【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
专利技术涉及一种量测方法和装置，所述方法和装置可以例如被用于确定衬底上结构的特性。
技术介绍
1、光刻设备是一种被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(ic)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
2、为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小大小。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外(euv)辐射(具有在4nm至20nm范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可以被用于在衬底上形成与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻设备相比更小的特征。
3、低k1光刻可以用于处理具有小于光刻设备的经典分辨率极限的尺寸的特征。在这种过程中，分辨率公式可以表示为cd＝k1×λ/na，其中λ是所采用的辐射波长，na是光刻设备中的投影光学器件的数值孔径，c...
【技术保护点】
1.一种量测方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述执行至少一个非等晕校正操作包括执行以下各项中的一项或两项：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一类非等晕像差包括能够由所述场空间中的变形校正的所述非等晕像差，并且所述第二类非等晕像差包括能够由所述光瞳空间中的变形校正的所述非等晕像差。
4.根据权利要求2或3所述的方法，包括：仅执行所述场非等晕校正操作以仅校正所述第一类非等晕像差的影响，或仅执行所述光瞳非等晕校正操作以仅校正所述第二类非等晕像差的影响。
5.根据权利要求2或3所述的方法，包括：校正所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种量测方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述执行至少一个非等晕校正操作包括执行以下各项中的一项或两项：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一类非等晕像差包括能够由所述场空间中的变形校正的所述非等晕像差，并且所述第二类非等晕像差包括能够由所述光瞳空间中的变形校正的所述非等晕像差。
4.根据权利要求2或3所述的方法，包括：仅执行所述场非等晕校正操作以仅校正所述第一类非等晕像差的影响，或仅执行所述光瞳非等晕校正操作以仅校正所述第二类非等晕像差的影响。
5.根据权利要求2或3所述的方法，包括：校正所述第一类非等晕像差的真子集和所述第二类非等晕像差的真子集。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，通过将所述非等晕像差的描述近似因式分解为场坐标的第一纯量函数和光瞳坐标的第二纯量函数来确定所述真子集。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其中，所述第一图像包括复合场表示，并且所述方法包括：
8.根据权利要求5或6所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·E·A·科伦，W·M·J·M·柯恩，A·P·康宁贝格，T·W·图克尔，A·J·登鲍埃夫，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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