NAND Flash中块的处理方法、装置、设备、介质制造方法及图纸

本申请提供一种NAND Flash中块的处理方法、装置、设备、介质，应用于半导体存储技术领域，NAND Flash中块的处理方法，包括：步骤1：根据NANDFlash中每个块的错误比特数量，对每个块进行标记；步骤2：根据标记结果对每个块进行处理。在NANDFlash的寿命初期根据每个块的错误比特数量对每个快进行标记，并根据标记结果对每个块进行处理，可以在寿命初期标记出错误比特数量异常的块，并对标记出的块进行处理，可以避免错误比特数量较多时，固件的纠错机制失效的风险，增加数据的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体存储，具体涉及一种nand flash中块的处理方法、装置、设备、介质。

技术介绍

1、固态硬盘(solid state drive，ssd)内部是有多片nandflash(非易失性闪存)组成。ssd具有抗震性强、读写速度快等优良特性，目前已经广泛应用于大规模数据中心、个人电脑和移动存储设备等领域。

2、ssd的一个重要过程就是开卡，一块ssd相当于是一个计算机系统，它有独立的中央处理器(central processing unit，cpu)、内存、只读存储器(read-only memory，rom)和i/o端口(i/o port)。

3、ssd进行开卡时，开卡工具会发送一个命令，让主控去读取nandflash颗粒。一般开卡时固件(firmware，fw)会扫描nandflash中的所有块(block)，记录各个块的错误比特数量(fail bit count，fbc)；部分早期fbc较高的块可能会随着擦写次数(programerasecycle，pe)变大fbc急剧增加，存在不可纠正的纠错码(uncorrecta本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种NANDFlash中块的处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的NANDFlash中块的处理方法，其特征在于，所述步骤1，包括：

3.根据权利要求2所述的NANDFlash中块的处理方法，其特征在于，所述步骤11，包括：

4.根据权利要求2所述的NANDFlash中块的处理方法，其特征在于，所述步骤2，包括：

5.根据权利要求4所述的NANDFlash中块的处理方法，其特征在于，所述步骤22，包括：

6.根据权利要求5所述的NANDFlash中块的处理方法，其特征在于，所述步骤22，还包括：

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【技术特征摘要】

1.一种nandflash中块的处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的nandflash中块的处理方法，其特征在于，所述步骤1，包括：

3.根据权利要求2所述的nandflash中块的处理方法，其特征在于，所述步骤11，包括：

4.根据权利要求2所述的nandflash中块的处理方法，其特征在于，所述步骤2，包括：

5.根据权利要求4所述的nandflash中块的处理方法，其特征在于，所述步骤22，包括：

6.根据权利要求5所述的nandflash中块的处理方法，其特征在于，所述步骤22，还包括：

7.根据权利要求5所述的nandf...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔维镇，陶伟，
申请(专利权)人：上海江波龙数字技术有限公司，
类型：发明
国别省市：