【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于化工领域，具体涉及一种甲基氯硅烷单体硅浆的无害化处理方法及装置。
技术介绍
1、硅粉和氯甲烷在流化床中催化反应生成甲基氯硅烷单体过程中从塔底部排出甲基氯硅烷单体硅浆(后续简称硅浆)，约占单体产量的2-5％。由于硅浆主要由大量的高沸点有机氯硅烷和少量流化床带出未反应的硅粉、铜催化剂组成，具有易燃、易水解、强烈刺激性、流动性差等特性，严重污染环境，因此硅浆资源化和无害化处理已经摆在有机硅生产企业需要解决的问题，必须不断推动硅浆处理工艺的进步和发展，为有机硅产业健康发展打下基础。
2、中国专利cn215757543公开了含铜废硅渣再处理装置，其通过向含铜废硅渣中加入酸溶液和氧化剂，再加入铁粉搅拌反应得到单质铜，能够有效去除废硅渣中的铜。但是这种方法处理后的硅渣呈强酸性，不能直接排放，且无法处理高铜含量的硅渣(含量高于5％)。中国专利cn115672955a公开了一种甲基氯硅烷单体硅渣的无害化处理，通过三次洗涤得到硅渣含铜量小于浸出毒性鉴别标准规定的100mg/l。但是此法需要通过洗涤釜处理硅渣，工艺流程繁琐、耗时长。
【技术保护点】
1.一种甲基氯硅烷单体硅浆的无害化处理方法，其特征在于，包括步骤如下：
2.如权利要求1所述的甲基氯硅烷单体硅浆的无害化处理方法，其特征是：所述的甲基氯硅烷单体渣浆主要由有机氯硅烷、硅粉、铜组成，固含量为20-50％，包括但不限于铜元素含量为3-8％，所述铜元素选自铜单质、亚铜、铜离子中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的甲基氯硅烷单体硅浆的无害化处理方法，其特征是：所述的水用量与甲基氯硅烷单体硅浆的质量比为2-3:1；所述的氧化剂为过氧化氢、次氯酸钠中至少一种，氧化剂的用量为甲基氯硅烷单体硅浆质量的3-5wt％；通过球磨机粉碎后的硅渣平均粒...
【技术特征摘要】
1.一种甲基氯硅烷单体硅浆的无害化处理方法，其特征在于，包括步骤如下：
2.如权利要求1所述的甲基氯硅烷单体硅浆的无害化处理方法，其特征是：所述的甲基氯硅烷单体渣浆主要由有机氯硅烷、硅粉、铜组成，固含量为20-50％，包括但不限于铜元素含量为3-8％，所述铜元素选自铜单质、亚铜、铜离子中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的甲基氯硅烷单体硅浆的无害化处理方法，其特征是：所述的水用量与甲基氯硅烷单体硅浆的质量比为2-3:1；所述的氧化剂为过氧化氢、次氯酸钠中至少一种，氧化剂的用量为甲基氯硅烷单体硅浆质量的3-5wt％；通过球磨机粉碎后的硅渣平均粒径在5-20mm。
4.如权利要求1所述的甲基氯硅烷单体硅浆的无害化处理方法，其特征是：净化釜的反应温度为30-40℃，净化釜的搅拌速度在70-200r/min。
5.如权利要求1所述的甲基氯硅烷单体硅浆的无害化处理方法，其特征是：所述的酸洗液/水洗液/碱洗液用量与甲基氯硅烷单体硅渣的质量比为2-3:1；所述的酸洗液为盐酸，酸洗液中盐酸浓度为3-5％；所述的碱洗液为氢氧化钠，碱的用量为甲基氯硅烷单体硅渣质量的1-2.5wt％，保持ph值在3.0-4.0。
6.一种甲基氯硅烷单体硅浆的无害化处理装置，用于处理权利要求1-5任一项所述的甲基氯硅烷单体硅浆，其特征是：水解釜(1)通过管道与板框压滤机(2)连接；板框压滤机(2)通过管道分别与球磨机(3)和酸洗液缓冲...
【专利技术属性】
技术研发人员：李书兵，王文金，聂兴臻，杨龙，周立华，
申请(专利权)人：湖北兴瑞硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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