【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜组件的制造方法。
技术介绍
1、已知在电子部件、印刷基板、显示面板等物体的表面涂布感光性物质并曝光成图案状而形成图案的技术(即，光刻法)。光刻法中，使用在一面形成有图案的透明基板。该透明基板被称为光掩模(以下，也称为“原版”。)。光掩模上会安装防护膜组件以防止尘埃等异物附着于光掩模的表面。
2、专利文献1公开了一种防护膜组件。专利文献1中公开的防护膜组件具有防护膜、防护膜组件框架以及粘着层。防护膜贴附于防护膜组件框架的一个端面。粘着层设置于防护膜组件框架的另一个端面。粘着层含有特定量的导热性填充材料。
3、专利文献1：日本特开2011-53603号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、然而，在将专利文献1中记载那样的防护膜组件安装于曝光装置来使用时，可能在防护膜以及曝光装置内附着污垢。这样的污垢被认为是由粘着层产生的释气所造成的。
3、本公开是鉴于上述情况而完成的。
4、本公开的一个实施方式所要解决的课题是，提供不易产生释气的防护膜组件、曝光原版、曝光装置以及防护膜组件的制造方法。
5、用于解决课题的方法
6、用于解决上述课题的方法包括以下实施方式。
7、＜1＞一种防护膜组件，其具备：
8、防护膜组件框、
9、支撑于上述防护膜组件框的一个端面的防护膜、以及
10、设于上述防护膜组件框的另
11、上述粘着层的表面中内壁面和外壁面的至少一者满足下述式(1)。
12、式(1)：([a2s]/[a50s])≤0.97
13、(上述式(1)中，
14、[a2s]表示：通过飞行时间型二次离子质谱法，并使用离子源为bi3++离子且照射区域为100μm×100μm的一次离子枪，对上述粘着层的距表面的深度为第一深度的第一深部进行分析而得的上述粘着层的主剂成分所含的部分结构的归一化强度，
15、上述第一深度是通过用溅射离子枪对上述表面的600μm见方的区域进行累计2秒照射而形成的，上述溅射离子枪是射束电压为20kv且射束电流为20na的氩气团簇离子束，
16、[a50s]表示：通过飞行时间型二次离子质谱法对上述深度为第二深度的第二深部进行分析而得的上述粘着层的主剂成分所含的部分结构的归一化强度，
17、上述第二深度是通过用上述溅射离子枪对上述区域进行累计50秒照射而形成的。)
18、＜2＞如上述＜1＞所述的防护膜组件，上述主剂成分所含的部分结构为c3h3ο+、c7h7+或ch3si+。
19、＜3＞如上述＜1＞或＜2＞所述的防护膜组件，上述内壁面和上述外壁面中，满足上述式(1)的至少一者满足下述式(2)。
20、式(2)：([cno-2s]/[cno-50s])≥2.00
21、(上述式(2)中，
22、[cno-2s]表示：通过飞行时间型二次离子质谱法对上述第一深部进行分析而得的cno-的归一化强度，
23、[cno-50s]表示：通过飞行时间型二次离子质谱法对上述第二深部进行分析而得的cno-的归一化强度。)
24、＜4＞如上述＜1＞～＜3＞中任一项所述的防护膜组件，上述内壁面和上述外壁面中，满足上述式(1)的至少一者满足下述式(3)。
25、式(3)：([cn-2s]/[cn-50s])≥2.00
26、(上述式(3)中，
27、[cn-2s]表示：通过飞行时间型二次离子质谱法对上述第一深部进行分析而得的cn-的归一化强度，
28、[cn-50s]表示：通过飞行时间型二次离子质谱法对上述第二深部进行分析而得的cn-的归一化强度。)
29、＜5＞如上述＜1＞～＜4＞中任一项所述的防护膜组件，上述内壁面和上述外壁面中，满足上述式(1)的至少一者满足下述式(4)。
30、式(4)：([cno-6s]/[cno-50s])≥1.50
31、(上述式(4)中，
32、[cno-6s]表示：通过飞行时间型二次离子质谱法，并使用离子源为bi3++离子且照射区域为100μm×100μm的一次离子枪，对上述粘着层的距表面的深度为第三深度的第三深部进行分析而得的cno-的归一化强度，
33、上述第三深度是通过用溅射离子枪对上述表面的600μm见方的区域进行累计6秒照射而形成的，上述溅射离子枪是射束电压为20kv且射束电流为20na的氩气团簇离子束，
34、[cno-50s]表示：通过飞行时间型二次离子质谱法对上述第二深部进行分析而得的cno-的归一化强度。)
35、＜6＞如上述＜1＞～＜5＞中任一项所述的防护膜组件，上述内壁面和上述外壁面中，满足上述式(1)的至少一者满足下述式(5)。
36、式(5)：
37、(上述式(5)中，
38、表示：通过飞行时间型二次离子质谱法对上述第一深部进行分析而得的c3-的归一化强度，
39、表示：通过飞行时间型二次离子质谱法对上述第二深部进行分析而得的c3-的归一化强度。)
40、＜7＞如上述＜1＞～＜6＞中任一项所述的防护膜组件，上述内壁面和上述外壁面的至少一者的碳原子浓度为35at％以上，
41、上述碳原子浓度表示：在上述内壁面和上述外壁面的至少一者的x射线光电子能谱法的窄光谱中，来源于碳原子的峰成分的积分强度相对于所有成分的峰成分的积分强度的比例(％)。
42、＜8＞如上述＜1＞～＜7＞中任一项所述的防护膜组件，上述内壁面和上述外壁面的至少一者的氮原子浓度为1.0at％以上，
43、上述氮原子浓度表示：在上述内壁面和上述外壁面的至少一者的x射线光电子能谱法的窄光谱中，来源于氮原子的峰成分的积分强度相对于所有成分的峰成分的积分强度的比例(％)。
44、＜9＞一种曝光原版，其包含具有图案的原版、以及安装于上述原版中的具有图案的一侧的面的上述＜1＞～＜8＞中任一项所述的防护膜组件。
45、＜10＞一种曝光装置，其具有发出曝光光的光源、上述＜9＞所述的曝光原版、以及将从上述光源发出的曝光光引导至上述曝光原版的光学系统，上述曝光原版以从上述光源发出的曝光光透过上述防护膜而照射至上述原版的方式配置。
46、＜11＞一种防护膜组件的制造方法，其为制造上述＜1＞～＜8＞中任一项所述的防护膜组件的方法，包括以下工序：
47、将涂布组合物涂布于上述防护膜组件框的另一个端面并加热而形成粘着层前体，对所形成的粘着层前体的表面中内壁面和外壁面的至少一者实施等离子体氮化处理或极紫外线照射处理，从而形成上述粘着层。
48、＜12＞如上述＜11＞所述的防护膜组件的制造方法，上述粘着层本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种防护膜组件，其具备：
2.根据权利要求1所述的防护膜组件，所述主剂成分所含的部分结构为C3H3Ο+、C7H7+或CH3Si+。
3.根据权利要求1或2所述的防护膜组件，所述内壁面和所述外壁面中，满足所述式(1)的至少一者满足下述式(2)，
4.根据权利要求1或2所述的防护膜组件，所述内壁面和所述外壁面中，满足所述式(1)的至少一者满足下述式(3)，
5.根据权利要求3所述的防护膜组件，所述内壁面和所述外壁面中，满足所述式(1)的至少一者满足下述式(4)，
6.根据权利要求1或2所述的防护膜组件，所述内壁面和所述外壁面中，满足所述式(1)的至少一者满足下述式(5)，
7.根据权利要求1或2所述的防护膜组件，所述内壁面和所述外壁面的至少一者的碳原子浓度为35at％以上，
8.根据权利要求1或2所述的防护膜组件，所述内壁面和所述外壁面的至少一者的氮原子浓度为1.0at％以上，
9.一种曝光原版，其包含具有图案的原版、以及安装于所述原版中的具有图案的一侧的面的权利要求1或2所述的防护膜
10.一种曝光装置，其具有发出曝光光的光源、权利要求9所述的曝光原版、以及将从所述光源发出的曝光光引导至所述曝光原版的光学系统，所述曝光原版以从所述光源发出的曝光光透过所述防护膜而照射至所述原版的方式配置。
11.一种防护膜组件的制造方法，其为制造权利要求1或2所述的防护膜组件的方法，包括以下工序：
12.根据权利要求11所述的防护膜组件的制造方法，所述粘着层包含丙烯酸系粘着剂，所述制造方法具备以下工序：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种防护膜组件，其具备：
2.根据权利要求1所述的防护膜组件，所述主剂成分所含的部分结构为c3h3ο+、c7h7+或ch3si+。
3.根据权利要求1或2所述的防护膜组件，所述内壁面和所述外壁面中，满足所述式(1)的至少一者满足下述式(2)，
4.根据权利要求1或2所述的防护膜组件，所述内壁面和所述外壁面中，满足所述式(1)的至少一者满足下述式(3)，
5.根据权利要求3所述的防护膜组件，所述内壁面和所述外壁面中，满足所述式(1)的至少一者满足下述式(4)，
6.根据权利要求1或2所述的防护膜组件，所述内壁面和所述外壁面中，满足所述式(1)的至少一者满足下述式(5)，
7.根据权利要求1或2所述的防护膜组件，所述内壁面和所述外壁面的至少一者...
【专利技术属性】
技术研发人员：田中博文，小野阳介，石川彰，佐藤靖，石川比佐子，藤村真史，大久保敦，高村一夫，
申请(专利权)人：三井化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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