玉米芯结构遗态陶瓷基复合材料的制备方法技术

技术编号:4112503 阅读:446 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开的一种玉米芯结构遗态陶瓷基复合材料的制备方法,制备玉米芯结构模板或玉米芯结构/前驱体复合模板,将玉米芯结构模板或玉米芯结构/前驱体复合模板在真空或惰性气体保护气氛下,以3-20℃/min的升温速率升温至500-2000℃,保温1-10h,冷却,得到遗态碳模板或遗态陶瓷复合材料,浸渍前驱体溶液或前驱体溶胶后,在真空或惰性气体保护气氛下,以3-20℃/min升温至1300-2000℃,保温1-10h,经真空碳热还原反应,得到玉米芯结构遗态陶瓷基复合材料;或将遗态碳模板在真空或惰性气体保护下,液相渗硅或气相渗硅,得到玉米芯结构遗态陶瓷基复合材料。本发明专利技术方法制备得到的复合材料,质轻、消振、吸音、耐高温、抗氧化、减摩耐磨、承载、传感性好,具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种玉米芯结构遗态陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1:制备玉米芯结构模板或玉米芯结构/前驱体复合模板,制备玉米芯结构模板具体按照以下步骤实施:取玉米芯,浸渍热固性树脂后,热压固化或常温固化,得到玉米芯结构模板;制备玉米芯结构/前驱体复合模板具体按照以下步骤实施:取玉米芯,采用溶胶凝胶法,浸渍前驱体溶液或前驱体溶胶,后经干燥浸渍处理,形成玉米芯组织结构/前驱体浸渍剂复合体,将玉米芯结构/前驱体浸渍剂复合体浸渍热固性树脂后,热压或常温固化,得到玉米芯结构/前驱体复合模板;步骤2:将步骤1制备的玉米芯结构模板置于真空热压炉中,在真空或惰性气体保护气氛下,以3-20℃/min的升温速率升温至500-1800℃,保温1-10h,冷却,得到遗态碳模板;或,将步骤1制备的玉米芯结构/前驱体复合模板置于真空热压炉中,在真空或惰性气体保护气氛下,以3-20℃/min的升温速率升温至500-1800℃,保温1-10h,冷却,得到遗态陶瓷复合材料;步骤3:将步骤2制备的遗态碳模板或遗态陶瓷复合材料浸渍前驱体溶液或前驱体溶胶后,置于真空热压炉中,在真空或惰性气体保护气氛下,经真空碳热还原反应,得到玉米芯结构遗态陶瓷基复合材料;或,将步骤2制备的遗态碳模板在真空或惰性气体保护下,液相渗硅或气相渗硅,得到玉米芯结构遗态陶瓷基复合材料。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨敏鸽王俊勃贺辛亥付翀申明乾姜凤阳王琼
申请(专利权)人:西安工程大学
类型:发明
国别省市:87[中国|西安]

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