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一种扫焦光场成像测量方法及系统技术方案

技术编号:41002218 阅读:41 留言:0更新日期:2024-04-18 21:40
本发明专利技术实施例公开了一种扫焦光场成像测量方法,包括以下步骤:成像系统标定:标定成像系统,获取不同焦面处垂直于成像系统光轴的平面标靶相对于成像系统的位姿参数;图像采集并校正:采用成像系统在已标定的不同焦面处采集图像,根据成像系统的系统参数将采集到的图像从像空间转换至物空间,获得多个校正图像,根据所述校正图像整理获得校正图像序列;光场重建:根据校正图像序列进行一致性光场重建,获得重建光场;成像测量:采用重建光场对场景进行深度测量和三维测量,获得场景深度信息和场景三维数据。本发明专利技术还公开了一种扫焦光场成像测量系统。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光学成像,尤其涉及一种扫焦光场成像测量方法及系统


技术介绍

1、扫焦光场成像是一种数字化调制的光场重建方法,在该技术中,成像系统采集一系列的图像,每幅图像是光场传播到特定焦面上的强度投影,包含了部分特定的光场信息,而后利用光场强度传输特性进行反向重构,进行光场重建。传统的扫焦光场成像中,多数方法直接使用成像系统采集的原始图像进行光场重建,但是在采集图像的过程中,不可避免的存在成像畸变,导致图像变形,且由于光场所在的物空间与成像后图像所在的像空间之间的深度映射是非线性的,物像空间的不一致性以及成像畸变最终会降低光场成像的精度,且难以实现对实际场景的深度测量。


技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种扫焦光场成像测量方法及系统,以提高光场成像的精度,并实现对实际场景的深度测量和三维测量。

2、第一方面,本专利技术实施例提供了一种扫焦光场成像测量方法,包括以下步骤:成像系统标定:标定成像系统,获取不同焦面处垂直于成像系统光轴的平面标靶相对于成像系统的位姿参数;图像采集并校本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种扫焦光场成像测量方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的扫焦光场成像测量方法,其特征在于,所述成像系统标定的步骤包括:

3.根据权利要求2所述的扫焦光场成像测量方法,其特征在于,所述深度位置信息计算的步骤中的所述成像模型采用以下公式表示:

4.根据权利要求2所述的扫焦光场成像测量方法,其特征在于,所述深度位置信息计算的步骤中的所述代价函数采用以下公式表示:

5.根据权利要求1所述的扫焦光场成像测量方法,其特征在于,所述图像采集并校正的步骤包括:

6.根据权利要求5所述的扫焦光场成像测量方法,其特征在于,...

【技术特征摘要】

1.一种扫焦光场成像测量方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的扫焦光场成像测量方法,其特征在于,所述成像系统标定的步骤包括:

3.根据权利要求2所述的扫焦光场成像测量方法,其特征在于,所述深度位置信息计算的步骤中的所述成像模型采用以下公式表示:

4.根据权利要求2所述的扫焦光场成像测量方法,其特征在于,所述深度位置信息计算的步骤中的所述代价函数采用以下公式表示:

5.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡泽伟黄思博刘洋刘晓利汤其剑
申请(专利权)人:深圳大学
类型:发明
国别省市:

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