【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种薄膜晶体管、一种薄膜晶体管的制备方法、一种阵列基板和一种显示面板。
技术介绍
1、金属氧化物半导体组成的薄膜晶体管(thin film transistor，tft)有着制备工艺简单，生产成本较低，性能优良、稳定等优点而被广泛用于显示领域。
2、但是，现有金属氧化物薄膜晶体管在制备的过程中性能容易发生异常，进而影响显示器件的正常显示。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法、阵列基板以及显示面板，以解决氢原子导致薄膜晶体管性能发生异常的问题。
2、第一方面，提供了一种薄膜晶体管，包括导电功能层，导电功能层用于吸附薄膜晶体管中的氢原子。
3、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，导电功能层包括可吸附氢原子的结构。
4、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，导电功能层包括掺杂的非晶硅。
5、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，薄膜晶体管还包括栅极，导电功能层与栅极电连接且叠层设置。
6、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，栅极的一侧设有导电功能层。
7、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，栅极的两侧均设有导电功能层。
8、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，栅极包括分别位于有源层两侧的第一栅极和第二栅极。
9、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，薄膜晶体管还包括传输电极，导电功能层
10、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，传输电极的一侧设有导电功能层。
11、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，传输电极的两侧均设有导电功能层。
12、结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，传输电极包括源极和漏极。
13、第二方面，提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：
14、提供衬底基板；
15、在衬底基板的一侧沉积金属氧化物层，并进行图形化，形成有源层；
16、在有源层远离衬底基板的一侧制备第一导电功能层，在第一导电功能层远离有源层的一侧制备第一栅极，第一导电功能层与第一栅极电连接。
17、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，薄膜晶体管的制备方法还包括在第一栅极远离有源层的一侧表面沉积传输电极层，图形化后形成传输电极，得到薄膜晶体管。
18、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，在第一栅极远离有源层的一侧表面沉积传输电极层，图形化后形成传输电极，得到薄膜晶体管之前还包括：在第一栅极远离第一导电功能层的一侧表面制备第三导电功能层，第三导电功能层与传输电极电连接。
19、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，在第一栅极远离有源层的一侧表面沉积传输电极层，图形化后形成传输电极，得到薄膜晶体管还包括：在传输电极远离第一栅极的一侧表面制备第四导电功能层，第四导电功能层与传输电极电连接。
20、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，在衬底基板的一侧沉积金属氧化物层，并进行图形化，形成有源层的步骤之前，还包括：在衬底基板的一侧表面制备第五导电功能层，在第五导电功能层远离衬底基板的一侧表面制备第二栅极，第二栅极与第五导电功能层电连接。
21、结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，在衬底基板的一侧表面制备第五导电功能层，在第五导电功能层远离衬底基板的一侧表面制备第二栅极，第二栅极与第五导电功能层电连接还包括：在第二栅极远离衬底基板的一侧制备第六导电功能层，第六导电功能层与第二栅极电连接。
22、第三方面，提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：
23、提供衬底基板；
24、在衬底基板的一侧沉积金属氧化物层，并进行图形化，形成有源层；
25、在有源层远离衬底基板的一侧制备第一栅极，在第一栅极远离有源层的一侧制备第二导电功能层，第二导电功能层与第一栅极电连接。
26、结合第三方面，在第三方面的某些实现方式中，在有源层远离衬底基板的一侧制备第一栅极，在第一栅极远离有源层的一侧制备第二导电功能层，第二导电功能层与第一栅极电连接之前还包括：
27、在有源层远离衬底基板的一侧制备第一导电功能层，第一导电功能层与第一栅极电连接。
28、本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、一种阵列基板及一种显示面板。通过在薄膜晶体管中设置用于吸附氢原子导电功能层，从而可以俘获后续膜层沉积工艺中解离出来的氢原子，有效阻挡氢原子扩散至有源层内，以提升器件性能。
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1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括导电功能层，所述导电功能层用于吸附所述薄膜晶体管中的氢原子。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电功能层包括可吸附氢原子的结构；
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅极，所述导电功能层与所述栅极电连接且叠层设置；
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括传输电极，所述导电功能层与所述传输电极电连接且叠层设置；
5.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述有源层远离所述衬底基板的一侧制备第一导电功能层，在所述第一导电功能层远离所述有源层的一侧制备第一栅极，所述第一导电功能层与所述第一栅极电连接还包括：
7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，还包括在所述第一栅极远离所述有源层的一侧表面沉积传输电极层，图形化后形成传输电极，得到所述薄膜晶体管；
8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述在所述
9.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述在所述有源层远离所述衬底基板的一侧制备第一栅极，在所述第一栅极远离所述有源层的一侧制备第二导电功能层，所述第二导电功能层与所述第一栅极电连接之前还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括导电功能层，所述导电功能层用于吸附所述薄膜晶体管中的氢原子。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电功能层包括可吸附氢原子的结构；
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅极，所述导电功能层与所述栅极电连接且叠层设置；
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括传输电极，所述导电功能层与所述传输电极电连接且叠层设置；
5.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述有源层远离所述衬底基板的一侧制备第一导电功能层，在所述第一导电功能层远离所述有源层的一侧制备第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：李胜斌，孟冰，刘俊伟，王淑鹏，刘家川，
申请(专利权)人：合肥维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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