【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于，具体涉及一种耐低温耐低氧的灵芝菌株及培育方法。
技术介绍
1、灵芝生长发育所需营养可完全由富含木质纤维素的农林废弃物、副产物以及木段等提供。通过灵芝栽培实现农林废弃物的资源化利用，既可以美化环境，又可以获得具有保健价值的灵芝。我国灵芝栽培区域主要分布在浙江、江西、安徽、福建、陕西、山东、广西、广东、河南、湖北、云南、贵州及四川等环境优良的地区。
2、随着市场需求的日益旺盛，灵芝的栽培规模也需要进一步扩大。原有灵芝主产地的资源已经明显满足不了灵芝市场需求的增长。所以需要开辟新的、更多的灵芝栽培区域。西藏生产的灵芝品质好。我们在前期研究中发现，同样的品种放在西藏栽培，产出的灵芝及孢子粉的多糖和三萜含量(灵芝种两个主要活性成分指标)均显著高于低海拔地区栽培的。所以在西藏开展大规模的灵芝栽培，既可以带动当地民众实现收入增加，还可以为广大消费者提供安全优质的灵芝产品，满足人民的健康需求。但是西藏自然环境恶劣，大部分地区高寒缺氧，土地极为贫瘠，生态十分脆弱。众所周知，灵芝是好氧型真菌。因此，目前已有的绝大部分灵芝品种并不适合在西藏高海拔地区大规模栽培。因此欲在西藏高海拔地区开展大规模灵芝栽培，就需要选育获得耐低温、耐低氧、适合西藏地区气候特点的灵芝新品种。
技术实现思路
1、本部分的目的在于概述本专利技术的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和专利技术名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和专利技术名称的目的模糊，
2、本专利技术所要解决的技术问题是基于西藏高原地区的气候特点，选育出适合西藏高原地区栽培的灵芝品种。
3、本专利技术的目的首先是提供一种耐低温、低氧灵芝菌株，拉丁文学名：ganodermalucidum。菌株命名：hh3-a258。
4、保藏编号为：cctcc no：m 20232322。
5、保藏日期：2023年11月24日
6、保藏地址：湖北省武汉市武昌区八一路珞珈山，中国典型培养物保藏中心(cctcc)。
7、本专利技术提供了一种耐低温、低氧灵芝菌株hh3-a258(下文简称a258)，该菌株可在10～15℃时快速生长，能耐受含氧量14.2％的高海拔环境。而且该品种在高海拔地区栽种的子实体三萜含量显著高于低海拔地区。
8、本专利技术还提供了上述灵芝菌株的选育方法包括如下步骤：
9、(1)原生质体的制备与诱变：将出发菌株接种于gmy(葡萄糖10g，酵母粉4g，麦芽浸膏10g，100ml蒸馏水，ph6.0)液体培养基中，于23℃、180rpm摇床中培养5～6d，收集的菌丝体用1.8％溶壁酶混匀，并于30℃、50rpm恒温摇床中酶解2h，再经过滤、清洗、离心得到的原生质体用0.6mol/l蔗糖溶液稀释至107个/ml，置于artp诱变育种仪(型号：artp-m，购自无锡源清天木生物科技有限公司)中，进行诱变处理；
10、(2)突变株的筛选和鉴定：取经诱变处理后的原生质体溶液，涂布于再生平板上，并置于23℃恒温培养箱中生长7～9d；挑取再生菌株于新pda平板上进行培养，并进行菌株纯化；将纯化菌株显微观察，选取其中具有锁状联合结构的双核菌株，并将其同出发菌株进行体细胞不亲和性检测。与出发菌株存在拮抗反应的双核菌株，即为hh3的突变株；
11、(3)耐低温双核突变株筛选：将已获得的双核突变株接种至pda培养基或类似培养基上、木屑培养料(同″栽培基质配方″)中，并于5℃、10℃、15℃、20℃、25℃和30℃等不同温度梯度下培养，定期划线测定菌丝体生长速率，并考察其菌丝体生物学特性；
12、(4)耐低氧突变株筛选：低氧环境条件下，栽培出芝过程中的性状考察，统计产量；
13、作为本专利技术所述的灵芝耐低温、耐低氧的优良菌株培育方法一种优选方案：还包括，灵芝子实体栽培：
14、栽培基质配方为宽叶树木屑81％，青稞麸皮11％，玉米粉4％，豆粕2％，石膏粉1％，碳酸钙1％，含水量约63～65％；
15、栽培出芝：将已培养好的灵芝菌包分别放置于海拔在2500m、3000m和3500m、4000m等西藏不同区域)并进行栽培出芝试验。前10～15天，湿度维持在65～68％，温度10～25℃左右，避光培养，菌丝体在袋口处快速生长并纠结在一起形成坚硬的隆起；第16～24天，原基开始形成，湿度调整到70～73％，温度继续维持在10～25℃左右，光强度调整到80～100lux；第25-35天，灵芝菌柄形成并生长芝6～7cm，湿度调整到70～75％，温度继续维持在10～25℃左右，光强调整到200lux；约第36天开始，菌盖开始形成并水平生长，湿度逐渐调整到75～85％，温度继续维持在10～25℃左右，光强度调整到650lux左右，每天通风2次，每次持续30～40min，当菌盖边缘的颜色同菌盖中部的颜色一致时，采收子实体。
16、本专利技术的有益效果：本专利技术的诱变育种获得突变株hh3-a258，其能在10～15℃的低温下快速生长，能耐受含氧量约为14～14.2％的高海拔环境，其子实体三萜含量达到2.45％，显著优于低海拔地区的。该菌株适合在高海拔地区大规模栽培。
17、本专利技术灵芝菌株能够适应高海拔地区日夜温差较大的地区，既能耐受低温环境也能够耐受高温环境。本专利技术灵芝菌株能够在2℃～50℃的温度区间内存活。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种耐低温耐低氧的灵芝(Ganoderma lucidum)菌株，其特征在于：所述灵芝(Ganoderma lucidum)菌株的保藏编号为：CCTCC M 20232322。
2.权利要求1所述耐低温耐低氧的灵芝(Ganoderma lucidum)菌株的培育方法，其特征在于：所述灵芝(Ganoderma lucidum)菌株能够栽种于高海拔环境。
3.根据权利要求2所述耐低温耐低氧的灵芝(Ganoderma lucidum)菌株的培育方法，其特征在于：所述耐低温耐低氧的灵芝(Ganoderma lucidum)菌株能够栽种于含氧气量14～14.2％的高海拔环境，海拔高度4000～4200米。
4.根据权利要求2所述耐低温耐低氧的灵芝(Ganoderma lucidum)菌株的培育方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述耐低温耐低氧的灵芝(Ganoderma lucidum)菌株的培育方法，其特征在于：所述栽培基质配方包括，以质量分数计，木屑80～83％，青稞麸皮9～13％，玉米粉2～5％，豆粕1～2％，石膏粉0.5～1％，
6.根据权利要求4所述耐低温耐低氧的灵芝(Ganoderma lucidum)菌株的培育方法，其特征在于：所述之后原基开始形成，湿度调整，包括将湿度调整到70～73％。
7.根据权利要求4所述耐低温耐低氧的灵芝(Ganoderma lucidum)菌株的培育方法，其特征在于：所述调整湿度和光强度调，包括将湿度调整到70～75％，将光强度调整到200lux。
8.根据权利要求4所述耐低温耐低氧的灵芝(Ganoderma lucidum)菌株的培育方法，其特征在于：所述菌盖开始形成并水平生长，调整湿度是将湿度调整到75～85％。
...【技术特征摘要】
1.一种耐低温耐低氧的灵芝(ganoderma lucidum)菌株，其特征在于：所述灵芝(ganoderma lucidum)菌株的保藏编号为：cctcc m 20232322。
2.权利要求1所述耐低温耐低氧的灵芝(ganoderma lucidum)菌株的培育方法，其特征在于：所述灵芝(ganoderma lucidum)菌株能够栽种于高海拔环境。
3.根据权利要求2所述耐低温耐低氧的灵芝(ganoderma lucidum)菌株的培育方法，其特征在于：所述耐低温耐低氧的灵芝(ganoderma lucidum)菌株能够栽种于含氧气量14～14.2％的高海拔环境，海拔高度4000～4200米。
4.根据权利要求2所述耐低温耐低氧的灵芝(ganoderma lucidum)菌株的培育方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述耐低温耐低...
【专利技术属性】
技术研发人员：张赫男，唐传红，张劲松，陈海霞，王军亮，谭贻，周帅，刘艳芳，冯杰，汪雯翰，
申请(专利权)人：上海市农业科学院，
类型：发明
国别省市：
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