晶体管和具有该晶体管的显示装置制造方法及图纸

公开了一种晶体管和具有该晶体管的显示装置。该晶体管可以包括：第一绝缘层，设置在基底上；虚设层，设置在第一绝缘层上；半导体层，设置在虚设层上，半导体层包括第一区、第二区和设置在第一区与第二区之间的沟道区；第二绝缘层，设置在半导体层上；栅电极，与沟道区叠置并且第二绝缘层置于栅电极与沟道区之间；第三绝缘层，设置在栅电极之上；第一电极，设置在第三绝缘层上，第一电极电连接到第一区；以及第二电极，设置在第三绝缘层上，与第一电极分隔开，第二电极电连接到第二区。虚设层可以包括氧化铟，并且半导体层可以包括氧化铟镓锌。

【技术实现步骤摘要】

公开涉及一种薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法和具有该薄膜晶体管的显示装置。

技术介绍

1、随着对信息显示的兴趣的增加，不断地进行显示装置的研究和开发。

技术实现思路

1、实施例提供了一种具有改善的元件特性的晶体管和具有该晶体管的显示装置。

2、实施例还提供了一种上述晶体管的制造方法。

3、根据公开的方面，提供了一种晶体管，该晶体管可以包括：第一绝缘层，设置在基底上；虚设层，设置在第一绝缘层上；半导体层，设置在虚设层上，半导体层包括第一区、第二区和设置在第一区与第二区之间的沟道区；第二绝缘层，设置在半导体层上；栅电极，与沟道区叠置并且第二绝缘层置于栅电极与沟道区之间；第三绝缘层，设置在栅电极之上；第一电极，设置在第三绝缘层上，第一电极电连接到第一区；以及第二电极，设置在第三绝缘层上，与第一电极分隔开，第二电极电连接到第二区。虚设层可以包括氧化铟，并且半导体层可以包括氧化铟镓锌。

4、半导体层可以包括在基底的厚度方向上彼此面对的后表面和顶表面。虚设层可以设置在半导体层的后表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体管，所述晶体管包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述虚设层的宽度和所述半导体层的宽度相同。

4.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述虚设层具有小于10nm的厚度。

5.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括氧化硅。

6.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的每个具有7.28×1020atom/cm3或更小的氢含量以及7.25×1019atom/cm3或更小的氧含量。

7.根据权利要求6所述的晶...

【技术特征摘要】

1.一种晶体管，所述晶体管包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，

3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述虚设层的宽度和所述半导体层的宽度相同。

4.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述虚设层具有小于10nm的厚度。

5.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括氧化硅。

6.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的每个具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：李顺雨，韩在范，金宝花，金玟志，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：