【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及x射线摄影，尤其涉及一种检测双平面影像链是否校正的方法。
技术介绍
1、双平面x射线摄影系统在成像的过程中，平板，发生器，机架，束光器，会配合运动，从而达到最好的成像效果。于此同时，平板，发生器，机架，束光器，是否校正好，对最终的图像质量有着极大的影响。如果发生器或平板没有校正好，会导致成像效果不佳，甚至无法成像。束光器和机架没有校正好，会导致成像拼接错位，甚至是无法重新拼接，无法形成三维测量的图像。从此看来，平板，发生器，束光器，机架是否校正会影响动态曝光，影响最终的图像处理和骨骼的三维重建。aec的校正是自动曝光系统的校正，可以有效的控制x光出射线的射线量，可以有效的防止发生器过曝，并有最佳的成像效果。因此aec是否校正，对单帧拍摄是否开aec有极大的影响。
2、现在针对发生器，平板，束光器，机架，aec是否校正过都是凭借个人的经验。根据最终图像的效果，比如图像的抖动，图像不清晰，图像残影，图像不均匀等指标去判断，然后做相应的校正。校正后，如果结果不好，就会做另一个校正，或者重新校正。这样没有统一的评判标准，也没有办法准确的找到问题，或者很依赖个人的经验。
3、同时，随着时间的推移，双平面x射线摄影系统已经校正好的参数会因为系统的老化而无法达到最好的成像质量的效果，需要判断是哪个设备的校正没有达到出厂要求而导致了成像质量变差。
4、因此，需要提供一种检测双平面影像链是否校正的方法，以提高检测效率及提供统一的定量评判标准。
技术实现思路>
1、本专利技术的目的是为了解决上述现有技术中存在的缺点，用最少的曝光次数检测发生器，平板，束光器，机架，aec的校正,而提供了一种检测双平面影像链是否校正的方法，包括：
2、s1：将检测盒固定在机架上，所述检测盒内设置有剂量测量仪，在所述检测盒的双平面上设置若干铅珠，所述双平面包括穿透面和成像面，所述穿透面靠近x光源发生器，所述成像面贴近平板；
3、s2：对所述检测盒进行第一次x射线照射；
4、s3：将所述剂量测量仪采集到的剂量参数与所述x光源发生器内部实际打出的剂量参数的对应值进行比较，判断所述x光源发生器是否校正；
5、s4：计算所述平板上产生的图像的灰度值标准差和灰度值均值，并根据所述灰度值标准差和所述灰度值均值判断所述平板是否校正；
6、s5：根据输入的曝光条件与所述剂量测量仪采集到的所述剂量参数计算出曝光剂量，根据所述曝光剂量判断当前场的自动曝光控制是否校正；
7、s6：对所述检测盒进行第二次、第三次x射线照射，计算三次照射中每一次的束光器实际覆盖率并取极大值、极小值和平均值共同判断所述束光器是否校正；
8、s7：计算所述穿透面上的铅珠在所述平板上成像的铅珠点和所述成像面上对应的铅珠的位置偏差，来判断所述机架是否校正。
9、进一步地，在所述检测校正前进行设备准备，具体包括：
10、保持所述检测盒水平，所述检测盒随着所述机架移动；
11、通过通讯模块传输所述剂量测量仪的数据到工作站；
12、确保所述机架和所述束光器正常调节和移动。
13、进一步地，在步骤s3中，所述x光源发生器是否校正的判断具体包括：
14、将所述剂量测量仪采集到的电压值kv、电流值ma、时间值ms、电流时间积mas与所述x光源发生器内部实际打出的电压值gkv、电流值gma、时间值gms、电流时间积gmas进行对应比较；
15、当kv/gkv和ms/gms的结果在0.8至1.25间，判定所述x光源发生器校正通过。
16、进一步地，在步骤s4中，所述平板是否校正的判断具体包括：
17、去除所述平板生成的所述图像上成像的铅珠点，再计算所述图像的灰度值标准差r与灰度值均值vm的比值，当r/vm不大于2.5％时，判定所述平板校正通过。
18、进一步地，在步骤s5中，所述自动曝光控制是否校正的判断具体包括：
19、根据所述所述曝光条件与所述剂量测量仪采集到的电压值kv、电流值ma、时间值ms、实际曝光剂量pg、计算曝光剂量raecdose，所述曝光条件包括电压值kv、自动曝光控制aec场的选择，当所述计算曝光剂量与所述实际曝光剂量raecdose/pg大于0.7并小于1.42时，判定当前场的所述自动曝光控制校正通过。
20、进一步地，在步骤s6中，所述束光器是否校正的判断具体包括：
21、在所述三次x射线照射中，计算每一次x射线在所述平板上的成像面积sr，计算每一次所述束光器输入的面积为s，计算每一次所述束光器实际覆盖率为sr/s，取所有束光器实际覆盖率中的极大值、极小值和平均值，
22、当所述极大值大于1.05且所述极小值小于0.95时，判定所述束光器存在位置未校正；
23、当所述平均值大于0.98且小于1.02时，判定所述束光器校正通过，否则校正未通过。
24、进一步地，在步骤s7中，所述机架是否校正的判断具体包括：
25、所述成像面上的若干所述铅珠的设置位置x为在无偏差的理想x光源点照射下所述穿透面的各个所述铅珠在所述平板上的成像点；
26、以所述成像面上的所述x光源发生器产生光源的主光轴所在的铅珠位置为原点建立坐标系i；
27、在所述坐标系中，所述穿透面上的各个所述铅珠在所述平板上成像的铅珠点为x'。
28、优选地，取所述穿透面对应所述主光轴所在位置的铅珠在所述平板上成像的铅珠点i'和坐标系原点的向量ii'，以及所述平板上成像的铅珠点x'和对应的所述成像面上的所述铅珠x之间的向量xx'进行上下左右偏差的计算。
29、更优地，通过向量ii'计算所述机架在垂直距离的偏差dv公式如下：
30、dv＝ii'(y)'×(sid-lj)/lj，
31、其中，ii'(y)'为ii'在所述坐标系y轴上的投影，sid为所述光源与所述平板之间的源像距，所述lj为所述正方体检测盒的边长；
32、分别计算所述三次x射线照射中每一次照射的所述机架在垂直距离的偏差dv，取其中的极大值同时计算平均值，当所述极大值小于1mm并且所述平均值小于0.5mm时，判定所述机架垂直方向校正通过。
33、进一步地，所述平板上成像的铅珠点x'和对应的所述成像面上的所述铅珠x之间的向量xx'进行上下左右偏差的计算具体包括：
34、根据相似三角形原理首先得出x'i'＝x'x×(lj+sid)/lj,从所述坐标系中可以得出x'的坐标x'y，从而计算得到i'的坐标i'y＝x'y-x'i'，将计算出的坐标i'y与所述坐标系实际得到的i'的坐标对比，当误差小于0.001时，判定所述机架校正通过。
35、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
36、(1)本专利技术用最少的曝光次数检测双平面数字x射线成像系统中的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种检测双平面影像链是否校正的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的检测双平面影像链是否校正的方法，其特征在于，在所述检测校正前进行设备准备，具体包括：
3.根据权利要求1所述的检测双平面影像链是否校正的方法，其特征在于，在步骤S3中，所述X光源发生器是否校正的判断具体包括：
4.根据权利要求1所述的检测双平面影像链是否校正的方法，其特征在于，在步骤S4中，所述平板是否校正的判断具体包括：
5.根据权利要求1所述的检测双平面影像链是否校正的方法，其特征在于，在步骤S5中，所述自动曝光控制是否校正的判断具体包括：
6.根据权利要求1所述的检测双平面影像链是否校正的方法，其特征在于，在步骤S6中，所述束光器是否校正的判断具体包括：
7.根据权利要求1所述的检测双平面影像链是否校正的方法，其特征在于，在步骤S7中，所述机架是否校正的判断具体包括：
8.根据权利要求7所述的检测双平面影像链是否校正的方法，其特征在于，取所述穿透面对应所述主光轴所在位置的铅珠在所述平板上成像的铅珠点i′和坐标
9.根据权利要求8所述的检测双平面影像链是否校正的方法，其特征在于，通过向量ii′计算所述机架在垂直距离的偏差dv公式如下：
10.根据权利要求9所述的检测双平面影像链是否校正的方法，其特征在于，进一步地，所述平板上成像的铅珠点x′和对应的所述成像面上的所述铅珠x之间的向量xx′进行上下左右偏差的计算具体包括：
...【技术特征摘要】
1.一种检测双平面影像链是否校正的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的检测双平面影像链是否校正的方法，其特征在于，在所述检测校正前进行设备准备，具体包括：
3.根据权利要求1所述的检测双平面影像链是否校正的方法，其特征在于，在步骤s3中，所述x光源发生器是否校正的判断具体包括：
4.根据权利要求1所述的检测双平面影像链是否校正的方法，其特征在于，在步骤s4中，所述平板是否校正的判断具体包括：
5.根据权利要求1所述的检测双平面影像链是否校正的方法，其特征在于，在步骤s5中，所述自动曝光控制是否校正的判断具体包括：
6.根据权利要求1所述的检测双平面影像链是否校正的方法，其特征在于，在步骤s6中，所述束光器是否校正的判断具体包括：
7....
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋永亮，幺轶群，
申请(专利权)人：上海涛影医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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