【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、生物或化学研究中的各种方案涉及进行受控反应。然后可观察或检测指定的反应，并且随后的分析可有助于识别或揭示反应中所涉及的化学品的特性。
2、在一些多重测定中，具有可识别标记(例如，荧光标记)的未知分析物可在受控的条件下暴露于数千个已知探针。可将每个已知探针放入微孔板的对应孔中。观察孔内的已知探针和未知分析物之间发生的任何化学反应可有助于识别或揭示分析物的特性。此类方案的其他示例包括已知的dna测序过程，诸如边合成边测序(sbs)或循环阵列测序。
3、在一些荧光检测方案中，光学系统用于将激发光引导到荧光团(例如，荧光标记的分析物)上，并且还用于检测可从具有附着的荧光团的分析物发射的荧光发射光。然而，此类光学系统可能相对昂贵并且受益于更大的台面占有面积。例如，光学系统可包括透镜、滤光器和光源的布置。
4、在其他提出的检测系统中，流通池中的受控反应可由固态光传感器阵列(例如，互补金属氧化物半导体(cmos)检测器或电荷耦合设备(ccd)检测器)限定。这些系统不涉及用于检测荧光发射的大型光学组件。
技术实现思路
1、在一个示例中，本文阐述了一种设备。该设备可包括例如掺杂区域，该掺杂区域在半导体构造中形成在激发光和发射光的接收光路中。
2、在一个示例中，本文阐述了一种设备。该设备可包括例如：掺杂区的阵列，该掺杂区的阵列形成在半导体构造中，其中该半导体构造接收来自检测器表面的激发光和发射光，并且其中该掺杂区的阵列的掺杂区限定光电二极
3、在一个示例中，本文阐述了一种设备。该设备可包括例如检测器表面，该检测器表面包括反应位点，该检测器表面用于支撑生物或化学样品；
4、多个间隔开的掺杂区，该多个间隔开的掺杂区形成在半导体构造中，其中该半导体构造接收来自该检测器表面的激发光和发射光，该多个间隔开的掺杂区限定光电二极管；多个间隔开的掺杂区域，该多个间隔开的掺杂区域形成在该半导体构造中，其中该多个间隔开的掺杂区域中的相应掺杂区域与这些掺杂区中的相应掺杂区相关联，并且其中这些掺杂区域中的该相应掺杂区域设置在该检测器表面与这些掺杂区中的该相应掺杂区之间的该激发光和该发射光的接收光路中；并且其中形成在该半导体构造中的该多个间隔开的掺杂区域中的相应掺杂区域产生相应电场，这些相应电场影响由于该激发光和该发射光的光子在这些相应掺杂区域中被吸收而在这些相应掺杂区域中生成的电子的行进方向。
5、在一个示例中，本文阐述了一种设备。该设备可包括例如：检测器表面，该检测器表面用于支撑生物或化学样品；掺杂区的阵列，该掺杂区的阵列形成在半导体构造中，其中该半导体构造接收来自该检测器表面的激发光和发射光，并且其中该掺杂区的阵列的掺杂区限定光电二极管；掺杂区域，该掺杂区域在该半导体构造中形成在该检测器表面与该掺杂区的阵列的掺杂区之间的该激发光和该发射光的接收光路中；并且其中该掺杂区域被配置为影响由于光子吸收而在该掺杂区域中生成的电子的行进方向。
6、在一个示例中，本文阐述了一种方法。该方法可包括例如：在半导体构造中形成掺杂区的阵列；在该半导体构造中形成掺杂区域的阵列，其中该掺杂区域的阵列的相应掺杂区域与该掺杂区的阵列的相应掺杂区相关联；以及形成检测器表面，其中该半导体构造被配置为接收来自该检测器表面的激发光和发射光；其中这些相应掺杂区域在该半导体构造中形成在来自该检测器表面的该激发光和该发射光的接收光路中。
7、在一个示例中，本文阐述了一种设备。该设备可包括例如：支撑结构，该支撑结构限定被配置用于支撑生物或化学样品的检测器表面；掺杂区的阵列，该掺杂区的阵列形成在半导体构造中，其中该半导体构造接收来自该检测器表面的激发光和发射光，并且其中该掺杂区的阵列的掺杂区限定光电二极管；掺杂区域，该掺杂区域在该半导体构造中形成在该检测器表面与该掺杂区的阵列的掺杂区之间的该激发光和该发射光的接收光路中；并且其中该掺杂区域被配置为影响由于光子吸收而在该掺杂区域中生成的电子的行进方向。
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1.一种设备，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述相应掺杂区域具有大于所述激发光的中心波长的吸收深度的结深度。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域具有小于所述发射光的中心波长的吸收深度的结深度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域限定所述半导体构造的光进入表面。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域具有大于所述激发光的中心波长的吸收深度的结深度，并且其中所述相应掺杂区域的所述结深度小于所述发射光的中心波长的吸收深度。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的设备，其中由所述相应掺杂区域限定的相应结的结深度被配置成使得在所述半导体构造的在所述相应结下方的高度处吸收的所述发射光的中心波长下的光子的百分比是在所述半导体构造的在所述相应结下方的高度处吸收的所述激发光的中心波长下的光子的百分比的约2倍或更多倍。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的设备，其中由所述相应掺杂区域限定的相应结的结深度被配置成使得在所述半导体构造的
8.根据权利要求1至7中任一项所述的设备，其中由所述相应掺杂区域限定的相应结的结深度被配置成使得在所述半导体构造的在所述相应结下方的高度处吸收的所述发射光的中心波长下的光子的百分比是在所述半导体构造的在所述相应结下方的高度处吸收的所述激发光的中心波长下的光子的百分比的约50倍或更多倍。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域被配置为致使由于所述激发光和所述发射光的光子在所述相应掺杂区域中被吸收而在所述相应掺杂区域中生成的电子漂移。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域被配置为致使由于所述激发光和所述发射光的光子在所述相应掺杂区域中被吸收而在所述相应掺杂区域中生成的电子沿朝向所述半导体构造的光进入表面的方向漂移。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域的尺寸被设定成以长于蓝色波长带中的光的吸收深度的结深度为特征，所述深度短于红色波长带中的光的吸收深度。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域的尺寸被设定成以长于绿色波长带中的光的吸收深度的结深度为特征，所述深度短于红色波长带中的光的吸收深度。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域的尺寸被设定成使得第一波长的所述激发光的光子的吸收深度小于所述相应掺杂区域的结深度。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域包括具有第一结深度的第一组相应掺杂区域和具有第二结深度的第二组相应掺杂区域，所述第二结深度小于所述第一结深度。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域包括具有第一结深度并且被配置用于绿色波长带中的光的波长分离的第一组相应掺杂区域，以及具有第二结深度并且被配置用于蓝色波长带中的光的波长分离的第二组相应掺杂区域，所述第二结深度小于所述第一结深度。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的设备，其中所述半导体构造包括分离所述相应掺杂区域的竖直延伸的深沟槽隔离构造，其中所述多个间隔开的掺杂区域中的掺杂区域侧向接触所述竖直延伸的深沟槽隔离构造中的第一者和第二者。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的设备，其中所述多个间隔开的掺杂区域中的相应掺杂区域与所述掺杂区中的相应掺杂区对准。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的设备，其中所述多个间隔开的掺杂区域中的相应掺杂区域与所述掺杂区中的相应掺杂区对准，并且其中所述多个间隔开的掺杂区域中的相应掺杂区域与所述掺杂区中的相应掺杂区的对准的特征在于所述掺杂区中的相应掺杂区的竖直延伸的中心轴线延伸穿过所述掺杂区域中的相应掺杂区域。
19.根据权利要求1至18中任一项所述的设备，其中所述多个间隔开的掺杂区和所述多个间隔开的掺杂区域分离竖直间隔距离，其中所述多个间隔开的掺杂区具有共同顶部高度并且所述多个间隔开的掺杂区域具有共同底部高度，并且其中所述半导体构造在所述多个间隔开的掺杂区的所述共同顶部高度与所述多个间隔开的掺杂区域的所述共同底部高度之间是未掺杂的。
20.根据权利要求1至19中任一项所述的设备，其中所述反应位点中的相应反应位点与所述多个间隔开的掺杂区...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种设备，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述相应掺杂区域具有大于所述激发光的中心波长的吸收深度的结深度。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域具有小于所述发射光的中心波长的吸收深度的结深度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域限定所述半导体构造的光进入表面。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域具有大于所述激发光的中心波长的吸收深度的结深度，并且其中所述相应掺杂区域的所述结深度小于所述发射光的中心波长的吸收深度。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的设备，其中由所述相应掺杂区域限定的相应结的结深度被配置成使得在所述半导体构造的在所述相应结下方的高度处吸收的所述发射光的中心波长下的光子的百分比是在所述半导体构造的在所述相应结下方的高度处吸收的所述激发光的中心波长下的光子的百分比的约2倍或更多倍。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的设备，其中由所述相应掺杂区域限定的相应结的结深度被配置成使得在所述半导体构造的在所述相应结下方的高度处吸收的所述发射光的中心波长下的光子的百分比是在所述半导体构造的在所述相应结下方的高度处吸收的所述激发光的中心波长下的光子的百分比的约20倍或更多倍。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的设备，其中由所述相应掺杂区域限定的相应结的结深度被配置成使得在所述半导体构造的在所述相应结下方的高度处吸收的所述发射光的中心波长下的光子的百分比是在所述半导体构造的在所述相应结下方的高度处吸收的所述激发光的中心波长下的光子的百分比的约50倍或更多倍。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域被配置为致使由于所述激发光和所述发射光的光子在所述相应掺杂区域中被吸收而在所述相应掺杂区域中生成的电子漂移。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域被配置为致使由于所述激发光和所述发射光的光子在所述相应掺杂区域中被吸收而在所述相应掺杂区域中生成的电子沿朝向所述半导体构造的光进入表面的方向漂移。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域的尺寸被设定成以长于蓝色波长带中的光的吸收深度的结深度为特征，所述深度短于红色波长带中的光的吸收深度。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域的尺寸被设定成以长于绿色波长带中的光的吸收深度的结深度为特征，所述深度短于红色波长带中的光的吸收深度。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域的尺寸被设定成使得第一波长的所述激发光的光子的吸收深度小于所述相应掺杂区域的结深度。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域包括具有第一结深度的第一组相应掺杂区域和具有第二结深度的第二组相应掺杂区域，所述第二结深度小于所述第一结深度。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的设备，其中所述相应掺杂区域包括具有第一结深度并且被配置用于绿色波长带中的光的波长分离的第一组相应掺杂区域，以及具有第二结深度并且被配置用于蓝色波长带中的光的波长分离的第二组相应掺杂区域，所述第二结深度小于所述第一结深度。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的设备，其中所述半导体构造包括分离所述相应掺杂区域的竖直延伸的深沟槽隔离构造，其中所述多个间隔开的掺杂区域中的掺杂区域侧向接触所述竖直延伸的深沟槽隔离构造中的第一者和第二者。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的设备，其中所述多个间隔开的掺杂区域中的相应掺杂区域与所述掺杂区中的相应掺杂区对准。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的设备，其中所述多个间隔开的掺杂区域中的相应掺杂区域与所述掺杂区中的相应掺杂区对准，并且其中所述多个间隔开的掺杂区域中的相应掺杂区域与所述掺杂区中的相应掺杂区的对准的特征在于所述掺杂区中的相应掺杂区的竖直延伸的中心轴线延伸穿过所述掺杂区域中的相应掺杂区域。
19.根据权利要求1至18中任一项所述的设备，其中所述多个间隔开的掺杂区和所述多个间隔开的掺杂区域分离竖直间隔距离，其中所述多个间隔开的掺杂区具有共同顶部高度并且所述多个间隔开的掺杂区域具有共同底部高度，并且其中所述半导体构造在所述多个间隔开的掺杂区的所述共同顶部高度与所述多个间隔开的掺杂区域的所述共同底部高度之间是未掺杂的。
20.根据权利要求1至19中任一项所述的设备，其中所述反应位点中的相应反应位点与所述多个间隔开的掺杂区中的相应掺杂区相关联，并且其中所述设备包括用于照射所述反应位点中的位点的光能激发器。
21.根据权利要求1至20中任一项所述的设备，其中所述设备包括限定所述检测器表面的支撑结构，其中所述反应位点中的相应反应位点与所述多个间隔开的掺杂区中的相应掺杂区相关联，其中所述设备包括用于照射所述反应位点中的位点的光能激发器，并且其中所述设备被控制成使得所述光能激发器将激发光同时朝向所述反应位点中的多个相邻反应位点引导，以用于同时激发分别由所述反应位点中的所述多个相邻反应位点支撑的样品。
22.根据权利要求1至21中任一项所述的设备，其中所述反应位点中的相应反应位点与所述多个间隔开的掺杂区中的相应掺杂区相关联，其中所述设备包括用于照射所述反应位点中的位点的光能激发器，其中所述设备被控制成使得所述光能激发器将激发光同时朝向所述检测器表面的基本上所有反应位点引导，以用于同时激发分别由所述检测器表面的所述基本上所有反应位点支撑的样品。
23.根据权利要求1至22中任一项所述的设备，其中所述多个间隔开的掺杂区域中的相应掺杂区域与所述掺杂区中的相应掺杂区对准，并且其中所述多个间隔开的掺杂区域中的相应掺杂区域与所述掺杂区中的相应掺杂区的对准的特征在于所述掺杂区中的相应掺杂区的竖直延伸的中心轴线延伸穿过所述掺杂区域中的相应掺杂区域。
24.根据权利要求1所述的设备，其中所述相应掺杂区域具有大于所述激发光的中心波长的吸收深度的结深度，并且其中所述相应掺杂区域的所述结深度小于所述发射光的中心波长的吸收深度。
25.根据权利要求1所述的设备，其中由所述相应掺杂区域限定的相应结的结深度被配置成使得在所述半导体构造的在所述相应结下方的高度处吸收的所述发射光的中心波长下的光子的百分比是在所述半导体构造的在所述相应结下方的高度处吸收的所述激发光的中心波长下的光子的百分比的约20倍或更多倍。
26.根据权利要求1所述的设备，其中所述相应掺杂区域被配置为致使由于所述激发光和所述发射光的光子在所述相应掺杂区域中被吸收而在所述相应掺杂区域中生成的电子漂移。
27.根据权利要求1所述的设备，其中所述相应掺杂区域被配置为致使由于所述激发光和所述发射光的光子在所述相应掺杂区域中被吸收而在所述相应掺杂区域中生成的电子沿朝向所述半导体构造的光进入表面的方向漂移。
28.根据权利要求1所述的设备，其中所述相应掺杂区域包括具有第一结深度的第一组相应掺杂区域和具有第二结深度的第二组相应掺杂区域，所述第二结深度小于所述第一结深度。
29.根据权利要求1所述的设备，其中所述反应位点中的相应反应位点与所述多个间隔开的掺杂区中的相应掺杂区相关联，其中所述设备包括用于照射所述反应位点中的位点的光能激发器，其中所述设备被控制成使得所述光能激发器将激发光同时朝向所述反应位点中的多个相邻反应位点引导，以用于同时激发分别由所述反应位点中的所述多个相邻反应位点支撑的样品。
30.根据权利要求1所述的设备，其中所述相应掺杂区域限定所述半导体构造的光进入表面，其中所述相应掺杂区域具有大于所述激发光的中心波长的吸收深度的结深度，并且其中所述相应掺杂区域的所述结深度小于所述发射光的中心波长的吸收深度，其中所述多个间隔开的掺杂区和所述多个间隔开的掺杂区域分离竖直间隔距离，其中所述多个间隔开的掺杂区具有共同顶部高度并且所述多个间隔开的掺杂区域具有共同底部高度，并且其中所述半导体构造在所述多个间隔开的掺杂区的所述共同顶部高度与所述多个间隔开的掺杂区域的所述共同底部高度之间是未掺杂的，其中所述多个间隔开的掺杂区域中的相应掺杂区域与所述掺杂区中的相应掺杂区对准，并且其中所述多个间隔开的掺杂区域中的相应掺杂区域与所述掺杂区中的相应掺杂区的对准的特征在于所述掺杂区中的相应掺杂区的竖直延伸的中心轴线延伸穿过所述掺杂区域中的相应掺杂区域，其中所述检测器表面的所述反应位点中的相应反应位点与所述多个间隔开的掺杂区中的相应掺杂区相关联，其中所述设备包括用于照射所述反应位点中的位点的光能激发器，其中所述设备被控制成使得所述光能激发器将激发光同时朝向所述反应位点中的多个相邻反应位点引导，以用于同时激发分别由所述反应位点中的所述多个相邻反应位点支撑的样品。
31.一种设备，所述设备包括：
32.根据权利要求31所述的设备，包括：掺杂区域的阵列，所述掺杂区域的阵列形成在所述半导体构造中，其中所述掺杂区域的阵列包括所述掺杂区域，并且其中限定所述掺杂区域的阵列的掺杂区域中的相应掺杂区域分别与所述掺杂区的阵列中的一个掺杂区相关联。
33.根据权利要求31所述的设备，包括：掺杂区域的阵列，所述掺杂区域的阵列形成在所述半导体构造中，其中所述掺杂区域的阵列包括所述...
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