少一种选自式(I)的化合物，其中Y为下式的基团
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述前体组合物包含至少一种选自式(I)的化合物，其中Y为下式的基团
16.根据权利要求13到15中任一权利要求所述的方法，其中R为甲基。
17.根据权利要求13或16中任一权利要求所述的方法，其中R1为氢或C1-C8烷基。
18.一种在反应区中将EUV可图案化膜沉积到微电子装置表面上的方法，所述方法包括在气相沉积条件下将前体组合物引入所述反应区中，所述前体组合物包含选自以下的反应物：
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述前体组合物包含至少一种选自式(I)的化合物，且其中Y为下式的基团
20.根据权利要求18所述的方法，其中所述前体组合物包含至少一种选自式(I)的化合物，且其中Y为下式的基团
21.根据权利要求18到20中任一权利要求所述的方法，其中R为甲基。
22.根据权利要求18或21中任一权利要求所述的方法，其中R1为氢或C1-C8烷基。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种式(i)化合物，
2.根据权利要求1所述的化合物，其中y为下式的基团
3.根据权利要求1所述的化合物，其中y为下式的基团
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的化合物，其中n为2。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的化合物，其中r选自c1-c3烷基。
6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的化合物，其中r选自甲基、乙基及异丙基。
7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的化合物，其中r1选自氢、甲基或乙基。
8.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的化合物，其中r选自甲基、乙基及异丙基，且其中r1选自氢、甲基或乙基。
9.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的化合物，其中r为甲基且r1为甲基。
10.一种选自式(ii)化合物及(iii)化合物的化合物，
11.根据权利要求10所述的化合物，其中r为甲基。
12.根据权利要求10或11中任一权利要求所述的化合物，其中r1是氢或c1-c8烷基。
13.一种在反应区中将含锡膜沉积到微电子装置表面上的方法，所述方法包括在气相沉积条件下将前体组合物引入所述反应...
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