System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种弹载机电引信探测系统技术方案_技高网

一种弹载机电引信探测系统技术方案

技术编号:41193111 阅读:6 留言:0更新日期:2024-05-07 22:22
本发明专利技术公开了一种弹载机电引信探测系统,包括上端盖,传爆管,隔爆组件,金属屏蔽腔体,主控驱动电路和升压起爆电路,其中上端盖和金属屏蔽腔体使用的是45号钢与坡莫合金复合屏蔽结构,腔体内部放置电路板,电路板与外部制导系统通过J30j连接器实现通讯。与现有结构相比,本发明专利技术使用45号钢与坡莫合金复合屏蔽结构能够大大削弱外部辐射场的辐射干扰,提高抗电磁干扰能力。设计了主控驱动电路与升压起爆电路用于接受外部探测信号并完成升压起爆过程,为爆炸箔起爆提供了稳定的起爆能量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于引信探测与发火装置领域,特别是一种弹载机电引信探测系统


技术介绍

1、在现代战场,弹载机电系统可能会面临复杂的战场背景电磁环境,强烈的人工干扰电磁环境以及导弹本身电子系统存在的内部电磁环境。

2、战场电磁环境具有多元性、动态性、对抗想、不确定性、随机性等特点,呈现出明显的复杂性,是一个复杂系统。战场电磁环境具有复杂性这个最本质特征是很多因素交织构成的,包括电磁信号产生的谐波分量、指数级增加的辐射源数量以及随之增加的电磁信号密度,还有不断延伸的使用波段、急剧增加的信号功率、敌我双方“制电磁权”的激烈争夺。

3、在实际的电子安全系统机电引信的设计中,往往过于注重引信的功能性设计,而对其电磁兼容性不够重视,或者仅重视来自外部的强电磁干扰,而忽视由于全电子引信结构的特殊性引起的可能出现的内部严重的电磁干扰,从而造成具体的武器系统在测试过程中出现的电子安全与解除保险系统的失灵,从而导致提前引爆或瞎火,降低了武器的命中率。因此,对电子安全系统机电引信设计屏蔽外壳强化抗电磁干扰能力,对于强化武器系统的安全性和可靠性有着非常重要的作用。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种弹载机电引信探测系统,既能够满足导弹发射的需要,实现接收与处理探测信号,完成升压起爆,又能屏蔽外界强电磁辐射干扰,使电路在发射后能够正常工作。

2、实现本专利技术目的的技术解决方案为:

3、一种弹载机电引信探测系统,包括金属屏蔽腔体、设置在金属屏蔽腔体上的上端盖、传爆管,设置在金属屏蔽腔体内的主控驱动电路和升压起爆电路;

4、所述主控驱动电路用于处理探测信号并发出起爆信号,并提供初级升压电压;

5、所述升压起爆电路,用于将初级升压电压进一步升压,并为电容充电;当接收到起爆信号后,电容放电,通过传爆管引爆爆炸箔。

6、本专利技术与现有技术相比,其显著优点是:

7、(1)设计了一种驱动电路能够根据探测信号准确控制导弹的引爆。

8、(2)设计了一种15v升1400v起爆电路,为爆炸箔起爆提供了稳定的起爆能量,高电压的实现使电路能够更有效的工作。

9、(3)设计了一种由45号钢与坡莫合金材料复合使用的金属屏蔽腔体,能够有效屏蔽外界强电磁场的辐射干扰。

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【技术保护点】

1.一种弹载机电引信探测系统,其特征在于,包括金属屏蔽腔体、设置在金属屏蔽腔体上的上端盖、传爆管,设置在金属屏蔽腔体内的主控驱动电路和升压起爆电路;

2.根据权利要求1所述的弹载机电引信探测系统,其特征在于,所述主控驱动电路包括传感器U3,电感L1,单片机U5,第一电阻R1,第四电阻R4,第五电阻R5,第六电阻R6,第八电阻R8,第十电阻R10,第十一电阻R11,第十六电阻R16,第十八电阻R18,第一三极管Q1,第二三极管Q2,第五三极管Q5,第一接线口P1,第三三极管Q3与第四三极管Q4,升压芯片U6,第三电容C3,第十电容C10,第十四电容;

3.根据权利要求1所述弹载机电引信探测系统,其特征在于,所述升压起爆电路包括第二接线口P2,第三接线口P3,高压变换器U1,驱动芯片U4,第二电容C2,高压开关T1,第二电阻R2,第三电阻R3,第七电阻R7,第九电阻R9;

4.根据权利要求3所述弹载机电引信探测系统,其特征在于,所述高压开关采用MCT开关。

5.根据权利要求1所述弹载机电引信探测系统,其特征在于,所述金属屏蔽腔体采用45号合金和坡莫合金复合制备。

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【技术特征摘要】

1.一种弹载机电引信探测系统,其特征在于,包括金属屏蔽腔体、设置在金属屏蔽腔体上的上端盖、传爆管,设置在金属屏蔽腔体内的主控驱动电路和升压起爆电路;

2.根据权利要求1所述的弹载机电引信探测系统,其特征在于,所述主控驱动电路包括传感器u3,电感l1,单片机u5,第一电阻r1,第四电阻r4,第五电阻r5,第六电阻r6,第八电阻r8,第十电阻r10,第十一电阻r11,第十六电阻r16,第十八电阻r18,第一三极管q1,第二三极管q2,第五三极管q5,第一接线口p1,第三三极管q3与第四三极管q4,...

【专利技术属性】
技术研发人员:张祥金孟展鹏李万银沈娜查继鹏郭竞杰华抟胡皓东
申请(专利权)人:南京理工大学
类型:发明
国别省市:

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