【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种电子器件，所述电子器件包含
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，在式(I)中，X优选选自基团
3.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，至少一个Ar1，优选两个Ar1，在各种情况下相同或不同，并且选自式
4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的器件，其特征在于，R3在各种情况下相同或不同并且选自通过标记有*的键键合到Z1基团的碳原子的以下基团
5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的器件，其特征在于，n为0。
6.根据权利要求1至5中的一项或多项所述的器件，其特征在于，式(I)对应于式(I-1)
7.根据权利要求1至6中的一项或多项所述的器件，其特征在于，对应于如下基团的R3基团含有至少一个Ar1基团，所述Ar1基团选自各自被R6基团取代的芴基、螺二芴基和咔唑基：
8.根据权利要求1至7中的一项或多项所述的器件，其特征在于，所述层HTL2含有式(III)化合物，其中TA为单键。
9.根据权利要求1至8中的一项或多项所述的器件，其特征在于，m为0。
10
11.根据权利要求1至10中的一项或多项所述的器件，其特征在于，RA3在各种情况下相同或不同并且选自通过标记有*的键键合到ZA1基团的碳原子的以下基团
12.根据权利要求1至11中的一项或多项所述的器件，其特征在于，式(III)对应于式(III-1)
13.根据权利要求1至12中的一项或多项所述的器件，其特征在于，式(II)或(III)的化合物具有高于-5.25eV、更优选高于-5.20eV的HOMO。
14.根据权利要求1至13中的一项或多项所述的器件，其特征在于，式(II)或(III)的化合物具有低于-5.05eV、更优选低于-5.10eV、还更优选低于-5.15eV且最优选低于-5.20eV的HOMO。
15.根据权利要求1至14中的一项或多项所述的器件，其特征在于，所述器件包含空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述阳极与所述层HTL1之间并且含有式(I)化合物和p-掺杂剂。
16.根据权利要求1至15中的一项或多项所述的器件，其特征在于，所述器件具有选自含有三嗪衍生物和喹啉锂(LiQ)的电子传输层和电子注入层中的至少一个层。
17.根据权利要求1至16中的一项或多项所述的器件，其特征在于，所述器件的发光层为蓝色荧光发光层，并且层HTL2含有式(III)化合物。
18.根据权利要求1至17中的一项或多项所述的器件，其特征在于，所述器件的发光层为绿色磷光发光层，并且层HTL2含有式(II)化合物。
19.一种布置，所述布置包含：
20.一种制造根据权利要求1至19中的一项或多项所述的器件的方法，其特征在于，通过升华方法施加所述器件的一个或多个层。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电子器件，所述电子器件包含
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，在式(i)中，x优选选自基团
3.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，至少一个ar1，优选两个ar1，在各种情况下相同或不同，并且选自式
4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的器件，其特征在于，r3在各种情况下相同或不同并且选自通过标记有*的键键合到z1基团的碳原子的以下基团
5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的器件，其特征在于，n为0。
6.根据权利要求1至5中的一项或多项所述的器件，其特征在于，式(i)对应于式(i-1)
7.根据权利要求1至6中的一项或多项所述的器件，其特征在于，对应于如下基团的r3基团含有至少一个ar1基团，所述ar1基团选自各自被r6基团取代的芴基、螺二芴基和咔唑基：
8.根据权利要求1至7中的一项或多项所述的器件，其特征在于，所述层htl2含有式(iii)化合物，其中ta为单键。
9.根据权利要求1至8中的一项或多项所述的器件，其特征在于，m为0。
10.根据权利要求1至9中的一项或多项所述的器件，其特征在于，至少一个ara1基团选自下式：
11.根据权利要求1至10中的一项或多项所述的器件，其特征在于，ra3在各种情况下相同或不同并且选自通过标记有*的键键合到za1基团的碳原子的以下基团
12.根据权利要求1至11中...
【专利技术属性】
技术研发人员：埃尔维拉·蒙特内格罗，延斯·恩格哈特，金猷泫，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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