具有一系列p-n结的硅光学移相器制造技术

技术编号:41077925 阅读:22 留言:0更新日期:2024-04-25 10:04
一种装置包括硅(Si)光学移相器。在一个实施例中,光学移相器包括具有硅光学芯的平面光学波导、以及沿着硅光学芯的一段的相对侧定位的一对偏置电极。硅光学芯的该段包括一系列p‑n结。该系列在以下方向上延伸:该方向横向于包括硅光学芯的该段的平面光学波导的段中的光传播方向。p‑n结中的至少两个p‑n结被配置为通过跨偏置电极施加电压而被反向偏置。

【技术实现步骤摘要】

各种示例实施例涉及光通信领域。


技术介绍

1、在硅(si)光子学中,si光学移相器被广泛用于不同种类的光学器件,诸如si光学调制器。不幸的是,一些硅光学移相器存在电容问题,尤其是在较高频率下。


技术实现思路

1、各种实施例提供了具有多个横向p-n结(p-n junctions)的si光学移相器。通常,当p-n结在反向电压下被偏置时,p-n结以载流子耗尽模式操作,其中载流子漂移出si光学波导和漂移到si光学波导中。等离子体/载流子色散效应(例如,载流子耗尽)在沿着si光学波导行进的光中生成光学相移。具有串联的多个横向p-n结的si光学移相器减小了si光学波导的总电容。一个技术优点是,本文中描述的si光学移相器可以用于高速或超高速操作的更高频率应用中,同时维持与现有技术的si光学相移器类似的调制效率和/或光学损耗。

2、在一个实施例中,一种装置包括光学移相器,该光学移相器包括具有硅光学芯(silicon optical core)的平面光学波导、以及沿着硅光学芯的一段的相对侧定位的一对偏置电极。硅光学本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于通信的装置,包括:

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述p-n结中的至少另一p-n结位于所述p-n结中的所述两个p-n结之间,并且被配置为通过跨所述偏置电极施加所述电压而被正向偏置。

3.根据权利要求1或2所述的装置,还包括用于操作所述光学移相器的至少一个射频行波电极。

4.根据权利要求1或2所述的装置,还包括具有一对平行光学波导臂的马赫-曾德尔光学调制器;

5.根据权利要求1所述的装置,还包括光学调制器,所述光学调制器包括光学环形谐振器;

6.根据权利要求1、2和5中任一项所述的装置,其中所述p-n结中的所述至少...

【技术特征摘要】

1.一种用于通信的装置,包括:

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述p-n结中的至少另一p-n结位于所述p-n结中的所述两个p-n结之间,并且被配置为通过跨所述偏置电极施加所述电压而被正向偏置。

3.根据权利要求1或2所述的装置,还包括用于操作所述光学移相器的至少一个射频行波电极。

4.根据权利要求1或2所述的装置,还包括具有一对平行光学波导臂的马赫-曾德尔光学调制器;

5.根据权利要求1所述的装置,还包括光学调制器,所述光学调制器包括光学环形谐振器;

6.根据权利要求1、2和5中任一项所述的装置,其中所述p-n结中的所述至少两个p-n结位于所述硅光学芯的所述段中所述硅光学芯的横向中心的相对侧上。

7.根据权利要求1、2和5中任一项所述的装置,其中:

8.根据权利要求1所述的装置,其中所述平面光学波导包括肋,所述肋在所...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁建峰
申请(专利权)人:诺基亚通信公司
类型:发明
国别省市:

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