【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种自供电型人体热辐射检测光电探测器件及其制备方法，尤其涉及一种vo2/si异质结结构光电探测器件及其制备方法，属于半导体光电子器件领域。
技术介绍
1、近年来宽波段光电探测器，尤其是长波红外探测器的研制引起了人们的广泛关注，主要原因在于：相较于单一光谱波段的数据收集，宽波段光电探测器可以有效避免外界恶劣环境的影响，大幅提高器件光信号传播和接收的准确性，在成像、目标探测、环境监测等方面发挥着重要作用。
2、现有技术中，受到半导体材料带隙的限制，薄膜的光收集和光热转换效率较低，此外由于声子传输特性导致器件响应速度较慢，外部噪声导致探测率较低，严重限制了光电探测器在室温下用于探测低功率人体辐射的实际应用。
3、例如：
4、中国专利技术专利cn113564522 a公开了二氧化钒薄膜及其制备方法及应用，该方法是利用磁控溅射技术制备了二氧化钒薄膜，通过结构优化导致二氧化钒相变温度降低，同时太阳光利用效率得到大幅提升。
5、中国专利技术专利cn113054050 b公开了一种v2o5-...
【技术保护点】
1.一种自供电型人体热辐射检测光电探测器件及其制备方法，其特征为垂直结构，由下至上依次是In底电极层、Si单晶基片、VO2半导体薄膜层和ITO顶电极层；其中：
2.一种如权利要求1所述的自供电型人体热辐射检测光电探测器件及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的自供电型人体热辐射检测光电探测器件及其制备方法，其特征在于，所述氩气的纯度在99.999％以上；
4.根据权利要求2所述的自供电型人体热辐射检测光电探测器件及其制备方法，其特征在于，所述第一高真空为1×10-4-5×10-4Pa，所述第一温度为400-...
【技术特征摘要】
1.一种自供电型人体热辐射检测光电探测器件及其制备方法，其特征为垂直结构，由下至上依次是in底电极层、si单晶基片、vo2半导体薄膜层和ito顶电极层；其中：
2.一种如权利要求1所述的自供电型人体热辐射检测光电探测器件及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的自供电型人体热辐射检测光电探测器件及其制备方法，其特征在于，所述氩气的纯度在99.999％以上；
【专利技术属性】
技术研发人员：郝兰众，郭付海，张明聪，刘云杰，
申请(专利权)人：中国石油大学华东，
类型：发明
国别省市：
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