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微带贴片单元及阵列天线制造技术

技术编号:41099744 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-25 13:56
本发明专利技术公开了一种微带贴片单元及阵列天线,该微带贴片单元包括第一介质基板、第二介质基板、第一辐射面、第二辐射面、第一反射面、第二反射面;第一介质基板的上表面设有第一辐射面,第一介质基板的下表面设有第一反射面,第二介质基板的上表面设有第二反射面,第二介质基板的下表面设有第二辐射面,第一介质基板与第二介质基板连接,第一介质基板和第一反射面在相同位置设有缺陷结构。本发明专利技术通过在单元辐射面和相邻辐射面之间设计缺陷结构,改变了电流路径,显著提高了高频段的交叉极化比。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及天线,特别是一种微带贴片单元及阵列天线


技术介绍

1、随着5g技术的发展,基站天线作为移动通信系统中一个重要的部分也面临着迭代更新。基站天线也逐步向高频发展,对于处在高频段的4.9ghz尤其是6.6ghz而言,微带贴片天线不仅拥有小尺寸、低成本的独特优势,还可以和ru集成在一起降低重量,节约成本。

2、微带贴片天线组阵受限于其尺寸,功分器分布艰难。受限于层数的影响,当微带功分器分布在微带贴片层时,微带功分器的存在使得相邻阵子间距更小,阵列性能会恶化。


技术实现思路

1、鉴于此,本专利技术提供一种微带贴片单元及阵列天线,具有高交叉极化比特性,解决了微带贴片天线组阵时微带功分器带来的阵列高频交叉极化比恶化问题。

2、本专利技术公开了一种微带贴片单元,其包括第一介质基板、第二介质基板、第一辐射面、第二辐射面、第一反射面、第二反射面;第一介质基板的上表面设有第一辐射面,第一介质基板的下表面设有第一反射面,第二介质基板的上表面设有第二反射面,第二介质基板的下表面设有第二辐射面,第一介质基板与第二介质基板连接,第一介质基板和第一反射面在相同位置设有缺陷结构。

3、进一步地,所述第一辐射面的中部有两个对称设置的t型缺陷结构,该t型缺陷结构用于改变电流路径,优化交叉极化比;所述第一辐射面底部具有两个斜角,smith圆图收敛。

4、进一步地,所述第二辐射面为方形,其四个角处分别设置两个正交的臂,正交的臂可在不改变谐振频率的情况下,缩小第二辐射面尺寸,优化相邻单元之间的同极化隔离和异极化隔离;同时,在第二辐射面的四条边上设置矩形槽或三角槽,smith圆图更加收敛,保证第二辐射面的对角线长度,即可保证天线的谐振频段。

5、进一步地,所述第一反射面位于所述第一介质基板的背面,作为所述第一辐射面的地层。

6、进一步地,所述第二反射面位于所述第二介质基板的正面,作为所述第二辐射面的地层。

7、进一步地,所述第一介质基板与所述第二介质基板通过铆钉相连。

8、进一步地,在考虑成本的情况下,可用支撑件代替第二介质基板;耦合片代替第二辐射面,所述耦合片通过铆钉与所述支撑件连接。

9、进一步地,所述第一介质基板与所述第一反射面在相同位置有t型缺陷结构,所述t型缺陷结构位于所述微带贴片单元两侧,可用于提高组阵时的轴向交叉极化比。

10、本专利技术还公开了一种阵列天线,其包括上述任一项所述的微带贴片单元。

11、进一步地,多个所述微带贴片单元呈阵列设置于第一介质基板上。

12、由于采用了上述技术方案,本专利技术具有如下的优点:本专利技术在单元辐射面和相邻辐射面之间设计缺陷结构,改变了电流路径,显著提高了高频段的交叉极化比。

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【技术保护点】

1.一种微带贴片单元,其特征在于,包括第一介质基板、第二介质基板、第一辐射面、第二辐射面、第一反射面、第二反射面;第一介质基板的上表面设有第一辐射面,第一介质基板的下表面设有第一反射面,第二介质基板的上表面设有第二反射面,第二介质基板的下表面设有第二辐射面,第一介质基板与第二介质基板连接,第一介质基板和第一反射面在相同位置设有缺陷结构。

2.根据权利要求1所述的微带贴片单元,其特征在于,所述第一辐射面的中部有两个对称设置的T型缺陷结构,该T型缺陷结构用于改变电流路径,优化交叉极化比;所述第一辐射面底部具有两个斜角,Smith圆图收敛。

3.根据权利要求1所述的微带贴片单元,其特征在于,所述第二辐射面为方形,其四个角处分别设置两个正交的臂,正交的臂可在不改变谐振频率的情况下,缩小第二辐射面尺寸,优化相邻单元之间的同极化隔离和异极化隔离;同时,在第二辐射面的四条边上设置矩形槽或三角槽,Smith圆图更加收敛,保证第二辐射面的对角线长度,即可保证天线的谐振频段。

4.根据权利要求1所述的微带贴片单元,其特征在于,所述第一反射面位于所述第一介质基板的背面,作为所述第一辐射面的地层。

5.根据权利要求1所述的微带贴片单元,其特征在于,所述第二反射面位于所述第二介质基板的正面,作为所述第二辐射面的地层。

6.根据权利要求1-5任一项所述的微带贴片单元,其特征在于,所述第一介质基板与所述第二介质基板通过铆钉相连。

7.根据权利要求1所述的微带贴片单元,其特征在于,在考虑成本的情况下,可用支撑件代替第二介质基板;耦合片代替第二辐射面,所述耦合片通过铆钉与所述支撑件连接。

8.根据权利要求1所述的微带贴片单元,其特征在于,所述第一介质基板与所述第一反射面在相同位置有T型缺陷结构,所述T型缺陷结构位于所述微带贴片单元两侧,可用于提高组阵时的轴向交叉极化比。

9.一种阵列天线,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的微带贴片单元。

10.根据权利要求9所述的阵列天线,其特征在于,多个所述微带贴片单元呈阵列设置于第一介质基板上。

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【技术特征摘要】

1.一种微带贴片单元,其特征在于,包括第一介质基板、第二介质基板、第一辐射面、第二辐射面、第一反射面、第二反射面;第一介质基板的上表面设有第一辐射面,第一介质基板的下表面设有第一反射面,第二介质基板的上表面设有第二反射面,第二介质基板的下表面设有第二辐射面,第一介质基板与第二介质基板连接,第一介质基板和第一反射面在相同位置设有缺陷结构。

2.根据权利要求1所述的微带贴片单元,其特征在于,所述第一辐射面的中部有两个对称设置的t型缺陷结构,该t型缺陷结构用于改变电流路径,优化交叉极化比;所述第一辐射面底部具有两个斜角,smith圆图收敛。

3.根据权利要求1所述的微带贴片单元,其特征在于,所述第二辐射面为方形,其四个角处分别设置两个正交的臂,正交的臂可在不改变谐振频率的情况下,缩小第二辐射面尺寸,优化相邻单元之间的同极化隔离和异极化隔离;同时,在第二辐射面的四条边上设置矩形槽或三角槽,smith圆图更加收敛,保证第二辐射面的对角线长度,即可保证天线的谐振频段。

4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔岿刘垠万腾
申请(专利权)人:四川恒湾科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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