【技术实现步骤摘要】
本技术涉及碳化硅晶片生产，特别是一种碳化硅晶片研磨用的下蜡装置。
技术介绍
1、碳化硅晶片的主要应用领域有led固体照明和高频率器件，该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势，在生产研磨过程中需要下蜡处理。
2、经检索，现有专利公开号为cn217143545u的一种碳化硅晶片研磨工艺用的下蜡装置，通过气缸伸缩端的收缩，第二框架脱离陶瓷盘上表面，去蜡后的碳化硅晶片可脱离陶瓷盘，将去蜡后的碳化硅晶片放置在第二平台上静置风干，可消除碳化硅晶片上附着的去蜡液，第二框架通过气缸伸缩端的工作，可快速对碳化硅晶片进行去蜡工作，降低了去蜡设备的成本，提高了碳化硅晶片去蜡的效率。
3、但上述专利仍存在一定缺陷，只能单向下料，推板每次往复运动只能进行一次碳化硅晶片的推动，花费时间长增加生产成本，且多余的去蜡液不能回收利用，柔软吸液层在吸收饱和后需要更换处理操作繁琐，降低了下蜡装置的使用效率。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本技术提出了一种碳化硅晶片研磨用的下蜡装置，可以双向输出下料，推板左右移动时均可以对碳化硅晶片进行推动，节省时间降低生产成本，多余的去蜡液被回收利用，不需要频繁更换柔软吸液层。
2、实现本技术目的的技术解决方案为：一种碳化硅晶片研磨用的下蜡装置，包括框架和回收箱，所述框架一边的一侧外壁安装有
3、在某些实施例中，所述过滤孔均呈矩形阵列分布，所述框架的一边内壁固定连接有限位杆，所述滑动架与限位杆滑动相连接。
4、在某些实施例中，所述收集板底部设置有斜面，所述收集板与支撑板的尺寸相适配。
5、在某些实施例中，所述回收箱顶部的一边外壁安装有回收泵，所述框架的底部内壁安装有传送机。
6、在某些实施例中，所述传送机均与支撑板的位置相适配，所述推板均与支撑平台和陶瓷盘的高度相适配。
7、在某些实施例中，所述推板底部两侧的两边外壁均固定连接有限位块，所述限位块均与陶瓷盘和支撑平台的尺寸相适配。
8、本实用与现有技术相比，其显著优点是：
9、其一：本技术通过设置有框架、电机、螺纹杆、回收箱、回收管、收集板和支撑平台，碳化硅晶片被推动至支撑平台，去蜡液通过过滤孔进入收集板内，再通过回收管进入回收箱内被统一收集通过回收泵被再次输送使用，推板移动至一侧将碳化硅晶片推送至传送机上输出，更换陶瓷盘重复作用，电机反向作用带动推板反向移动，碳化硅晶片被推送至另一侧依然落在传送机上输出，可以双向输出下料，推板左右移动时均可以对碳化硅晶片进行推动，节省时间降低生产成本，多余的去蜡液被回收利用，不需要频繁更换柔软吸液层，提高了下蜡装置的使用效率；
10、其二：本技术通过设置有限位块，推板的底部设置有限位块，在推动碳化硅晶片时对其进行限位，防止从支撑平台两边掉落，提高了下蜡装置的实用性；
11、解决了只能单向下料，推板每次往复运动只能进行一次碳化硅晶片的推动，花费时间长增加生产成本，且多余的去蜡液不能回收利用，柔软吸液层在吸收饱和后需要更换处理操作繁琐的问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种碳化硅晶片研磨用的下蜡装置，包括框架(1)和回收箱(7)，其特征在于，所述框架(1)一边的一侧外壁安装有电机(2)，所述电机(2)输出轴的一端通过联轴器连接有螺纹杆(5)，所述螺纹杆(5)的外壁通过螺纹连接有滑动架(4)，所述滑动架(4)底端的另一边外壁通过螺纹连接有推板(11)，所述框架(1)的底部内壁固定连接有支撑板(9)，所述支撑板(9)的顶端外壁设置有陶瓷盘(14)，所述支撑板(9)顶端的两侧外壁均固定连接有支撑平台(13)，所述回收箱(7)顶部另一边的两侧外壁均固定连接有固定块(17)，所述固定块(17)均与支撑板(9)一边外壁固定连接，所述回收箱(7)顶部的另一边外壁设置有回收管(16)，所述支撑板(9)的底端外壁通过螺钉连接有收集板(8)，所述收集板(8)底部的一边外壁开设有连接孔，所述回收管(16)插接于连接孔内壁，所述支撑板(9)和支撑平台(13)的顶端外壁均开设有过滤孔(15)。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶片研磨用的下蜡装置，其特征在于：所述过滤孔(15)均呈矩形阵列分布，所述框架(1)的一边内壁固定连接有限位杆(10)，所述滑动
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶片研磨用的下蜡装置，其特征在于：所述收集板(8)底部设置有斜面，所述收集板(8)与支撑板(9)的尺寸相适配。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶片研磨用的下蜡装置，其特征在于：所述回收箱(7)顶部的一边外壁安装有回收泵(6)，所述框架(1)的底部内壁安装有传送机(3)。
5.根据权利要求4所述的一种碳化硅晶片研磨用的下蜡装置，其特征在于：所述传送机(3)均与支撑板(9)的位置相适配，所述推板(11)均与支撑平台(13)和陶瓷盘(14)的高度相适配。
6.根据权利要求5所述的一种碳化硅晶片研磨用的下蜡装置，其特征在于：所述推板(11)底部两侧的两边外壁均固定连接有限位块(12)，所述限位块(12)均与陶瓷盘(14)和支撑平台(13)的尺寸相适配。
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片研磨用的下蜡装置，包括框架(1)和回收箱(7)，其特征在于，所述框架(1)一边的一侧外壁安装有电机(2)，所述电机(2)输出轴的一端通过联轴器连接有螺纹杆(5)，所述螺纹杆(5)的外壁通过螺纹连接有滑动架(4)，所述滑动架(4)底端的另一边外壁通过螺纹连接有推板(11)，所述框架(1)的底部内壁固定连接有支撑板(9)，所述支撑板(9)的顶端外壁设置有陶瓷盘(14)，所述支撑板(9)顶端的两侧外壁均固定连接有支撑平台(13)，所述回收箱(7)顶部另一边的两侧外壁均固定连接有固定块(17)，所述固定块(17)均与支撑板(9)一边外壁固定连接，所述回收箱(7)顶部的另一边外壁设置有回收管(16)，所述支撑板(9)的底端外壁通过螺钉连接有收集板(8)，所述收集板(8)底部的一边外壁开设有连接孔，所述回收管(16)插接于连接孔内壁，所述支撑板(9)和支撑平台(13)的顶端外壁均开设有过滤孔(15)。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶片研磨用的下蜡装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈宇翔，翟会阳，李永波，李纪宏，
申请(专利权)人：苏州万龙达电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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