【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子光刻机，特别是由透射过光掩膜的散射电子流使硅片上的光刻胶发生电子光反应，或透射过光掩膜或由光掩膜反射的散射电子流经一个或多个磁透镜聚焦成像于硅片上的光刻胶使硅片上的光刻胶发生电子光反应的散射电子光刻机。
技术介绍
1、现有的光刻机采用极紫外光源euv，是将准分子激光照射在锡滴液发生器上，激发出13.5nm的光子，作为光刻机光源。目前全世界只有一家厂商能够设计和制造euv光刻机设备，其生产工艺极其复杂成本高昂，而极紫外光源euv已经是光的物理极限，采用浸入式减小光波长也是工艺上的极限，虽然可以通过改进刻蚀工艺增加精度，但增加了成本，通过光子成像当前不可能有新的技术改进。压印技术目前还在研究之中，但在纳米级精度上进行压印可行性还是比较小。当前的电子光刻机采用聚焦电子束进行光刻，但一束电子束一次只能产生一个像素点，生产速度慢，用聚焦电子束经过光掩膜进行光刻，聚焦电子束的能量高，对光掩膜会产生破坏，光掩膜的使用寿命短而增加成本，这些情况使电子光刻机无法进行大规模的工业化生产。
技术实现思路
1、为了克服以上问题，本专利技术提供一种散射电子光刻装置，即散射电子光刻机。本专利技术的散射电子流从圆形阴极电子发射板发射出来，散射电子流横断面为一个圆面，在没有聚焦磁透镜聚焦的情况下从阴极向阳极加速，加速过程还会逐渐扩散，散射电子流或由磁透镜发散，即放置于磁透镜焦点附近的阴极发射电子流。即散射电子流由电子发射板发射或由磁透镜发散，散射电子流经过光掩膜，由透射过光掩膜的散射电子流使
2、散射电子流经偏转线圈或电场偏转，顺序扫描光掩膜，这样的好处是散射电子流经过光掩膜时会更均匀。为使散射电子流经过光掩膜时更均匀，还可使散射电子流经散射膜发散，散射膜由铍或铍与包括镁、锡的合金或铝或铝合金制成，目的是使电子经过散射膜时与铍、镁、锡、铝等金属原子发生碰撞改变运动轨迹而发散，这里所取的金属是指其中的一种或两种或两种以上的任一组合。光掩膜由包括铜或镍或铬的金属构成阻挡电子的电子遮光膜，由镂空或包括树脂的基版构成透过电子的电子透光膜，这里所取的金属是指其中的一种或两种或两种以上的任一组合，镂空或包括树脂的基版是指电子透光膜可以取镂空，也可取树脂作为基版，也可用公知的如铍等可透过电子的材料，或这些方案的任意组合。
3、本专利技术所述散射电子流必需在真空环境或在存在少量包括氦气，氖气的环境下运动，存在少量包括氦气，氖气的环境有利于散射电子流的发散，如在一立方米的空间中加入0.1克的氦。
4、本专利技术所带来的好处是散射电子光刻机的结构远比euv光刻机简单，所采用的是电子显微镜的技术，技术方案成熟，光子在真空中会发生衍射，电子在真空中衍射特性极低，在散射电子流经过光掩膜，再透射过光掩膜到达硅片上的光刻胶时，其路径能保持直线，光掩膜与硅片上的光刻胶距离可远一些，这样可保护光掩膜，技术难度也小，散射电子的能量比较分散，在光掩膜上产生的热量少，对光掩膜的破坏小，散射电子的面积大，一次就能电子光刻一个很大的面积，电子光刻速度与euv光刻速度相近，因为散射电子光刻机的结构远比euv光刻机简单，在技术上能做到比euv光刻速度高，散射电子流的波长远比极紫外光euv小，电子光刻精度比极紫外光euv大，可轻松达到几纳米的精度。
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1.一种散射电子光刻装置，其特征是散射电子流照射光掩膜，由透射过光掩膜的散射电子流使硅片上的光刻胶发生电子光反应，或透射过光掩膜的散射电子流经一个或多个磁透镜聚焦成像于硅片上的光刻胶使硅片上的光刻胶发生电子光反应，或由光掩膜反射的散射电子流经一个或多个磁透镜聚焦成像于硅片上的光刻胶使硅片上的光刻胶发生电子光反应。
2.根据权利要求1所述的散射电子光刻装置，其特征是散射电子流由电子发射板发射或散射电子流由电子发射头发射后由磁透镜发散。
3.根据权利要求1所述的散射电子光刻装置，其特征是散射电子流经偏转线圈或电场偏转，顺序扫描光掩膜。
4.根据权利要求3所述的散射电子光刻装置，其特征是散射电子流行进过程中让散射电子流抖动。
5.根据权利要求1所述的散射电子光刻装置，其特征是散射电子流经散射膜发散。
6.根据权利要求5所述的散射电子光刻装置，其特征是散射膜由铍或铍与包括镁、锡的合金或铝或铝合金制成。
7.根据权利要求1所述的散射电子光刻装置，其特征是光掩膜由包括铜或镍或铬的金属构成阻挡电子的电子遮光膜或反射电子的电
8.根据权利要求1所述的散射电子光刻装置，其特征是整个系统可在真空环境下运行，也可在内部加入少量包括氦气，氖气，氩气的气体。
...【技术特征摘要】
1.一种散射电子光刻装置，其特征是散射电子流照射光掩膜，由透射过光掩膜的散射电子流使硅片上的光刻胶发生电子光反应，或透射过光掩膜的散射电子流经一个或多个磁透镜聚焦成像于硅片上的光刻胶使硅片上的光刻胶发生电子光反应，或由光掩膜反射的散射电子流经一个或多个磁透镜聚焦成像于硅片上的光刻胶使硅片上的光刻胶发生电子光反应。
2.根据权利要求1所述的散射电子光刻装置，其特征是散射电子流由电子发射板发射或散射电子流由电子发射头发射后由磁透镜发散。
3.根据权利要求1所述的散射电子光刻装置，其特征是散射电子流经偏转线圈或电场偏转，顺序扫描光掩膜。
4.根据权利要求3...
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