一种自加热纳米压印工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种自加热纳米压印工艺，包括如下压印步骤：先选择所需的图形化基板；在选好的图形化基板上成型带有导电薄膜的压印胶；待带有导电薄膜的压印胶固化后，将其整体从图形化基板上进行剥离，得到图形化电极结构；在衬底上旋涂光刻胶，然后将图形化电极结构带有图形的一侧覆盖到光刻胶上，并施加压力，进行压印形成胶柱，然后打开电源为导电薄膜通电，同时照射紫外光，对胶柱进行固化。本发明专利技术中图形化电极结构内部有导电薄膜，可以进行自加热纳米压印，此种加热方式的热损耗小、散热快，并且可以控制加热的温度和速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设备，更具体的说是涉及一种自加热纳米压印工艺。

技术介绍

1、纳米压印光刻被宣传为一种简单、低成本、高分辨率的工艺。这是一种1×光刻法，其中将模具压入材料中以形成图案。纳米压印适用于大学实验室研究、设备原型设计、制造和许多其他应用。

2、纳米压印技术可以不受光刻机线宽的限制，只要提供一个相应的模板就可以完成高精度光刻。当前纳米压印技术已经逐渐开始应用于pss等
然而纳米压印也存在其一定局限性，其中之一就是传统的纳米压印技术是在压印光刻胶过程中由设备进行加热固化光刻胶柱，其会导致热损耗大、加热精度低、散热慢，导致压印膜较易硬化且光刻胶柱不稳定等问题。

3、因此，研究出一种热损耗小、散热快，且加热可控的自加热纳米压印工艺是本领域技术人员亟需解决的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供了一种热损耗小、散热快，且加热可控的自加热纳米压印工艺。

2、为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：

3、一种自加热纳米压印工艺，包括如下本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，包括如下压印步骤：

2.根据权利要求1所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤S2中的压印胶(6)选用硅胶或聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯醇材料。

3.根据权利要求2所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤S2中的导电薄膜(5)选用金属纳米线或导电聚合物或碳基材料。

4.根据权利要求3所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤S2中先在图形化基板(1)上喷涂一层透明导电薄膜(5)，然后在已经镀膜的图形化基板(1)上覆盖一层液态压印胶，得到带有导电薄膜的压印胶。

5.根据权利要求4所述的一种自加...

【技术特征摘要】

1.一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，包括如下压印步骤：

2.根据权利要求1所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤s2中的压印胶(6)选用硅胶或聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯醇材料。

3.根据权利要求2所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤s2中的导电薄膜(5)选用金属纳米线或导电聚合物或碳基材料。

4.根据权利要求3所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤s2中先在图形化基板(1)上喷涂一层透明导电薄膜(5)，然后在已经镀膜的图形化基板(1)上覆盖一层液态压印胶，得到带有导电薄膜的压印胶。

5.根据权利要求4所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤s3中得到图形化电极结构后，在图像化电极结构上引出正负电极，然后与电源连接。

6.根据权利要求3所述的一种自加热纳米压印工艺，其特征在于，步骤s2中先在图形化基板(1)上镀上第一层液态压印胶(7)；待第一层液态压印胶(7)固化后在其上表面进行等离子清洗，清洗完后在第一层液态压印胶(7)上表面喷涂一层透明导电薄膜(5)；然后在导电薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志伟，宋立军，
申请(专利权)人：吉林工业职业技术学院，
类型：发明
国别省市：