【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于具有载体箔的超薄铜箔、及使用其制造的嵌入式基材，且具体而言，关于对嵌入式迹线基材(ets)技术提供具有低粗糙度的极佳平滑超薄铜箔的具有载体箔的超薄铜箔。
技术介绍
1、用于嵌入式基材的具有载体箔的熟知超薄铜箔一般具有结构，该结构具有形成在载体箔上的离型层及超薄铜箔。
2、图1是显示嵌入式基材的通过使用具有载体箔的熟知超薄铜箔的制造程序的图式。
3、参考图1，在嵌入式基材透过熟知嵌入式迹线基材(ets，embedded tracesubstrate)技术使用具有载体箔的超薄铜箔的制造中，使用具有形成在基材10上的离型层20及超薄铜箔30的结构可能在金属图案40的形成期间由于表面粗糙度不足而产生不期望的凸块45。预制体(ppg，prepreg)50经形成，且可进一步在其上形成不同的金属图案60。在形成金属图案40及预制体50之后移除基材10及离型层20的程序中，离型层20需足够地被蚀刻以消除缺陷组件(诸如团块45)，但精细蚀刻控制是不容易的，且金属图案40形成在预制体50内部，从而引起凹槽深度90的缺陷，这导致电路金属图案中的解连或短路。
4、韩国专利申请案第10-2009-0081909号(申请日：2009年9月1日)、韩国专利申请案第10-2020-7001958号(申请日：2018年10月18日)、及类似者可称为相关的先前技术。
技术实现思路
1、要解决的技术问题
2、因此，已衍生本专利技术以解决上述问题，且本专利技
3、本专利技术的另一个实施方案提供用于制造嵌入式基材的方法，其中嵌入式基材的制造是止于移除ni蚀刻停止层的释离程序，且精确地执行蚀刻停止层的蚀刻，从而引起金属图案表面与诸如预制体的绝缘层之间无凹槽深度，且提供具有低粗糙度的极佳平滑表面作为离型表面。
4、技术方案
5、根据本专利技术的态样，所提供的是一种具有载体箔的超薄铜箔，其包括：载体箔；非蚀刻离型层，其在该载体箔上；第一超薄铜箔层，其在该非蚀刻离型层上；蚀刻停止层，其在该第一超薄铜箔层上；及第二超薄铜箔层，其在该蚀刻停止层上。
6、该蚀刻停止层可具有1.5μm或更小、或0.5μm或更小的平均粗糙度rz。
7、该第二超薄铜箔层可具有1.5μm或更小、或0.6μm或更小的平均粗糙度rz。
8、该蚀刻停止层可以是镍或镍合金层。
9、该第一超薄铜箔层可具有5μm或更小的厚度，该蚀刻停止层可具有1μm或更小的厚度，且该第二超薄铜箔层可具有5μm或更小的厚度。
10、该蚀刻停止层对于该第二超薄铜箔层的蚀刻剂可以是惰性的。
11、该非蚀刻离型层可含有无机金属或有机材料。
12、该非蚀刻离型层可由合金及至少一种金属组成，该合金含有具有可释离性的第一金属，该至少一种金属有助于促进该第一金属的电镀。该非蚀刻离型层可进一步包括抗扩散层或抗氧化层，其含有选自由下列所组成的群组的至少一种元素：镍(ni)、钴(co)、铁(fe)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、铝(al)、及磷(p)。
13、根据本专利技术的的一个实施方案，提供的是一种用于制造嵌入式基材的方法，该方法包括：作为其中非蚀刻离型层、第一超薄铜箔层、蚀刻停止层、及第二超薄铜箔层是依序层压在载体箔上的结构，来形成该结构的该第二超薄铜箔层上的第一金属图案；蚀刻该第二超薄铜箔层暴露于该等第一金属图案之间的部分；在该等第一金属图案上形成第一介电质层；自具有该第一介电质层形成于其上的该结构移除该非蚀刻离型层及该载体箔；蚀刻以移除通过移除该非蚀刻离型层及该载体箔而暴露的该第一超薄铜箔层；蚀刻以移除在移除该第一超薄铜箔层的后暴露的该蚀刻停止层。
14、在该第一超薄铜箔层的该移除中，可使用对于该第一超薄铜箔层具有高蚀刻选择性的蚀刻剂。
15、在该蚀刻停止层的该移除中，可使用对于该蚀刻停止层具有高蚀刻选择性的蚀刻剂。
16、有益效果
17、根据具有载体箔的超薄铜箔、及用于通过使用其制造嵌入式基材的方法，可提供具有载体箔的超薄铜箔包括介于两个超薄铜箔层之间的选择性可蚀刻ni蚀刻停止层，且因此晶种超薄铜箔层可提供作为低粗糙度晶种超薄铜箔层，以在嵌入式基材的制造程序中抑制结块。因此，在嵌入式基材的制造中，由于就作为铜箔的需求特性(诸如剥离强度、耐热性剥离强度、耐化学性、及可蚀刻性)而言的总体优势，可提供非常适合作为微电路板的铜箔的具有载体箔的超薄铜箔。
18、此外，根据本专利技术的具有载体箔的超薄铜箔、及用于通过使用其制造嵌入式基材的方法，嵌入式基材的制造是止于移除ni蚀刻停止层的释离程序，且精确地执行蚀刻停止层的蚀刻，从而引起金属图案表面与诸如预制体的绝缘层之间无凹槽深度，且提供具有低粗糙度的极佳平滑表面作为离型表面。因此，可消除电路金属图案中的缺陷的原因(诸如，解连或短路)，且因此电路的形成是极佳的。
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1.一种具有载体箔的超薄铜箔，其包含：
2.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述蚀刻停止层具有1.5μm或更小的平均粗糙度Rz。
3.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述蚀刻停止层具有0.5μm或更小的平均粗糙度Rz。
4.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述第二超薄铜箔层具有1.5μm或更小的平均粗糙度Rz。
5.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述第二超薄铜箔层具有0.6μm或更小的平均粗糙度Rz。
6.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述蚀刻停止层是镍层或镍合金层。
7.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述第一超薄铜箔层具有5μm或更小的厚度，
8.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述蚀刻停止层对于所述第二超薄铜箔层的蚀刻剂是惰性的。
9.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述非蚀刻离型层含有无机金属或有机材
10.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述非蚀刻离型层由合金及至少一种金属组成，所述合金含有具有可释离性的第一金属，所述至少一种金属有助于促进所述第一金属的电镀。
11.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述非蚀刻离型层进一步包含抗扩散层或抗氧化层，所述抗扩散层或所述抗氧化层含有选自由下列所组成的群组的至少一种元素：镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、铝(Al)、及磷(P)。
12.一种用于制造嵌入式基材的方法，所述方法包含：
13.根据权利要求12所述的用于制造嵌入式基材的方法，其特征在于，在所述第一超薄铜箔层的所述移除中，使用对于所述第一超薄铜箔层具有高蚀刻选择性的蚀刻剂。
14.根据权利要求12所述的用于制造嵌入式基材的方法，其特征在于，在所述蚀刻停止层的所述移除中，使用对于所述蚀刻停止层具有高蚀刻选择性的蚀刻剂。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种具有载体箔的超薄铜箔，其包含：
2.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述蚀刻停止层具有1.5μm或更小的平均粗糙度rz。
3.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述蚀刻停止层具有0.5μm或更小的平均粗糙度rz。
4.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述第二超薄铜箔层具有1.5μm或更小的平均粗糙度rz。
5.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述第二超薄铜箔层具有0.6μm或更小的平均粗糙度rz。
6.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述蚀刻停止层是镍层或镍合金层。
7.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述第一超薄铜箔层具有5μm或更小的厚度，
8.根据权利要求1所述的具有载体箔的超薄铜箔，其特征在于，所述蚀刻停止层对于所述第二超薄铜箔层的蚀刻剂是惰性的。
9.根据权利要求1所述的具有载体箔...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁畅烈，范元辰，金亨哲，宋基德，
申请(专利权)人：乐天能源材料公司，
类型：发明
国别省市：
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