玻璃块及其制造方法和半导体制造装置用部件制造方法及图纸

本发明专利技术提供耐等离子体性和透明性优异的玻璃块。本发明专利技术的玻璃块含有Mg和Ca中的至少任一者与Si，以摩尔％计，B2O3为49.0％以下，P2O5为11.5％以下，a(＝SiO2+B2O3+P2O5+GeO2)为10.0～59.5％，a+Al2O3为66.5％以下，Ga2O3为7.0％以下，b(＝Al2O3+Ga2O3+In2O3)/a为0.44以下，R2O为20.0％以上(R2：碱土金属)，MgO为50.0％以下，MgO≥BaO，CaO≥BaO，SrO≥BaO，MgO≥SrO，CaO≥SrO，R12O为1.2％以下(R1：碱金属)，TiO2或者ZrO2为4.8％以下，MnO2为9.5％以下，ZnO为11.8％以下，Ta2O5/SiO2为0.067以下，杂质元素为15.0％以下，F/O为0.20以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及玻璃块及其制造方法和半导体制造装置用部件。

技术介绍

1、半导体制造装置中使用的部件在半导体制造装置的运行中经常暴露于等离子体中而逐渐磨损。逐渐磨损的部件将被更换成新品。

2、近年来，随着利用半导体制造装置制造的制品的高层化和复杂化，部件所暴露的等离子体环境越来越恶劣，这种情况下，需要更换部件的情况频繁发生。

3、但是，在部件的更换中，无法运行半导体制造装置无法运行。因此，如果部件的更换频率增加，则制品的生产效率下降。

4、因此，对半导体制造装置中使用的部件要求更长的寿命。即，要求良好的耐等离子体性。

5、作为半导体制造装置，例如，可举出等离子体蚀刻装置。

6、在等离子体蚀刻装置中搭载顶板(导体型)、微波导入管、顶针(lift pin)、各种喷嘴、边缘环、静电吸盘、喷淋板和腔室内传感器的保护罩等部件。

7、作为这些部件，以往使用堇青石质烧结体等材料(参照专利文献1)。

8、现有技术文献

9、专利文献

10、专利文献1：日本特开平9-29本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种玻璃块，含有镁和钙中的至少任一者与硅，

2.根据权利要求1所述的玻璃块，其中，SiO2的含量为17.0摩尔％以上。

3.根据权利要求1所述的玻璃块，其中，SiO2的含量为59.5摩尔％以下。

4.根据权利要求1所述的玻璃块，其中，Al2O3的含量为27.5摩尔％以下。

5.根据权利要求1所述的玻璃块，其中，MgO和CaO的含量的合计为20.0摩尔％以上。

6.根据权利要求1所述的玻璃块，其中，MgO和CaO的含量的合计为69.0摩尔％以下。

7.根据权利要求1所述的玻璃块，其中，CaO的含量为20.0摩尔％～...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种玻璃块，含有镁和钙中的至少任一者与硅，

2.根据权利要求1所述的玻璃块，其中，sio2的含量为17.0摩尔％以上。

3.根据权利要求1所述的玻璃块，其中，sio2的含量为59.5摩尔％以下。

4.根据权利要求1所述的玻璃块，其中，al2o3的含量为27.5摩尔％以下。

5.根据权利要求1所述的玻璃块，其中，mgo和cao的含量的合计为20.0摩尔％以上。

6.根据权利要求1所述的玻璃块，其中，mgo和cao的含量的合计为69.0摩尔％以下。

7.根据权利要求1所述的玻璃块，其中，cao的含量为20.0摩尔％～69.0摩尔％。

8.根据权利要求1所述的玻璃块，其中，bao的含量为30.0摩尔％以下。

9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：金原一树，稻叶诚二，小川修平，
申请(专利权)人：AGC株式会社，
类型：发明
国别省市：