一种全光控制光开关制造技术

本发明专利技术涉及光电子器件的一种全光控制光开关，用于解决现有光无源器件在全光高速网络光分叉复用系统和光交叉互连系统响应速度不够，或室温下不能正常工作的问题。本发明专利技术包括位于底座平台上的多量子点层布拉格结构半导体光学元件、控制光光纤准直器、起偏器、信号光光纤准直器和检偏器，多量子点层光学元件由衬底上外延生长的Ｎ个布拉格结构复合层构成，每个复合层均由量子点层和垒层组成。本发明专利技术可实现超快开关动作，开关对比度较大，插入损耗较小，饱和泵浦功率低，开关响应波长在光通讯波段，具有室温响应特性，性能可靠，工作寿命长，可应用于光分叉复用系统和光交叉互连系统，直接在光层实现巨大流量信号的传输与路由。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电子器件，具体涉及一种全光控制光开关，应用于光分叉复用 (0ADM)系统和光交叉互连(OXC)系统，解决超高速全光网络的全光开关控制以及光开关切 换等问题。
技术介绍
目前，按照不同开关原理，光开关可以分为机械光开关、微机电系统(MEMS)光开 关、热光开关、液晶光开关等。这些光开关的开关速率最高处于ms量级。其中，微机电系统 (MEMS)光开关由于集成度高，损耗小，串扰低及高消光比等优点，被广泛的应用于各种骨干 网与大型交换网的解决方案中。但是按照下一代网络光分组交换的标准，这种开关无法实 现其开关时间达到ns量级的要求，而通信网络的全光处理进程势在必行，这是通信承载业 务的多样性与数据量的海量性决定的。网络的IP化与光分组交换就对传统的光网络节点 处的交换单元提出了挑战。同时，光波分复用、时分复用技术的引入，Tbit/s量级的通信容 量都对交换时间在ms量级的传统光开关有了新的要求。研究新的工作机理以提高交换速 率的全光开关成为相关领域研究的热点问题。 近年来，一维光子晶体(1DPC)结构下的全光开关得到了广泛的研究，尤其集中 在以量子阱为有源区的一维光子晶体。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全光控制光开关，包括位于底座平台上的核心半导体光学元件、控制光光纤准直器、起偏器、信号光光纤准直器和检偏器；其特征在于，所述的核心半导体光学元件为多量子点层光学元件，所述多量子点层光学元件包括衬底、衬底上外延生长的量子点层和垒层，所述量子点层和垒层相互连续排列，相邻的单个量子点层和垒层的厚度之和为一个布拉格周期厚度；所述量子点层和垒层的总厚度满足使得入射信号光经过所述多量子点层光学元件在通讯波段形成高反射率光谱带。

【技术特征摘要】
一种全光控制光开关，包括位于底座平台上的核心半导体光学元件、控制光光纤准直器、起偏器、信号光光纤准直器和检偏器；其特征在于，所述的核心半导体光学元件为多量子点层光学元件，所述多量子点层光学元件包括衬底、衬底上外延生长的量子点层和垒层，所述量子点层和垒层相互连续排列，相邻的单个量子点层和垒层的厚度之和为一个布拉格周期厚度；所述量子点层和垒层的总厚度满足使得入射信号光经过所述多量子点层光学元件在通讯波段形成高反射率光谱带。2. 如权利要求l的一种全光控制光开关，其特征在于，所述起偏器和所述控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，肖昆辉，胡志强，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]