一种包含集成无源器件的射频收发前端制造技术

技术编号:41028570 阅读:7 留言:0更新日期:2024-04-18 22:13
本申请提供射频收发前端包括:集成无源器件、芯片外天线开关、低频低噪声放大器、中频低噪声放大器、低频功率放大器、中频功率放大器;集成无源器件包括低频发射通路、中频发射通路、低频接收通路、中频接收通路;低频发射通路与芯片外天线开关、低频功率放大器连接,低频段发射信号阻抗匹配及谐波抑制;低频接收通路与芯片外天线开关、低频低噪声放大器连接,对低频段的接收信号进行匹配和滤波;中频发射通路与芯片外天线开关、中频功率放大器连接,对中频段的发射信号进行匹配及谐波抑制;中频接收通路与芯片外天线开关、中频低噪声放大器连接,中频段接收信号匹配。集成片外无源滤波器和无源器件并与有源芯片合封,降低成本及系统复杂性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路,特别涉及一种包含集成无源器件的射频收发前端


技术介绍

1、在传统的无线通信系统nbiot模组中,射频收发模组通常是在芯片外pcb上实现收发滤波和阻抗匹配。因此,低频带和中频带通路接收端和发射端会涉及到天线开关、滤波器、电感和电容等器件,数量繁多,不利于整个模组的集成化和小型化,成本较高,且不同模组pcb生产及贴片差异化较大,也不利于收发系统的一致性,影响整体性能。


技术实现思路

1、本申请为了解决上述技术问题,提供了一种包含集成无源器件的射频收发前端,包括:

2、集成无源器件、芯片外天线开关、低频低噪声放大器、中频低噪声放大器、低频功率放大器、中频功率放大器;所述集成无源器件包括低频发射通路、中频发射通路、低频接收通路、中频接收通路;

3、所述低频发射通路,与所述芯片外天线开关、所述低频功率放大器连接,用于低频段发射信号匹配及谐波抑制;

4、所述低频接收通路,与所述芯片外天线开关、所述低频低噪声放大器连接,用于对低频段的接收信号进行匹配以及高次谐波抑制;

5、所述中频发射通路,与所述芯片外天线开关、所述中频功率放大器连接,用于对中频段的发射信号进行匹配,以及高次谐波抑制;

6、所述中频接收通路,与所述芯片外天线开关、所述中频低噪声放大器连接,用于中频段接收信号匹配。

7、在一些实施方式中,在所述集成无源器件中,所述低频发射通路包括低频巴伦、低频陷波网络、低频高阶低通滤波器、第二电容、第三电容、第六电容、第七电容、第十电容、第三电感;

8、其中,所述低频巴伦的输入端与所述低频陷波网络两端并联,所述低频巴伦的输出端与所述低频高阶低通滤波器连接,所述低频巴伦的中心抽头与芯片电源端连接。

9、在一些实施方式中,在所述集成无源器件中,所述中频发射通路包括中频巴伦、中频陷波网络、中频高阶低通滤波器、第四电容、第五电容、第八电容、第九电容、第十一电容、第四电感;

10、所述中频巴伦的输出端与所述中频陷波网络、所述中频高阶低通滤波器一端连接,所述中频陷波网络另一端接地;

11、所述中频巴伦的中心抽头与所述低频巴伦中心抽头连接并最终与芯片电源端连接。

12、在一些实施方式中,所述中频接收通路为中频匹配网络,包括:第一电感;

13、所述第一电感的一端与所述芯片外天线开关连接,所述第一电感的另一端通过封装键合线与所述中频低噪声放大器连接。

14、在一些实施方式中,所述低频接收通路为低频匹配滤波网络,包括:第二电感、第一电容;

15、所述第二电感与所述第一电容并联,其一端与所述芯片外天线开关连接,另一端通过封装键合线与所述低频低噪声放大器连接,用于高次谐波抑制。

16、在一些实施方式中,所述低频巴伦,包括:低频巴伦输出线圈、低频巴伦输入线圈;

17、所述低频巴伦输出线圈与所述第二电容一端连接,所述第二电容的一端连接所述低频高阶低通滤波器一端,所述第二电容的另一端接地,所述低频高阶低通滤波器另一端与所述芯片外天线开关连接;

18、所述低频巴伦输入线圈的两端分别与所述第十电容两端相连;所述低频巴伦输入线圈的两端还分别与所述第六电容的一端和所述第七电容的一端连接,所述第六电容的另一端和所述第七电容的另一端接地;其中,所述第六电容和所述第七电容与接地封装打线形成高频谐振网络,用于发射信号谐波抑制;

19、所述低频巴伦输入线圈的两端还与所述低频功率放大器通过封装键合线连接。

20、在一些实施方式中,所述中频巴伦,包括:中频巴伦输出线圈、中频巴伦输入线圈;

21、所述中频巴伦输出线圈与所述第五电容一端连接,同时,所述第五电容的一端连接所述中频高阶低通滤波器一端,所述第五电容的另一端接地,所述中频高阶低通滤波器另一端与所述芯片外天线开关连接;

22、所述中频巴伦输入线圈的两端分别与所述第十一电容两端相连;所述中频巴伦输入线圈的两端还分别与所述第八电容的一端和所述第九电容的一端连接,所述第八电容的另一端和所述第九电容的另一端接地;其中,所述第八电容和所述第九电容与接地封装打线形成高频谐振网络,用于发射信号谐波抑制;所述中频巴伦输入线圈的两端与所述中频功率放大器通过封装键合线连接;

23、在一些实施方式中,所述低频陷波网络,包括:第三电容、第三电感;

24、所述低频巴伦输入线圈的一端与所述第三电容的一端连接,所述低频巴伦输入线圈的另一端与所述第三电感的一端连接,所述第三电容的另一端与所述第三电感的另一端连接;其中,所述第三电容和所述第三电感构成lc谐振网络,用于低频发射信号谐波抑制。

25、在一些实施方式中,所述中频陷波网络,包括:第四电容、第四电感;

26、所述第四电感的一端与所述中频高阶低通滤波器以及所述中频巴伦输出线圈连接,所述第四电感的另一端与所述第四电容的一端连接,所述第四电容的另一端接地;其中,所述第四电容和所述第四电感构成lc谐振网络,用于中频发射信号谐波抑制。

27、在一些实施方式中:

28、所述低频接收通路,用于低频段接收信号的阻抗匹配和滤波;

29、所述中频接收通路,用于中频段接收信号的阻抗匹配。

30、本申请提供的一种包含集成无源器件的射频收发前端至少具有以下有益效果:本申请是针对nbiot收发系统模组将一些片外无源滤波器和用于匹配的无源器件集成在一颗芯片中,并与有源芯片封装在一起,减少了片外器件数量,有利于整体模组小型化简洁化,降低成本,并保证了射频收发系统性能的一致性。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种包含集成无源器件的射频收发前端,其特征在于,包括:集成无源器件、芯片外天线开关、低频低噪声放大器、中频低噪声放大器、低频功率放大器、中频功率放大器;所述集成无源器件包括低频发射通路、中频发射通路、低频接收通路、中频接收通路;

2.根据权利要求1所述的一种包含集成无源器件的射频收发前端,其特征在于,在所述集成无源器件中,所述低频发射通路包括低频巴伦、低频陷波网络、低频高阶低通滤波器、第二电容、第三电容、第六电容、第七电容、第十电容、第三电感;

3.根据权利要求1所述的一种包含集成无源器件的射频收发前端,其特征在于,在所述集成无源器件中,所述中频发射通路包括中频巴伦、中频陷波网络、中频高阶低通滤波器、第四电容、第五电容、第八电容、第九电容、第十一电容、第四电感;

4.根据权利要求1所述的一种包含集成无源器件的射频收发前端,其特征在于,所述中频接收通路为中频匹配网络,包括:第一电感;

5.根据权利要求1所述的一种包含集成无源器件的射频收发前端,其特征在于,所述低频接收通路为低频匹配滤波网络,包括:第二电感、第一电容;

6.根据权利要求2所述的一种射频收发前端,其特征在于,所述低频巴伦,包括:低频巴伦输出线圈、低频巴伦输入线圈;

7.根据权利要求3所述的一种射频收发前端,其特征在于,所述中频巴伦,包括:中频巴伦输出线圈、中频巴伦输入线圈;

8.根据权利要求6所述的一种包含集成无源器件的射频收发前端,其特征在于,所述低频陷波网络,包括:第三电容、第三电感;

9.根据权利要求7所述的一种包含集成无源器件的射频收发前端,其特征在于,所述中频陷波网络,包括:第四电容、第四电感;

10.根据权利要求1~9中任一项所述的一种包含集成无源器件的射频收发前端,其特征在于:

...

【技术特征摘要】

1.一种包含集成无源器件的射频收发前端,其特征在于,包括:集成无源器件、芯片外天线开关、低频低噪声放大器、中频低噪声放大器、低频功率放大器、中频功率放大器;所述集成无源器件包括低频发射通路、中频发射通路、低频接收通路、中频接收通路;

2.根据权利要求1所述的一种包含集成无源器件的射频收发前端,其特征在于,在所述集成无源器件中,所述低频发射通路包括低频巴伦、低频陷波网络、低频高阶低通滤波器、第二电容、第三电容、第六电容、第七电容、第十电容、第三电感;

3.根据权利要求1所述的一种包含集成无源器件的射频收发前端,其特征在于,在所述集成无源器件中,所述中频发射通路包括中频巴伦、中频陷波网络、中频高阶低通滤波器、第四电容、第五电容、第八电容、第九电容、第十一电容、第四电感;

4.根据权利要求1所述的一种包含集成无源器件的射频收发前端,其特征在于,所述中频接...

【专利技术属性】
技术研发人员:王立果孙响南超州陈作添
申请(专利权)人:上海移芯通信科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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