一种Pd@Pt/In2O3纳米材料及氢气传感器制造技术

一种Pd@Pt/In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;纳米材料及氢气传感器，属于半导体气敏材料技术领域。本发明专利技术以硝酸铟作为铟源，氨水为沉淀剂，采用水浴法得到氧化铟纳米颗粒；分别以氯化钯和六水合氯铂酸作为钯源和铂源，使用抗坏血酸作为还原剂，使用浸渍法将已制得的氧化铟负载Pd和Pt贵金属，将Pd@Pt/In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;涂覆在陶瓷基片上得到氢敏元件。通过负载Pd和Pt双贵金属增加In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;纳米颗粒的活性位点，双贵金属的协同和氢气还原增加了氧空位、形成异质结进而提升了Pd@Pt/In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;纳米材料的氢敏性能。本发明专利技术的可实现200℃下超快速（1s）低检测限（400ppb）和高选择性氢气检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种pd@pt/in2o3纳米材料及氢气传感器，属于半导体气敏材料。

技术介绍

1、氢(h2)作为零碳排放、可持续、清洁高效的二次能源载体，是一种可再生的清洁能源载体，可以解决化石燃料减少、空气污染和全球变暖等问题。就可再生能源和清洁能源而言，氢(h2)具有最大的利用潜力，可以防止与传统燃料来源相关的有害空气污染问题。然而，h2是无色、无味、易燃、易爆的气体，即使浓度很高，人的眼睛和鼻子也无法检测到。h2的点火能低，扩散系数高，爆炸极限宽，一旦发生意外泄漏，可能会导致灾难性的后果。

2、在各种氢气检测方法中，金属氧化物半导体(mos)气体传感器因其成本低、传感性能稳定、易于制造等优点而成为一种很有前途的氢气检测技术。但是现有的mos半导体式传感器存在响应速度慢、检测下限高、工作温度高的弊端。如何改进mos基传感器以上弊端进而降低功耗检测低浓度氢气具有重要意义。因此，研究一种检测下限低、响应速度快的mos型h2传感器可以扩大h2的应用范围并且可以关键精确而快速地测量应用于氢安全生产的实时监控和防泄露报警技术。p>

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【技术保护点】

1.一种Pd@Pt/In2O3纳米材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种Pd@Pt/In2O3纳米材料的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中水浴反应的条件为：反应温度60~70℃，反应1~2h；

3.根据权利要求1所述的一种Pd@Pt/In2O3纳米材料的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中反应条件为在20~25℃反应20~24h。

4.根据权利要求1所述的一种Pd@Pt/In2O3纳米材料的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中离心洗涤为离心转速为10000r/min，时间为5-10min，洗涤次数3-6次...

【技术特征摘要】

1.一种pd@pt/in2o3纳米材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种pd@pt/in2o3纳米材料的制备方法，其特征在于：所述步骤s1中水浴反应的条件为：反应温度60~70℃，反应1~2h；

3.根据权利要求1所述的一种pd@pt/in2o3纳米材料的制备方法，其特征在于：所述步骤s2中反应条件为在20~25℃反应20~24h。

4.根据权利要求1所述的一种pd@pt/in2o3纳米材料的制备方法，其特征在于：所述步骤s2中离心...

【专利技术属性】
技术研发人员：高伟，祝瑶，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：