【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置以及电力变换装置。
技术介绍
1、以往，作为开关器件，具有将mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor)与igbt(insulated gate bipolar transistor)并联连接，通过单一的驱动信号对它们进行控制的半导体装置(例如参照专利文献1)。
2、专利文献1：日本特开2013-125806号公报
3、在专利文献1所记载的技术中，igbt和mosfet都形成为长方形状，该长方形状在俯视观察时具有沿第1方向延伸的短边、沿与第1方向正交的方向的长边。对mosfet以及igbt的驱动进行控制的栅极控制电路(相当于控制ic)、igbt和mosfet依次沿与第1方向正交的方向配置。因此，特别地使在远离栅极控制电路的位置配置的mosfet的栅极焊盘与栅极控制电路之间的距离变长，将它们连接的栅极导线的配线长度变长，从而会引起各种问题。
技术实现思路
1、在此，本专利技术的...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，
6.一种半导体装置，其具有：
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，
8.一种电力变换装置，其具有：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
【专利技术属性】
技术研发人员：杉町诚也，冲和史，井上兴宣，川原一浩，山口公辅，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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