【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的各方面整体涉及射频(rf)功率检测器，并且尤其涉及从不同功率轨接收从其生成功率指示电压的电流的rf信号功率检测器。
技术介绍
1、射频(rf)发射器通常在其输出级附近包括功率检测器，以生成指示发射的rf信号的功率的功率检测信号。功率检测信号(例如，电压)可出于各种原因而使用。例如，功率检测信号可用于控制发射的rf信号的功率，使得根据到目标远程设备的距离和/或信道条件来有效地设置功率水平。另一示例是使用功率检测信号来防止对接近发射器的用户的过多辐射暴露。又一示例是使用功率检测信号来形成定向辐射波束，以提高特定发射方向上的增益。
技术实现思路
1、下面呈现了对一个或多个具体实施的简要概括，以便提供对此类具体实施的基本的理解。该概括不是对全部预期实现方式的详尽概览，并且不旨在于标识全部实现方式的关键或重要元素，也不旨在于描绘任何或全部实现方式的范围。该概括唯一的目的是以简要的形式介绍一个或多个具体实施的一些概念，作为随后介绍的更详细的描述的序言。
2、本公开的一个方面涉及一种...
【技术保护点】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述TIA包括：
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述RF信号功率检测器还包括第三电流源，所述第三电流源被配置为生成基本上恒定的偏置电流，其中所述第三电流源与所述第一电流源串联耦合在所述第一上部电压轨与所述下部电压轨之间。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述RF信号功率检测器还包括控制电路，所述控制电路被配置为基于所述第一电压来控制所述第二电流源。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第二电流源包括场效应晶体管(FET)。
6.根据权利要求5所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述tia包括：
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述rf信号功率检测器还包括第三电流源，所述第三电流源被配置为生成基本上恒定的偏置电流，其中所述第三电流源与所述第一电流源串联耦合在所述第一上部电压轨与所述下部电压轨之间。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述rf信号功率检测器还包括控制电路，所述控制电路被配置为基于所述第一电压来控制所述第二电流源。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第二电流源包括场效应晶体管(fet)。
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述fet包括n沟道金属氧化物半导体(nmos)fet。
7.根据权利要求5所述的装置，其中所述fet包括p沟道金属氧化物半导体(pmos)fet。
8.根据权利要求5所述的装置，其中所述控制电路包括：
9.根据权利要求8所述的装置，其中所述分压器包括：
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述下部电压轨处于地电位。
11.根据权利要求1所述的装置，还包括第一电压调节器和第二电压调节器或dc-dc转换器，所述第一电压调节器和所述第二电压调节器或所述dc-dc转换器被配置为分别向所述第一上部电压轨和所述第二上部电压轨提供第一供应电压和第二供应电压。
12.根据权利要求1所述的装置，还包括信号采样器，所述信号采样器被配置为基于第二rf信号生成所述第一rf信号。
13.根据权利要求12所述的装置，其中所述信号采样器包括定向耦合器。
14.根据权利要求12所述的装置，还包括功率放大器(pa)，所述功率放大器(pa)被配置为生成所述第二rf信号。
15.根据权利要求14所述的装置，还包括功率放大器-低噪声放大器(pa-lna)接口，所述功率放大器-低噪声放大器(pa-lna)接...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·阿布齐德，V·帕尼卡斯，刘利，王川，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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