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用于收发器的接口制造技术

技术编号:41060066 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-24 11:11
本发明专利技术公开了一种设备(105),该设备包括变压器(240),该变压器具有第一电感器(245)、第二电感器(250)和第三电感器(255)。该设备(105)还包括:功率放大器(110),该功率放大器具有耦合到第一电感器(245)的输出;低噪声放大器(120),该低噪声放大器具有耦合到第三电感器(255)的第一端子的输入;和第四电感器(320),该第四电感器具有第一端子和第二端子,其中第四电感器(320)的第二端子耦合到第三电感器(255)的第二端子。该设备(105)还包括开关(310),该开关耦合在第三电感器(255)的第一端子与第四电感器(320)的第一端子之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开的各方面整体涉及无线通信,并且更具体地涉及用于收发器的接口


技术介绍

1、无线设备包括用于经由一个或多个天线发射和接收射频(rf)信号的收发器。收发器可包括功率放大器(pa)和低噪声放大器(lna),该pa被配置为放大rf信号以经由天线发射,该lna被配置为放大天线接收到的rf信号。收发器还可包括接口电路,该接口电路被配置为将pa和lna耦合到天线。


技术实现思路

1、以下内容呈现了对一个或多个具体实施的简要概括,以便提供对此类具体实施的基本理解。该概括不是对全部预期具体实施的详尽概述,并且不旨在于标识全部具体实施的关键或重要元素,也不旨在于描绘任何或全部具体实施的范围。其唯一的目的是以简化的形式介绍一个或多个具体实施的一些概念,作为随后介绍的更详细描述的序言。

2、第一方面涉及一种设备。该设备包括变压器,该变压器包括第一电感器、第二电感器和第三电感器。该设备还包括:功率放大器,该功率放大器具有耦合到第一电感器的输出;低噪声放大器,该低噪声放大器具有耦合到第三电感器的第一端子的输入;和第四电感器,该第四电感器具有第一端子和第二端子,其中第四电感器的第二端子耦合到第三电感器的第二端子。该设备还包括开关,该开关耦合在第三电感器的第一端子与第四电感器的第一端子之间。

3、第二方面涉及一种用于操作收发器的方法。该收发器包括变压器、功率放大器和低噪声放大器,其中变压器包括:第一电感器,该第一电感器耦合到功率放大器的输出;第二电感器,该第二电感器耦合到天线;和第三电感器,该第三电感器耦合到低噪声放大器的输入。该方法包括:在发射模式下,将第四电感器耦合到变压器的第三电感器;使用功率放大器来放大第一射频(rf)信号;以及经由变压器将第一rf信号从功率放大器耦合到天线。该方法还包括:在接收模式下,将第四电感器从变压器的第三电感器解耦;经由变压器将天线接收到的第二rf信号耦合到低噪声放大器;以及使用低噪声放大器来放大第二rf信号。

4、第三方面涉及一种设备。该设备包括天线、功率放大器、低噪声放大器和接口电路。接口电路中的每个接口电路包括相应变压器,该相应变压器包括相应第一电感器、相应第二电感器和相应第三电感器,其中相应第一电感器与相应第二电感器磁耦合,相应第二电感器与相应第三电感器磁耦合,相应第一电感器耦合到功率放大器中的相应功率放大器的输出,相应第二电感器耦合到天线中的相应天线,并且相应第三电感器具有第一端子,该第一端子耦合到低噪声放大器中的相应低噪声放大器的输入。接口电路中的每个接口电路还包括:相应第四电感器,该相应第四电感器具有第一端子和第二端子,其中相应第四电感器的第二端子耦合到相应第三电感器的第二端子;和相应开关,该相应开关耦合在相应第三电感器的第一端子与相应第四电感器的第一端子之间。

5、第四方面涉及一种设备。该设备包括变压器,该变压器包括第一电感器、第二电感器和第三电感器,其中第一电感器与第二电感器磁耦合,并且第二电感器与第三电感器磁耦合。该设备包括:用于在发射模式下使用第一射频(rf)信号驱动第一电感器的装置;用于在接收模式下放大经由第三电感器接收的第二rf信号的装置;用于在该发射模式下将第四电感器的第一端子耦合到第三电感器的第一端子的装置;和用于在该接收模式下将第四电感器的第一端子从第三电感器的第一端子解耦的装置;其中第四电感器的第二端子耦合到第三电感器的第二端子。

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【技术保护点】

1.一种设备,所述设备包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一电感器与所述第二电感器磁耦合,并且所述第二电感器与所述第三电感器磁耦合。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述第二电感器耦合到天线。

4.根据权利要求3所述的设备,其中所述第二电感器具有耦合到所述天线的第一端子和耦合到地的第二端子。

5.根据权利要求3所述的设备,其中所述天线是天线阵列的一部分。

6.根据权利要求1所述的设备,其中所述第四电感器的所述第二端子耦合到地。

7.根据权利要求1所述的设备,所述设备还包括电容器,所述电容器耦合在所述第四电感器的所述第二端子与地之间。

8.根据权利要求1所述的设备,其中所述功率放大器的所述输出是差分输出,所述差分输出包括第一输出和第二输出,并且所述第一电感器耦合在所述第一输出与所述第二输出之间。

9.根据权利要求1所述的设备,所述设备还包括控制器,所述控制器耦合到所述开关的控制输入,其中所述控制器被配置为:

10.根据权利要求9所述的设备,其中所述开关包括晶体管,所述晶体管具有耦合到所述开关的所述控制输入的栅极。

11.根据权利要求10所述的设备,其中所述晶体管具有耦合到所述低噪声放大器的所述输入的漏极和耦合到所述第四电感器的所述第一端子的源极。

12.根据权利要求1所述的设备,所述设备还包括混频器,所述混频器耦合到所述功率放大器的输入。

13.根据权利要求12所述的设备,所述设备还包括中频(IF)电路,所述中频(IF)电路具有输入和输出,其中所述IF电路被配置为:

14.根据权利要求1所述的设备,所述设备还包括相移器,所述相移器耦合到所述功率放大器的输入。

15.根据权利要求1所述的设备,所述设备还包括混频器,所述混频器耦合到所述低噪声放大器的输出。

16.根据权利要求1所述的设备,所述设备还包括相移器,所述相移器耦合到所述低噪声放大器的输出。

17.一种用于操作收发器的方法,所述收发器包括变压器、功率放大器和低噪声放大器,其中所述变压器包括:第一电感器,所述第一电感器耦合到所述功率放大器的输出;第二电感器,所述第二电感器耦合到天线;和第三电感器,所述第三电感器耦合到所述低噪声放大器的输入,所述方法包括:

18.根据权利要求17所述的方法,其中所述收发器包括在所述低噪声放大器的输入与所述第四电感器之间的开关,并且将所述第四电感器耦合到所述变压器的所述第三电感器包括接通所述开关。

19.根据权利要求18所述的方法,其中将所述第四电感器从所述变压器的所述第三电感器解耦包括关断所述开关。

20.一种设备,所述设备包括:

21.根据权利要求20所述的设备,其中在所述接口电路中的每个接口电路中,所述相应第二电感器耦合在所述天线中的相应天线与地之间。

22.根据权利要求20所述的设备,其中在所述接口电路中的每个接口电路中,所述相应第四电感器的所述第二端子耦合到地。

23.根据权利要求20所述的设备,其中所述接口电路中的每个接口电路还包括相应电容器,所述相应电容器耦合在所述相应第四电感器的所述第二端子与地之间。

24.根据权利要求20所述的设备,所述设备还包括控制器,所述控制器被配置为:

25.根据权利要求20所述的设备,所述设备还包括:

26.根据权利要求25所述的设备,所述设备还包括混频器,所述混频器耦合到所述分路器的输入。

27.一种设备,所述设备包括:

28.根据权利要求27所述的设备,其中所述第二电感器耦合到天线。

29.根据权利要求27所述的设备,其中所述第四电感器的所述第二端子耦合到地。

30.根据权利要求27所述的设备,所述设备还包括电容器,所述电容器耦合在所述第四电感器的所述第二端子与地之间。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种设备,所述设备包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一电感器与所述第二电感器磁耦合,并且所述第二电感器与所述第三电感器磁耦合。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述第二电感器耦合到天线。

4.根据权利要求3所述的设备,其中所述第二电感器具有耦合到所述天线的第一端子和耦合到地的第二端子。

5.根据权利要求3所述的设备,其中所述天线是天线阵列的一部分。

6.根据权利要求1所述的设备,其中所述第四电感器的所述第二端子耦合到地。

7.根据权利要求1所述的设备,所述设备还包括电容器,所述电容器耦合在所述第四电感器的所述第二端子与地之间。

8.根据权利要求1所述的设备,其中所述功率放大器的所述输出是差分输出,所述差分输出包括第一输出和第二输出,并且所述第一电感器耦合在所述第一输出与所述第二输出之间。

9.根据权利要求1所述的设备,所述设备还包括控制器,所述控制器耦合到所述开关的控制输入,其中所述控制器被配置为:

10.根据权利要求9所述的设备,其中所述开关包括晶体管,所述晶体管具有耦合到所述开关的所述控制输入的栅极。

11.根据权利要求10所述的设备,其中所述晶体管具有耦合到所述低噪声放大器的所述输入的漏极和耦合到所述第四电感器的所述第一端子的源极。

12.根据权利要求1所述的设备,所述设备还包括混频器,所述混频器耦合到所述功率放大器的输入。

13.根据权利要求12所述的设备,所述设备还包括中频(if)电路,所述中频(if)电路具有输入和输出,其中所述if电路被配置为:

14.根据权利要求1所述的设备,所述设备还包括相移器,所述相移器耦合到所述功率放大器的输入。

15.根据权利要求1所述的设备,所述设备还包括混频器,所述混频器耦合到所述低噪声放大器的输出。

16.根据权利要求1所述的设备,所述设...

【专利技术属性】
技术研发人员:俞欣旻具本贤冯云飞王川
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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