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包括具有高密度互连件的衬底的封装件制造技术

技术编号:40994532 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-18 21:35
一种封装件,该封装件包括衬底和耦合到该衬底的集成器件。该衬底包括:芯层,该芯层包括第一表面和第二表面;至少一个第一电介质层,该至少一个第一电介质层被耦合到该芯层的该第一表面;至少一个第二电介质层,该至少一个第二电介质层被耦合到该芯层的该第二表面;至少一个芯互连件,该至少一个芯互连件延伸穿过该芯层和来自该至少第一电介质层和/或该至少一个第二电介质层中的至少一个电介质层;多个高密度互连件,该多个高密度互连件包括第一最小宽度和第一最小间距;以及多个互连件,该多个互连件包括第二最小宽度和第二最小间距。该第二最小宽度大于该第一最小宽度。该第二最小间距大于该第一最小间距。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

各种特征涉及具有衬底和集成器件的封装件。


技术介绍

1、封装件可包括衬底和集成器件。这些部件耦合在一起以提供可以执行各种电气功能的封装件。集成器件和衬底如何被耦合在一起影响封装件的整体性能。一直存在提供性能较好的封装件以及减小封装件的整体大小的需求。


技术实现思路

1、各种特征涉及具有衬底和集成器件的封装件。

2、一个示例提供了一种封装件,该封装件包括衬底和集成器件,该集成器件被耦合到该衬底。该衬底包括:芯层,该芯层包括第一表面和第二表面;至少一个第一电介质层,该至少一个第一电介质层被耦合到该芯层的该第一表面;至少一个第二电介质层,该至少一个第二电介质层被耦合到该芯层的该第二表面;至少一个芯互连件,该至少一个芯互连件延伸穿过该芯层和来自该至少第一电介质层和/或该至少一个第二电介质层中的至少一个电介质层;多个高密度互连件,该多个高密度互连件包括第一最小宽度和第一最小间距;以及多个互连件,该多个互连件包括第二最小宽度和第二最小间距。该第二最小宽度大于该第一最小宽度。该第二最小间距大于该第一最小间距。

3、另一示例提供一种衬底,该衬底包括:芯层,该芯层包括第一表面和第二表面;至少一个第一电介质层,该至少一个第一电介质层被耦合到该芯层的该第一表面;至少一个第二电介质层,该至少一个第二电介质层被耦合到该芯层的该第二表面;至少一个芯互连件,该至少一个芯互连件延伸穿过该芯层和来自该至少第一电介质层和/或该至少一个第二电介质层中的至少一个电介质层;多个高密度互连件,该多个高密度互连件包括第一最小宽度和第一最小间距;以及多个互连件,该多个互连件包括第二最小宽度和第二最小间距。该第二最小宽度大于该第一最小宽度。该第二最小间距大于该第一最小间距。

4、另一示例提供了一种装置,该装置包括衬底和集成器件,该集成器件被耦合到该衬底。该衬底包括:芯层,该芯层包括第一表面和第二表面;至少一个第一电介质层,该至少一个第一电介质层被耦合到该芯层的该第一表面;至少一个第二电介质层,该至少一个第二电介质层被耦合到该芯层的该第二表面;芯互连构件,该芯互连构件延伸穿过该芯层和来自该至少第一电介质层和/或该至少一个第二电介质层中的至少一个电介质层;高密度互连构件,该高密度互连构件包括第一最小宽度和第一最小间距;以及互连构件,该互连构件包括第二最小宽度和第二最小间距。该第二最小宽度大于该第一最小宽度。该第二最小间距大于该第一最小间距。

5、另一示例提供了一种用于制造衬底的方法。该方法提供芯层,该芯层包括第一表面和第二表面。该方法在该芯层的该第一表面之上提供至少一个第一电介质层和多个高密度互连件。该多个高密度互连件包括第一最小宽度和第一最小间距。该方法在该芯层的该第二表面之上形成至少一个第二电介质层。该方法形成至少一个芯互连件,该至少一个芯互连件延伸穿过该芯层和来自该至少第一电介质层和/或该至少第二电介质层中的至少一个电介质层。该方法形成多个互连件,该多个互连件包括第二最小宽度和第二最小间距。该第二最小宽度大于该第一最小宽度。该第二最小间距大于该第一最小间距。

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【技术保护点】

1.一种封装件,所述封装件包括:

2.根据权利要求1所述的封装件,

3.根据权利要求1所述的封装件,

4.根据权利要求1所述的封装件,其中所述多个高密度互连件包括约0.5微米-1微米的厚度。

5.根据权利要求1所述的封装件,所述封装件还包括第二集成器件,所述第二集成器件被耦合到所述衬底,其中所述第二集成器件被配置为通过所述多个高密度互连件电耦合到所述集成器件。

6.根据权利要求5所述的封装件,其中所述多个高密度互连件被配置作为用于所述集成器件与所述第二集成器件之间的电通信的多个桥互连件。

7.根据权利要求1所述的封装件,其中所述多个高密度互连件位于所述衬底的金属层上。

8.根据权利要求7所述的封装件,其中所述衬底的所述金属层是位于所述衬底的所述芯层之上的特定金属层。

9.一种衬底,所述衬底包括:

10.根据权利要求9所述的衬底,

11.根据权利要求9所述的衬底,

12.根据权利要求9所述的衬底,其中所述多个高密度互连件包括约0.5微米-1微米的厚度。

13.根据权利要求9所述的衬底,所述衬底还包括第二集成器件,所述第二集成器件被耦合到所述衬底,其中所述第二集成器件被配置为通过所述多个高密度互连件电耦合到所述集成器件。

14.根据权利要求13所述的衬底,其中所述多个高密度互连件被配置作为用于所述集成器件与所述第二集成器件之间的电通信的多个桥互连件。

15.根据权利要求9所述的衬底,其中所述多个高密度互连件位于所述衬底的金属层上。

16.一种装置,所述装置包括:

17.根据权利要求16所述的装置,

18.根据权利要求16所述的装置,其中所述高密度互连构件包括约0.5微米-1微米的厚度。

19.根据权利要求16所述的装置,所述装置还包括第二集成器件,所述第二集成器件被耦合到所述衬底,其中所述第二集成器件被配置为通过所述高密度互连构件电耦合到所述集成器件。

20.根据权利要求16所述的装置,其中所述装置包括选自由以下项组成的组的设备:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、物联网(IoT)设备和机动车辆中的设备。

21.一种用于制造衬底的方法,所述方法包括:

22.根据权利要求21所述的方法,

23.根据权利要求21所述的方法,

24.根据权利要求21所述的方法,其中所述多个高密度互连件包括约0.5微米-1微米的厚度。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种封装件,所述封装件包括:

2.根据权利要求1所述的封装件,

3.根据权利要求1所述的封装件,

4.根据权利要求1所述的封装件,其中所述多个高密度互连件包括约0.5微米-1微米的厚度。

5.根据权利要求1所述的封装件,所述封装件还包括第二集成器件,所述第二集成器件被耦合到所述衬底,其中所述第二集成器件被配置为通过所述多个高密度互连件电耦合到所述集成器件。

6.根据权利要求5所述的封装件,其中所述多个高密度互连件被配置作为用于所述集成器件与所述第二集成器件之间的电通信的多个桥互连件。

7.根据权利要求1所述的封装件,其中所述多个高密度互连件位于所述衬底的金属层上。

8.根据权利要求7所述的封装件,其中所述衬底的所述金属层是位于所述衬底的所述芯层之上的特定金属层。

9.一种衬底,所述衬底包括:

10.根据权利要求9所述的衬底,

11.根据权利要求9所述的衬底,

12.根据权利要求9所述的衬底,其中所述多个高密度互连件包括约0.5微米-1微米的厚度。

13.根据权利要求9所述的衬底,所述衬底还包括第二集成器件,所述第二集成器件被耦合到所述衬底,其中所述第二集成器件被配置为通过所述多个高密度互连件电耦合到所述集成器件...

【专利技术属性】
技术研发人员:CK·金K·康J·R·V·鲍特
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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