System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种液晶面板用刻蚀液组合物及其制备方法与应用技术_技高网

一种液晶面板用刻蚀液组合物及其制备方法与应用技术

技术编号:41086724 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-25 13:48
本发明专利技术涉及蚀刻液技术领域,尤其涉及IPC C23F领域,更具体的,涉及一种液晶面板用刻蚀液组合物及其制备方法与应用。按重量百分比计,组分包括:双氧水5~25%,螯合剂1~4%,抑制剂0.01~1.5%,蚀刻剂0.1~4%,双氧水稳定剂0.2~4%,氟系化合物0.005~1%,去离子水补足余量。应用于Cu和MTD合金双层膜具有优异的蚀刻性能,并且可以确保长时间使用的稳定性,使蚀刻工艺中可能发生的不良和成分消耗最小化,从而确保稳定的TFT‑LCD特性和降低成本的技术。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及蚀刻液,尤其涉及ipc c23f领域,更具体的,涉及一种液晶面板用刻蚀液组合物及其制备方法与应用


技术介绍

1、目前液晶面板生产工艺中,随着电视等液晶显示终端的大尺寸化、高分辨率及驱动频率的需求,急需解决tft阵列基板中电阻/电容时间延迟问题。针对铜导线相对于铝导线有较低的电阻率及良好的抗电迁移能力,tft阵列制程中的金属导线多数采用铜导线,目前行业内已经用于量产的有cu/mo、cu/ti、cu/mtd、cu/monb等两层金属结构的蚀刻液。

2、cn113106453a公开了一种蚀刻液组合物及其应用,应用于制备薄膜晶体管液晶显示面板,所述蚀刻液组合物包括如下组分:过氧化氢、氟化物、金属缓蚀剂、过氧化氢稳定剂、金属络合剂、无机盐和水。通过各组分之间的协同作用,能够提高蚀刻液组合物能够较好的兼容多种膜层结构和材料,蚀刻后无残留,保存条件温和,降低仓储,运输成本。

3、上述技术中使用双氧水,磷酸和螯合剂,抑制剂以及氟基化合物进行蚀刻。当使用常规技术的组合物应用于cu和mtd合金(钼、钛、镍金属组成的钼合金)双层膜蚀刻时,如果蚀刻液放置时间变长,即使铜浓度低,也存在必须在24小时后丢弃蚀刻液的问题。因此,由于无法使用到蚀刻液寿命极限,导致成本上升。


技术实现思路

1、本专利技术第一方面提供了一种液晶面板用刻蚀液组合物,按重量百分比计,组分包括:双氧水5~25%,螯合剂1~4%,抑制剂0.01~1.5%,蚀刻剂0.1~4%,双氧水稳定剂0.2~4%,氟系化合物0.005~1%,去离子水补足余量。

2、优选的,按重量百分比计,组分包括:双氧水16~23%,螯合剂2.5~3.5%,抑制剂0.05~0.3%,蚀刻剂0.5~1%,双氧水稳定剂0.6~2%,氟系化合物0.01~0.1%,去离子水补足余量。

3、所述双氧水稳定剂包括第一双氧水稳定剂和第二双氧水稳定剂,所述第一双氧水稳定剂和第二双氧水稳定剂重量比为1:(0.8-1.2)。

4、优选的,所述第一双氧水稳定剂和第二双氧水稳定剂重量比为1:1。

5、本申请人研究发现,所述双氧水稳定剂包括第一双氧水稳定剂和第二双氧水稳定剂,所述第一双氧水稳定剂和第二双氧水稳定剂重量比为1:(0.8-1.2),可有效提升蚀刻液的使用寿命。推测:双氧水作为主要氧化剂的蚀刻液配方随着面板寿命的增加铜离子增加,由于配方中适用的螯合剂不能完全封锁金属离子,因此存在自由铜离子攻击双氧水形成自由基,进而攻击配方成分中的有机物质而发生蚀刻特性变化的问题,通过使用水系聚合物系列,可以延迟烷基胺系列和使用寿命,进一步研究发现。所述第一双氧水稳定剂和第二双氧水稳定剂重量比为1:1,所述第二双氧水稳定剂包括分子量(mw)为200-1500聚乙二醇,蚀刻液使用寿命可达40h。

6、所述第一双氧水稳定剂包括烷基胺化合物。

7、优选的,所述烷基胺化合物包括丁胺、戊胺、辛胺、2-乙基-1丁胺、2-己胺、2-乙基己胺、庚胺、己胺、环己胺中的至少一种。

8、所述第二双氧水稳定剂包括聚乙二醇、聚丁二醇、聚丙二醇、聚四甲醚乙二醇中的至少一种。

9、优选的,所述聚乙二醇的分子量(mw)为200-1500。

10、所述螯合剂包括亚胺二乙酸、硝基三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基三硝基戊酸、氨基甲酸(甲基膦酸)、(1-羟基乙烷-1,1-癸基)双(膦酸)、乙二胺四乙酸(甲基苯丙酸)、二乙基三胺五苯(甲基膦酸)、丙氨酸,谷氨酸、氨基丁酸、甘氨酸中的至少一种。

11、所述抑制剂包括杂环芳香族化合物和杂环脂肪族化合物中的至少一种。

12、优选的,所述杂环芳香族化合物包括呋喃、噻吩、吡咯、恶唑、咪唑、吡唑、三唑、四唑、5-氨基四唑、5-甲基四唑中的至少一种。

13、优选的,所述杂环脂肪族化合物包括哌嗪、甲基哌嗪、羟乙基哌嗪、吡咯烷、四氧嘧啶中的至少一种。

14、所述蚀刻剂包括有机酸和有机酸盐中的一种。

15、优选的,所述有机酸中包含非含氮原子且具有一个或多个羧基。

16、优选的,所述有机酸包括乙酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、甘露聚糖、草酸、丙二酸、苹果酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、琥珀酸中的至少一种。

17、所述氟系化合物包括氟化氢、氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵中的至少一种。

18、优选的,所述蚀刻剂、抑制剂、双氧水稳定剂重量比为1:(0.1-0.2):(0.5-1.2)。

19、本专利技术第二方面提供了一种液晶面板用刻蚀液组合物的制备方法,包括以下步骤:将所有组分混合均匀,即得。

20、本专利技术第三方面提供了一种液晶面板用刻蚀液组合物的应用,应用于液晶面板中cu/mtd合金双层膜的蚀刻。

21、有益效果

22、1.所述双氧水稳定剂包括第一双氧水稳定剂和第二双氧水稳定剂,所述第一双氧水稳定剂和第二双氧水稳定剂重量比为1:(0.8-1.2),可有效提升蚀刻液的使用寿命。

23、2.所述第一双氧水稳定剂和第二双氧水稳定剂重量比为1:1,所述第二双氧水稳定剂包括分子量(mw)为200-1500聚乙二醇,蚀刻液使用寿命可达40h。

24、3.本申请制备得到的蚀刻液可以确保长时间使用的稳定性,使蚀刻工艺中可能发生的不良和成分消耗最小化,从而确保稳定的tft-lcd特性和降低成本。

25、4.本申请制备得到的蚀刻液对cu/mtd合金双层膜具有优异的蚀刻性能,可满足液晶面板生产工艺需求。

26、5.所述蚀刻剂、抑制剂、双氧水稳定剂重量比为1:(0.1-0.2):(0.5-1.2),蚀刻液放置40h后,锥角(taper angle)变化率低于2%。

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【技术保护点】

1.一种液晶面板用刻蚀液组合物,其特征在于,按重量百分比计,组分包括:双氧水5~25%,螯合剂1~4%,抑制剂0.01~1.5%,蚀刻剂0.1~4%,双氧水稳定剂0.2~4%,氟系化合物0.005~1%,去离子水补足余量。

2.根据权利要求1所述的一种液晶面板用刻蚀液组合物,其特征在于,按重量百分比计,组分包括:双氧水16~23%,螯合剂2.5~3.5%,抑制剂0.05~0.3%,蚀刻剂0.5~1%,双氧水稳定剂0.6~2%,氟系化合物0.01~0.1%,去离子水补足余量。

3.根据权利要求2所述的一种液晶面板用刻蚀液组合物,其特征在于,所述双氧水稳定剂包括第一双氧水稳定剂和第二双氧水稳定剂,所述第一双氧水稳定剂和第二双氧水稳定剂重量比为1:(0.8-1.2)。

4.根据权利要求3所述的一种液晶面板用刻蚀液组合物,其特征在于,所述第一双氧水稳定剂包括烷基胺化合物。

5.根据权利要求4所述的一种液晶面板用刻蚀液组合物,其特征在于,所述第二双氧水稳定剂包括聚乙二醇、聚丁二醇、聚丙二醇、聚四甲醚乙二醇中的至少一种。

6.根据权利要求1或5所述的一种液晶面板用刻蚀液组合物,其特征在于,所述抑制剂包括杂环芳香族化合物和杂环脂肪族化合物中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的一种液晶面板用刻蚀液组合物,其特征在于,所述杂环芳香族化合物包括呋喃、噻吩、吡咯、恶唑、咪唑、吡唑、三唑、四唑、5-氨基四唑、5-甲基四唑中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的一种液晶面板用刻蚀液组合物,其特征在于,所述杂环脂肪族化合物包括哌嗪、甲基哌嗪、羟乙基哌嗪、吡咯烷、四氧嘧啶中的至少一种。

9.一种根据权利要求1-8任一项所述液晶面板用刻蚀液组合物的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将所有组分混合均匀,即得。

10.一种根据权利要求1-8任一项所述液晶面板用刻蚀液组合物的应用,其特征在于,应用于液晶面板中Cu/MTD合金双层膜的蚀刻。

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【技术特征摘要】

1.一种液晶面板用刻蚀液组合物,其特征在于,按重量百分比计,组分包括:双氧水5~25%,螯合剂1~4%,抑制剂0.01~1.5%,蚀刻剂0.1~4%,双氧水稳定剂0.2~4%,氟系化合物0.005~1%,去离子水补足余量。

2.根据权利要求1所述的一种液晶面板用刻蚀液组合物,其特征在于,按重量百分比计,组分包括:双氧水16~23%,螯合剂2.5~3.5%,抑制剂0.05~0.3%,蚀刻剂0.5~1%,双氧水稳定剂0.6~2%,氟系化合物0.01~0.1%,去离子水补足余量。

3.根据权利要求2所述的一种液晶面板用刻蚀液组合物,其特征在于,所述双氧水稳定剂包括第一双氧水稳定剂和第二双氧水稳定剂,所述第一双氧水稳定剂和第二双氧水稳定剂重量比为1:(0.8-1.2)。

4.根据权利要求3所述的一种液晶面板用刻蚀液组合物,其特征在于,所述第一双氧水稳定剂包括烷基胺化合物。

5.根据权利要求4所述的一种液晶面板用刻蚀液组...

【专利技术属性】
技术研发人员:李恩庆谢一泽赵东李闯张红伟黄海东胡天齐
申请(专利权)人:四川和晟达电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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