【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于离子注入/辐照,尤其涉及一种离子注入/辐照提高氧化物材料发光性能的方法。
技术介绍
1、离子注入/辐照技术是利用离子束与物质间的相互作用,通过电离或激发等过程产生的活化原子与分子,与物质发生一系列的物理、化学反应,导致物质中产生交联、聚合、降解等。离子注入/辐照技术已成为一种重要的材料改性新技术,其可控性强、均匀性好、重复性高、可使材料的成分和结构发生变化,也可导致显著的物理-化学改性。用离子注入技术可以任意选择离子的种类,与其它方法相比较,掺杂纯度高;通过选取离子的不同能量来控制离子入射的深度,通过扫描电源可以控制离子的横向入射位置,可谓达到了深度和纵向的精确控制;入射离子的剂量决定了离子在材料中的浓度;离子注入不受基体固溶度的限制等;离子注入能在材料近表面不同深度改变材料成分,方便易行。
2、目前,al2o3等单晶材料的离子注入改性研究主要集中在材料的力学和磁学特性变化、辐照损伤效应、微观结构变化和纳米晶粒的形成、宝石的着色、惰性气体离子注入后在材料内部形成气泡、空腔和稀土离子掺杂后引起的发光性能变化等诸多
...【技术保护点】
1.一种离子注入/辐照提高氧化物材料发光性能的方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述离子注入的入射深度为注入离子在材料内部距离入射面0~50μm;
3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法,其特征在于:所述离子注入步骤中注入的离子为He离子、Ne离子、Ar离子或稀土离子。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于:所述离子注入步骤中注入温度为室温~350K。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法,其特征在于:所述离子注入步骤中离子能量为0.1~100MeV。
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【技术特征摘要】
1.一种离子注入/辐照提高氧化物材料发光性能的方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述离子注入的入射深度为注入离子在材料内部距离入射面0~50μm;
3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法,其特征在于:所述离子注入步骤中注入的离子为he离子、ne离子、ar离子或稀土离子。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于:所述离子注入步骤中注入温度为室温~350k。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法,其特征在于:所述离子注入步骤中离子能量为0.1~100mev。
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋银,缑洁,韩旭孝,徐秋梅,杨义涛,张崇宏,
申请(专利权)人:中国科学院近代物理研究所,
类型:发明
国别省市:
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