【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及全彩led显示器及其制造方法。
技术介绍
1、微型led和纳米led可实现优秀的色感和高的效率，且为环保物质，因而用作各种光源、显示器的核心原材料。根据这种市场情况，最近进行用于利用新的纳米棒led结构或新的制造工序开发涂敷有壳的纳米电缆led的研究。同时还进行对用于实现覆盖纳米棒外部面的保护膜的高效率、高稳定性的保护膜原材料的研究或对有利于后续工序的配体原材料的研究开发。
2、根据这种原材料领域的研究，最近还商用化到利用红色、绿色、蓝色微型-led的显示器tv中。利用微型-led的显示器、各种光源虽具有高性能特性、理论寿命和效率很长且高的优点，但需要在受限的区域的小型化的电极上逐一单个配置微型led，因而当考虑高成本、高的工序不良率、低生产率时，利用抓取(pick place)技术将微型-led配置于电极上来实现的电极组件因工序技术受限而当前难以制造成智能手机到tv的真正意义上的高分辨率商用显示器或具有多种大小、形状、亮度的光源。同时当前更难以利用微型-led之类的抓取(pick and place)技术在电极上单个逐一配置以小于微型-led的方式实现的纳米-led。
3、为了克服这种难点，授权专利公报第10-1436123号中公开通过子像素中投入混合有纳米棒型led的溶液之后，在两个对准电极之间形成电场(electric field)来使纳米棒型led器件自对准于电极上，以形成子像素的工艺制造的显示器。但是对于使用的纳米棒型led器件而言，led器件长轴与形成器件的层的层叠方向，即，p-
4、对此，为了解决这种问题，可考虑变更结构，以使棒型led器件长轴垂直于各个层的层叠方向，这种情况下，长轴需要成为led器件的长度和/或宽度，器件的厚度相比于长度或宽度变薄，因而当蚀刻晶片时，蚀刻深度浅，产生表面缺陷的可能性少，但蚀刻之后与晶片相连接的蚀刻的led柱下部面的面积大，难以分离蚀刻的led柱。并且，分离时分离的led器件未完全分离，有可能难以获取具有所目的的大小及效率的led器件。同时在n型半导体层及p型半导体层的层叠方向垂直于器件长轴的棒型led器件中，当施加电场通过介电泳在电极上安装led器件时，需要以使p型半导体层或n型半导体层的面位于电极上的方式自对准，当以使器件侧面相接在电极上的方式自对准时，存在若施加驱动电源，则发生电气短路，无法发光的问题。并且，当以使非侧面的led器件的p型半导体层或n型半导体层的面位于电极上的方式自对准时，作为位于电极上的层，并不是p型半导体层及n型半导体层中的一种更好，而是随机或只有微小的差异，存在不能将直流电源选择为驱动电源的驱动电源选择上的限制。
技术实现思路
1、技术问题
2、本专利技术是为了解决上述的问题而研究出的，其目的在于，提供增加发光面积的同时减少暴露于表面的光活性层厚度，以防止表面缺陷引起的效率下降，将根据电子及空穴速度的不均匀的电子-空穴复合效率下降及由此引起的发光效率下降最小化，对于光提取效率，维持高效率，利用亮度进一步得到改善的led器件，将当通过介电泳在下部电极上自对准时有可能引起电气短路的侧面接触最小化，可提高可驱
3、动的安装效率的全彩led显示器及其制造方法。
4、并且，本专利技术的另一目的在于，提供提高配置的led器件的可驱
5、动的安装比率的同时使led器件的特定一面选择性地接触于下部电极
6、上，将驱动电源的选择范围扩大至直流电源，可实现更高亮度的发光
7、效率的全彩led显示器及其制造方法。
8、本专利技术是在以下国家研发事业的支持下进行研究的，国家研发事业的详细信息如下。
9、【课题固有编号】1415174040
10、【课题编号】20016290(a2023-0233)
11、【部门名称】产业通商资源部
12、【课题管理(专业)机构名称】韩国产业技术评价管理院
13、【研究事业名称】电子部件产业技术开发-超大型微led模块化显示器
14、【研究课题名称】用于模块化显示器的亚微米蓝光光源技术开发
15、【课题执行机构名称】国民大学产学合作财团
16、【研究期间】2023-01-01～2023-12-31
17、【课题固有编号】1711130702
18、【课题编号】2021r1a2c2009521(a2023-0130)
19、【部门名称】科学技术信息通信部
20、【课题管理(专业)机构名称】韩国国家研究基金会
21、【研究事业名称】骨干研究员支持事业
22、【研究课题名称】dot-led材料及显示器原创/应用技术开发
23、【课题执行机构名称】国民大学产学合作团
24、【研究期间】2023.03.01～2024.02.29
25、解决问题的方案
26、为了解决上述的问题，本专利技术的第一实例提供全彩led显示器制造方法，其包括：步骤(1)，将包括由以相互垂直的x轴、y轴及z轴为基准x轴方向成为长轴且向多个层层叠的z轴方向相向的第一面及第二面和剩余侧面形成，具有实质上相同的光色的超薄型引脚led器件的溶液投入于形成有多个子像素区域(sub-pixel sites)的下部电极线的上部；步骤(2)，对上述下部电极线施加组装电源，来使投入于各个子像素区域的内部的超薄型引脚led器件分别自对准于上述下部电极线的上部，以使器件的多个面中第一面或第二面相比于侧面更好地成为安装面；步骤(3)，在自对准的多个超薄型引脚led器件的上部形成上部电极线；以及步骤(4)，在与子像素区域相对应的上述上部电极线的上部将颜色转换层图案化，以使每个上述多个子像素区域成为表达蓝色、绿色及红色中的一种颜色的子像素区域。
27、并且，本专利技术的第二实例提供全彩led显示器制造方法，其包括：步骤(a)，将分别包括由以相互垂直的x轴、y轴及z轴为基准x轴方向成为长轴且向多个层层叠的z轴方向相向的第一面及第二面和剩余侧面形成的蓝色超薄型引脚led器件、绿色超薄型引脚led器件及红色超薄型引脚led器件的溶液投入于形成有多个子像素区域(sub-pixel sites)的下部电极线的上部，以使每个子像素区域表达相同的光色；步骤(b)，对上述下部电极线施加组装电源，来使投入于各个子像素区域本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种全彩LED显示器制造方法，其特征在于，包括：
2.一种全彩LED显示器制造方法，其特征在于，包括：
3.根据权利要求1或2所述的全彩LED显示器制造方法，其特征在于，上述超薄型引脚LED器件的内部的多个层可包括n型导电型半导体层、光活性层及p型导电型半导体层。
4.根据权利要求1或2所述的全彩LED显示器制造方法，其特征在于，上述超薄型引脚LED器件的内部的具有第一面的最下层在从第一面达到规定的厚度的区域含有多个气孔。
5.根据权利要求1或2所述的全彩LED显示器制造方法，其特征在于，上述超薄型引脚LED器件的内部的具有第二面的最上部层具有大于具有第一面的最下部层的导电系数。
6.根据权利要求5所述的全彩LED显示器制造方法，其特征在于，上述最上部层的导电系数为最下部层的导电系数的10倍以上。
7.根据权利要求1或2所述的全彩LED显示器制造方法，其特征在于，上述超薄型引脚LED器件还具有旋转诱导膜，上述旋转诱导膜包围器件的侧面，以便于在自对准的步骤中施加组装电源来形成的电场下向x轴方向产生以贯通器件
8.根据权利要求7所述的全彩LED显示器制造方法，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的全彩LED显示器制造方法，其特征在于，上述旋转诱导膜在上述频率范围内根据上述数学式1的K(ω)值的实部满足大于0且0.62以下。
10.根据权利要求1或2所述的全彩LED显示器制造方法，其特征在于，上述组装电源的频率为1kHz～100MHz，电压为5Vpp～100Vpp。
11.一种全彩LED显示器，其特征在于，包括：
12.一种全彩LED显示器，其特征在于，包括：
13.根据权利要求11或12所述的全彩LED显示器，其特征在于，
14.根据权利要求11或12所述的全彩LED显示器，其特征在于，上述超薄型引脚LED器件的作为y轴方向长度的宽度小于作为z轴方向的长度的厚度。
15.根据权利要求11或12所述的全彩LED显示器，其特征在于，安装的多个超薄型引脚LED器件的上述能够驱动的安装比率为70％以上。
16.根据权利要求11或12所述的全彩LED显示器，其特征在于，作为以使安装的多个超薄型引脚LED器件中第一面及第二面中的一面与下部电极线相接触的方式安装的器件的数量比率的选择性安装比率满足70％以上。
17.根据权利要求16所述的全彩LED显示器，其特征在于，上述选择性安装比率满足85％以上。
18.根据权利要求11所述的全彩LED显示器，其特征在于，上述光色为蓝色、白色或紫外线。
...【技术特征摘要】
1.一种全彩led显示器制造方法，其特征在于，包括：
2.一种全彩led显示器制造方法，其特征在于，包括：
3.根据权利要求1或2所述的全彩led显示器制造方法，其特征在于，上述超薄型引脚led器件的内部的多个层可包括n型导电型半导体层、光活性层及p型导电型半导体层。
4.根据权利要求1或2所述的全彩led显示器制造方法，其特征在于，上述超薄型引脚led器件的内部的具有第一面的最下层在从第一面达到规定的厚度的区域含有多个气孔。
5.根据权利要求1或2所述的全彩led显示器制造方法，其特征在于，上述超薄型引脚led器件的内部的具有第二面的最上部层具有大于具有第一面的最下部层的导电系数。
6.根据权利要求5所述的全彩led显示器制造方法，其特征在于，上述最上部层的导电系数为最下部层的导电系数的10倍以上。
7.根据权利要求1或2所述的全彩led显示器制造方法，其特征在于，上述超薄型引脚led器件还具有旋转诱导膜，上述旋转诱导膜包围器件的侧面，以便于在自对准的步骤中施加组装电源来形成的电场下向x轴方向产生以贯通器件的中心的虚拟的旋转轴为基准的旋转扭矩。
8.根据权利要求7所述的全彩led显示器制造方法，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的全彩led显示器制造方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：都永洛，
申请(专利权)人：国民大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：
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