【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种堆叠晶体管的互连方法、堆叠晶体管及半导体器件。
技术介绍
1、在摩尔定律不断深化的当下，继续推进晶体管尺寸微缩是当前业界研发的热点问题。堆叠晶体管通过将两层或多层晶体管在垂直空间内集成，实现进一步提升晶体管集成密度，成为延续集成电路尺寸微缩的重要技术之一。
2、在一些制备堆叠晶体管(stacked transistor)的方案中，在形成上下两层晶体管的直连结构时，往往需要避开上下两层晶体管中的沟道结构和源漏结构的位置，致使形成直连结构过程中需占有更多的空间，增大标准堆叠晶体管单元的面积，不利于堆叠晶体管的集成化。
技术实现思路
1、本申请提供一种堆叠晶体管的互连方法、堆叠晶体管及半导体器件，以实现在形成堆叠晶体管的上下两层晶体管之间的直连结构的同时，不会增大标准堆叠晶体管单元的面积，有效提升堆叠晶体管的集成度。
2、第一方面，本申请实施例提供一种堆叠晶体管的互连方法，该方法包括：在半导体衬底上形成鳍状结构；鳍状结构包括第一部分和第二...
【技术保护点】
1.一种堆叠晶体管的互连方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二半导体结构还包括形成在所述第二源漏结构之上的第二源漏金属；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述形成第二单扩散隔断结构之后，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述依次刻蚀所述第二单扩散隔断结构和所述第一单扩散隔断结构，以形成第一通孔，包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一半导体结构还包括形成在所述第一源漏结构之上的第一源漏金属；
6.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种堆叠晶体管的互连方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二半导体结构还包括形成在所述第二源漏结构之上的第二源漏金属；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述形成第二单扩散隔断结构之后，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述依次刻蚀所述第二单扩散隔断结构和所述第一单扩散隔断结构，以形成第一通孔，包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一半导体结构还包括形成在所述第一源漏结构之上的第一源漏金属；
...【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，郭睿，卢浩然，王润声，黎明，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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