【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子电路设计技术,涉及一种差分转单端信号的电路,尤其涉及一种互补对称结构的差分转单端信号的电路及方法。
技术介绍
1、在高速通信系统中,lvttl或lvcmos等单端信号是目前首选的标准单端逻辑电平,在核心处理、计算处理和交换等系统中应用广泛。传统地,在差分信号转单端信号时往往需要采用多级放大器电路进行差分信号放大,再由反向器驱动至单端信号。此结构对差分信号的接收范围有一定的限制,且由反向器强驱至单端输出会对占空比造成较大的影响,尤其是在适配不同电源电压的情况下。
技术实现思路
1、为了解决
技术介绍
中存在的上述技术问题,本专利技术提供了一种可扩展输入信号的接收范围、能提高电平翻转的效率和对电源电压的适配性的互补对称结构的差分转单端信号的电路及方法。
2、为了实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案:
3、一种互补对称结构的差分转单端信号的电路,其特征在于:所述互补对称结构的差分转单端信号的电路包括差分信号正向输入端inp、电源vdd、差分信号反向输入
...【技术保护点】
1.一种互补对称结构的差分转单端信号的电路,其特征在于:所述互补对称结构的差分转单端信号的电路包括差分信号正向输入端INP、电源VDD、差分信号反向输入端INN、n型差分结构信号接收电路、p型差分结构信号接收电路、反向器电路以及时钟信号输出端CLKOUT;所述差分信号正向输入端INP分别接入n型差分结构信号接收电路以及p型差分结构信号接收电路;所述差分信号反向输入端INN分别接入n型差分结构信号接收电路以及p型差分结构信号接收电路;所述n型差分结构信号接收电路与p型差分结构信号接收电路相连;所述n型差分结构信号接收电路以及p型差分结构信号接收电路分别通过反向器电路接入
...【技术特征摘要】
1.一种互补对称结构的差分转单端信号的电路,其特征在于:所述互补对称结构的差分转单端信号的电路包括差分信号正向输入端inp、电源vdd、差分信号反向输入端inn、n型差分结构信号接收电路、p型差分结构信号接收电路、反向器电路以及时钟信号输出端clkout;所述差分信号正向输入端inp分别接入n型差分结构信号接收电路以及p型差分结构信号接收电路;所述差分信号反向输入端inn分别接入n型差分结构信号接收电路以及p型差分结构信号接收电路;所述n型差分结构信号接收电路与p型差分结构信号接收电路相连;所述n型差分结构信号接收电路以及p型差分结构信号接收电路分别通过反向器电路接入时钟信号输出端clkout;所述电源vdd分别接入n型差分结构信号接收电路以及p型差分结构信号接收电路。
2.根据权利要求1所述的互补对称结构的差分转单端信号的电路,其特征在于:所述n型差分结构信号接收电路包括晶体管mn4、晶体管mp4、晶体管mp3、晶体管mp5以及晶体管mn5;所述差分信号正向输入端inp通过晶体管mp4、晶体管mp3、晶体管mp5接入晶体管mn5;所述晶体管mp4通过晶体管mn4接地;所述晶体管mn4接入晶体管mn5;所述晶体管mp5通过晶体管mn5接地;所述电源vdd通过晶体管mp3以及p型差分结构信号接收电路接地;所述晶体管mn4通过p型差分结构信号接收电路接入反向器电路;所述晶体管mp5接入反向器电路;所述差分信号反向输入端inn接入晶体管mp5。
3.根据权利要求2所述的互补对称结构的差分转单端信号的电路,其特征在于:所述差分信号正向输入端inp接入晶体管mp4的栅极;所述晶体管mp4的源极以及晶体管mp5的源极分别接入晶体管mp3的漏极;所述晶体管mp4的漏极接入晶体管mn4的漏极;所述晶体管mn4的源极接地;所述晶体管mn4的栅极分别接入晶体管mn5的栅极、p型差分结构信号接收电路以及反向器电路;所述电源vdd接入晶体管mp3的源极;所述晶体管mp3的栅极接入p型差分结构信号接收电路;所述晶体管mp5的漏极分别接入晶体管mn5的漏极以及反向器电路;所述差分信号反向输入端inn接入晶体管mp5的栅极;所述晶体管mn5的源极接地。
4.根据权利要求3所述的互补对称结构的差分转单端信号的电路,其特征在于:所述p型差分结构信号接收电路包括晶体管mp1、晶体管mp2、晶体管mn1、晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘颖,吕俊盛,李岩,邵刚,田泽,李嘉,
申请(专利权)人:西安翔腾微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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